馬本隆綱

ロームは、アナログとデジタルの長所を融合した電源ソリューション「LogiCoA（ロジコア）」の提供を始めた。小〜中電力帯で動作する産業用ロボット機器や半導体製造装置などの用途に向ける。

Bluetooth対応機器の年間総出荷台数は、2028年までに75億台となる見通しである。今後は、「より高精度な位置情報システム」や「アンビエントIoT（モノのインターネット）」といった、新たな応用市場の拡大にも期待する。

東京大学らの研究グループは、ドナーとアクセプターの分子軌道を混成することで、交互積層型電荷移動錯体の高伝導化に成功した。大量合成が可能な塗布型有機伝導体材料として、有機電子デバイスへの応用に期待する。

ローデ・シュワルツは、小型パワーアナライザーとして新たに、「R＆S NPAシリーズ」3モデルを投入すると発表した。

神戸大学と国立中興大学（台湾）は共同で、幅広い電圧変動に対応しつつ、電力変換効率が98％以上という「双方向型の直流電力変換器（BDC）」を開発した。

東京大学は、中赤外フォトサーマル顕微鏡に新たな技術を導入し、約100nmという空間分解能を実現した。開発した顕微鏡を用い、細菌内部のたんぱく質や脂質といった生体分子の分布を観察することに成功した。

京都工芸繊維大学などの研究チームは、PLLA（ポリ（L-乳酸））からなる電界紡糸ファイバー膜が、主に正負両極性の真電荷で帯電した「エレクトレット」であり、優れた疑似圧電特性を示すことを解明した。

九州大学の研究チームは、AI（人工知能）を活用して、周波数や伝送距離に依存する無線電力伝送システムの電気特性を予測することに成功した。システム設計の時間を大幅に削減できるようになる。

富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC（炭化ケイ素）ベアウエハーは、2024年にSi（シリコン）ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。

Microchipは、ニューラルネットワークのスパース最適化技術を提供する「Neuronix AI Labs」および、車載ネットワークのオープンスタンダード「ASA Motion Link（ASA-ML）」仕様に準拠した製品などで強みを持つ「VSI」を買収した。

ジャパンディスプレイ（JDI）は、2024年12月にも茂原工場（千葉県茂原市）で有機ELディスプレイ（OLED）「eLEAP」の量産を始める。また、従来のOLEDに比べ約3倍のピーク輝度を実現したノートPC向け「14型eLEAP」も新たに開発した。

ロームは、垂直共振器型面発光レーザー（VCSEL）素子をレーザー光向け樹脂製光拡散材で封止した赤外線光源「VCSELED（ビクセレッド）」を開発し、試作サンプル品の供給を始めた。自動車のドライバーモニタリングシステム（DMS）や車室内モニタリングシステム（IMS）の用途に向ける。

名古屋工業大学は日本ガイシとの共同研究により、フッ化物材料「Li3AlF6」のLi+伝導度を高めることに成功した。この材料を用い、温室プレス成型で作製した全固体リチウムイオン電池は、極めて安定に充放電できることを確認した。

ルネサス エレクトロニクスは、クラウドベースのシステム開発ツール「クイックコネクトスタジオ」について、対応可能なデバイスを追加するとともに、リモートでソフトウェア検証などが行えるよう機能を拡張した。

東京大学の研究グループは、磁性半金属である「テルル化クロム」の特殊な磁性を、ゲート電圧で大きく変調することに成功した。スピントロニクスデバイスへの応用が期待される。

NTTドコモとNTT、NECおよび、富士通は、サブテラヘルツ帯（100GHz帯と300GHz帯）に対応した無線デバイスを共同開発した。この無線デバイスを用いて無線伝送実験を行い、見通し内の伝送距離100mで100Gビット/秒（bps）の超高速伝送を実証した。

SEMIは、半導体製造装置（新品）の2023年世界総販売額が約1063億米ドルになったと発表した。2022年の約1076億米ドルに比べ、1.3％減少した。地域別では中国が首位で、韓国と台湾の上位3地域で世界市場の72％を占めた。

