東芝とNECエレ、32nmシステムLSI開発で提携

東芝とNECエレクトロニクスは、45ナノメートル技術に引き続き、32ナノメートル技術を利用したシステムLSIを共同開発する。

[ITmedia]

　東芝とNECエレクトロニクスは11月27日、32ナノメートル（nm）プロセス技術を利用したシステムLSIの共同開発で提携すると発表した。両社は45nm技術での共同開発などを行っており、新たに32nm技術の開発でも提携する。

　提携では、45nm技術の共同開発を行っている東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）で、引き続き32nmの共同開発に着手する。今回開発するのは基幹プロセスの部分で、それ以外の付加プロセスや差異化プロセスについては、両社で協議した上で扱い方法を決定するという。

　また、32nm技術を利用した製品生産は、共同生産を視野に入れながら2008年中に方針を決定するという。45nm技術では2006年2月から共同開発を進めており、32nm技術でも開発コストの負担を両社で分担することで、投資効率の向上を図るとしている。