アドバンテストと東レエンジニアリングは、ミニ／マイクロLEDディスプレイの製造分野で、戦略的パートナーシップを締結した。製造工程で必要となる検査や転写、実装および、データ解析といった技術を組み合わせ、ディスプレイメーカーに提供していく。

東北大学と米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校らの研究チームは、確率的なアルゴリズムを効率よく実行でき、製造も比較的容易な「近未来版の確率論的コンピュータ」を開発、その動作を検証した。「最終形態の確率論的コンピュータ」では、現行の半導体コンピュータに比べ、面積を約4桁、エネルギー消費を3桁、それぞれ削減できることを確認した。

NXP Semiconductorsは、ハードウェアセキュアエレメント「EdgeLock SE052F」について、最新の「連邦情報処理標準（FIPS） 140-3レベル3」の認証を取得したと発表した。FIPS規格に準拠したIoT（モノのインターネット）／産業用機器の設計が容易となる。

大阪大学や名古屋大学、三重大学、関西学院大学および、高輝度光科学研究センターの研究グループは、反強磁性体であるクロム酸化物薄膜を用い、スピンの向きを電圧で制御することに成功した。制御効率は従来の強磁性体に比べ50倍以上も高いことを確認した。

理化学研究所（理研）は、原子層ナノ物質を高Q値微小光共振器上に転写することで、微弱な連続光レーザーでも2次の非線形波長変換が効率よく行えることを実証した。

Armは、エッジAI（人工知能）に向けたNPU（ニューラルプロセッシングユニット）ファミリーとして、新たに「Arm Ethos-U85」を発表した。前世代品に比べ性能は4倍に、電力効率は20％も向上させた。また、開発期間の短縮を可能にするIoT（モノのインターネット）レファレンスデザインプラットフォーム「Corstone-320」も同時に発表した。

東京工業大学は、水素と触媒反応を利用し、金属と半導体界面の接触抵抗を従来に比べ約3桁も低減させた「アモルファス酸化物半導体（IGZO）トランジスタ」（IGZO-TFT）の開発に成功した。

富山大学は、富山県立大学や中越合金鋳工との共同研究により、マグネシウム蓄電池に用いる負極材料について、短い時間で極薄かつ広幅、長尺品の作製が可能であることを示した。

名城大学と産業技術総合研究所は、発振波長420nmのGaN（窒化ガリウム）面発光レーザーにおいて、膜厚制御の精度を従来に比べ約一桁高めることにより、20％を超える電力変換効率（WPE）を実現した。

村田製作所は、LoRaWAN（Low Power Wide Area）と衛星通信（S-Band）に対応できる通信モジュール「Type 2GT」を開発、量産出荷を始めた。スマート農業や環境センシング、スマートホームなど各種IoT機器の用途に向ける。

神戸大学と国立中興大学（台湾）の研究グループは、受動部品の削減が可能で、高い昇圧能力と低ノイズを実現した「高効率直流電源」を開発した。燃料電池や環境発電、医療機器などで用いられる電源装置に適用していく。

東京理科大学とデンソーの研究グループは、全固体リチウムイオン電池向けに、高いイオン伝導度と安全性を示す「酸化物固体電解質」を発見した。

長瀬産業は、半導体ウエハーバンピングの受託加工製造を行うマレーシアの「PacTech Asia」に10億円を投資し、生産能力を約1.5倍に増強する。増設ラインは2024年4月以降に順次稼働の予定。スマートフォン向けパワー半導体などの需要増加に対応し、WLP（ウエハーレベルパッケージ）受託加工市場でのシェア拡大を狙う。

レゾナックは、AI半導体など高性能半導体に向けた絶縁接着フィルム「NCF」と放熱シート「TIM」を増産する。設備投資額は約150億円を予定しており、増産ラインは2024年以降にも順次稼働の予定。

千葉大学と高輝度光科学研究センターの研究チームは、燃料電池や水電解に用いられる白金（Pt）電極に対し、電解液中のイオンが表面の粗面化や溶出に影響を及ぼしていることを明らかにした。今回の成果は、白金の反応活性の向上や燃料電池の耐久性、コスト削減につながるとみられている。

物質・材料研究機構（NIMS）と米国Seagate Technology、東北大学の研究グループは、磁気記録媒体を3次元化すれば、ハードディスクドライブ（HDD）で多値記録ができることを実証した。10Tビット/in2を超える高密度磁気記録が可能となる。

NECとNTTは、外径寸法が0.125mmの12コア結合型マルチコアファイバーを用い、7000km以上の長距離伝送実験に成功した。大洋横断級光海底ケーブルを始め、大容量光ネットワークの実現に向けた基盤技術となる。

東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、マイコンを内蔵したゲートドライバーIC「SmartMCD」シリーズの第1弾として「TB9M003FG」の量産出荷を始めた。

東京大学とNTTの研究チームは、パイクリスタルや東京工業大学とともに、カーボン系材料のみで構成された「相補型集積回路」を開発した。金属元素を含まない材料で開発した電子回路が、室温大気下で安定に動作することも確認した。

STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。

大日本印刷（DNP）は、EUV（極端紫外線）リソグラフィに対応する、2nm世代のロジック半導体向けフォトマスク製造プロセスの開発を本格的に始めた。2025年度までに開発を終えて、2027年度には量産を始める予定。

東京理科大学は、複数の22nm CMOSチップを用いて、拡張可能な「全結合半導体イジングプロセッシングシステム」を開発した。2030年までには200万スピンという大規模化を目指す。

DICは、液晶材料事業について2024年12月末までに撤退することを決めた。同社が保有する関連の知的財産については、中国のSlichemへ譲渡することで合意した。

東京大学は、パワー半導体のゲート端子を駆動する電流波形を自動で制御するための機能を1チップに集積した「自動波形変化ゲート駆動ICチップ」を開発した。このICチップを用いると、パワー半導体のスイッチング損失を49％低減できることを確認した。

東京都立大学らの研究チームは、スズ−鉛（Sn-Pb）はんだを磁場中で冷却したところ、「磁石」と「超伝導」という2つの性質を持つことが分かったと発表した。さらに、はんだの超伝導転移温度である7.2K以下で、「不揮発性磁気熱スイッチング」の現象を確認した。

STマイクロエレクトロニクスは、最新のサイバーセキュリティ規格に対応した短距離無線通信向けワイヤレスSoC（System on Chip）「STM32WBA5シリーズ」を発表した。ウェアラブル機器やスマートホーム機器、ヘルスモニター、スマート生活家電などの用途に向ける。

東京都立大学らの研究チームは、遷移金属ジルコナイド超伝導体「CoZr2」に圧力をかけると、体積熱膨張率が「負」になることを見いだした。「正」の熱膨張材料と組み合わせれば、「ゼロ熱膨張」の超伝導材料を開発することが可能となる。

ルネサス エレクトロニクスは、スマートメーターや産業用センサー、計測機器などに必要となる周辺機能を搭載した32ビットマイコン「RAファミリー」として新たに「RA2A2」を発売した。

東北大学は、マグネシウム蓄電池（RMB）に向けて、岩塩型構造の新たな正極材料を開発した。90℃という低温でマグネシウム（Mg）の挿入や脱離ができることを実証した。

富士キメラ総研は、先端／注目半導体デバイスなどの世界市場を調査し、2029年までの予測を発表した。先端／注目半導体デバイス15品目の世界市場は、2023年見込みの40兆2187億円に対し、2029年は59兆7292億円規模に達すると予測した。

東レは、ハイブリッドボンディング（微細接合）に対応した絶縁樹脂材料を新たに開発した。今後、材料認定を受け2028年にも量産を始める予定。半導体高密度実装における収率と信頼性向上を目指す。

TOPPANは、シンガポールに高密度半導体パッケージ「FC-BGA」基板の生産拠点を新設する。新工場は2026年末に稼働予定。これによって、FC-BGA基板の製造は新潟工場との2拠点体制となり、生産能力の拡大とさらなる安定供給が可能となる。

STマイクロエレクトロニクスは、2次側同期整流コントローラーIC「SRK1004」シリーズを発表した。産業用電源やモバイル充電器、AC-DCアダプターなどの用途に向ける。