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「15nmプロセス」最新記事一覧

ET2016 レポート:
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。(2016/11/24)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

不揮発メモリの高容量化などが実現可能に:
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。(2016/9/13)

福田昭のデバイス通信(87):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(東京エレクトロン編)
今回は、7nm世代以降の半導体製造プロセスで使わざるを得なくなるだろう「自己整合(セルフアライン)的なリソグラフィ技術」に触れる。その候補は3つ。東京エレクトロンのBen Rathsack氏が、3つの候補技術の現状を紹介した。(2016/9/9)

PLEXTOR、NVMe対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを開始
リンクスインターナショナルは、PLEXTOR製となるNVMe接続対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを発表した。(2016/8/26)

粒子ブラスト法により、大気中で表面処理:
多層CNT成長法を開発、3次元物体表面も簡便に
産業技術総合研究所(産総研)の渡辺博道主任研究員らは、マイクロフェーズと共同で、金属や炭素材料からなる3次元物体の表面に、多層カーボンナノチューブ(CNT)を成長させる簡便な方法を開発した。(2016/7/7)

「2016 VLSI Symposia」プレビュー:
10nmプロセス以降に焦点、“微細化のその先”も
2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。(2016/3/30)

OCZ、15nm TLC NAND採用のスタンダードSSD「Trion 150」を発表
OCZストレージソリューションは、メインストリーム向けとなる2.5インチSATA SSD「OCZ Trion 150」シリーズを発表した。(2016/2/5)

64層3D NANDで売価下落に対抗へ:
東芝、赤字転落の半導体事業は自主再建
東芝の電子デバイス部門の2015年度(2016年3月期)業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。(2016/2/5)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(12):
可視光と赤外光の画像を同時に撮影
カンファレンス3日目に行われるセッション30では、オリンパスが、可視光と赤外光を同時に別々の画像として撮像するマルチバンド・イメージセンサーについて講演する。セッション31では、シリコン基板上にIII-V族化合物デバイスを作成する、次世代の電子デバイスや光デバイスについての発表が相次いで行われる。(2015/12/2)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(11):
生体に埋め込む脳血流量測定システム
今回はセッション27〜29を紹介する。セッション29では、生体組織分析デバイスや生体モニタリングデバイスに関する講演が行われる。Columbia Universityらの研究グループは、有機材料の発光ダイオードおよび光検出器を組み合わせた、脳血流量モニタリングシステムを発表する。同システムの厚みは、わずか5μmしかない。(2015/11/30)

フラッシュストレージの価格破壊に挑戦!:
サンディスクが単価1ドル/GB以下の「InfiniFlash」
サンディスク(SanDisk)は、エンタープライズ向けオールフラッシュストレージプラットフォーム「InfiniFlash」について、日本市場でも2015年11月中旬より供給を始める。3Uサイズの筐体で最大容量512TB(テラバイト)を可能にするとともに、ギガバイト単価を1米ドル以下にするなど低コストを実現した。(2015/10/27)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

SEMICON West 2015リポート(9):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(2)〜解像度と位置合わせ、生産性
今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性(スループット)だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。(2015/9/8)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?:
超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜
東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。(2015/7/31)

メモリ各社の製品から探る:
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ(平面)型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。(2015/6/23)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

東芝 THGBMHG7C2LBAIL/THGBMHG8C4LBAIRなど:
eMMC 5.1準拠の組み込みNANDメモリ――15nmプロセス採用で最大128GB容量
東芝は、eMMC Version 5.1に準拠した組み込み式NAND型フラッシュメモリを発表した。オプショナル機能として規定されたコマンドキューイング機能とセキュアライトプロテクション機能に対応している。(2015/4/2)

JEDEC eMMC Version 5.1準拠:
東芝、「コマンドキューイング」と「セキュアライトプロテクション」に対応したeMMC
東芝は、JEDEC eMMC Version 5.1規格に準拠したeMMC新モデルのサンプル出荷を開始。同規格のオプションとして規定されている「コマンドキューイング機能」と「セキュアライトプロテクション機能」に対応した。(2015/3/24)

プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
解像度10nm台の微細加工に対応可能、キヤノンのナノインプリント半導体製造装置
キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。(2015/2/25)

材料技術:
ダイヤモンドと窒化ホウ素の接合界面の原子構造を特定、新機能材料開発に道
東北大学 原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)の幾原雄一教授らは、ダイヤモンドと窒化ホウ素の接合界面における原子構造を特定することに成功した。今回の研究成果は、共有結合物質同士の接合を用いた新機能材料の研究開発につながるとみられている。(2015/2/20)

プロセス技術:
20nm対応ナノインプリント用テンプレートの年内量産を発表――大日本印刷
大日本印刷(以下、DNP)は2015年2月19日、20nmレベルの半導体製造プロセスに対応したナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)用のテンプレート(型)の生産体制を構築し2015年にも量産を開始すると発表した。(2015/2/19)

メモリ/ストレージ技術:
NANDフラッシュ、売価下落も市場規模は拡大――2014年10〜12月
DRAMeXchangeによると、2014年第四半期におけるNAND型フラッシュメモリの世界市場は、全体として好調だったようだ。ただし、価格の下落は続いている。今後、Samsung Electronics(サムスン電子)は3次元NANDフラッシュ、東芝は15nmプロセスへの移行を加速させると見られている。(2015/2/6)

ビジネスニュース 企業動向:
東芝とSKハイニックスがナノインプリントを共同開発、15nmプロセス以降に適用
東芝とSKハイニックスが、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術で共同開発を開始する。NILは、回路パターンが掘られた型(モールド)をシリコンウエハーに直接押し当てて転写するもので、より微細な加工ができると期待されている。今回の共同開発では、15nmプロセス以降の実現を目指すとしている。(2015/2/5)

プリンタブルエレクトロニクス2015:
インクにも柔軟性を、伸縮自在の銀ペースト
プリンテッドエレクトロニクスでは、回路を印刷するインクやペーストも重要になる。「プリンタブルエレクトロニクス2015」では、伸縮性がある銀ペーストや、20μmの線幅で回路を形成できる銀ナノ粒子インクなどが展示された。(2015/2/3)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

ビジネスニュース 業界動向:
2014年7〜9月のNANDフラッシュ市場シェア、東芝がサムスンとの差を縮める
2014年第3四半期のNAND型フラッシュメモリ市場は好調だ。前四半期比で最も成長したのは東芝で、売上高は23%増加している。一方、売上高でトップのSamsung Electronics(サムスン電子)は8%増で、シェアは3割を切った。(2014/11/20)

東芝、15nmプロセス採用の“世界最小級”組み込み式NANDフラッシュメモリを開発
東芝は、最新の15ナノメートルプロセスを採用したeMMC準拠のNANDフラッシュメモリを発表した。(2014/10/2)

メモリ/ストレージ技術:
11×10mmで64Gバイト! 東芝が「世界最小クラス」のNANDメモリを発表
東芝は2014年10月2日、15nmプロセスで製造したNAND型フラッシュメモリを用いた組み込み式NANDメモリチップを発表した。11×10mmのパッケージサイズで8G〜64Gバイトまで製品化する他、11.5×13mmサイズの128Gバイト品などもそろえる。(2014/10/2)

ビジネスニュース 企業動向:
東芝、NANDメモリの新製造棟が完成と同時に、3D NANDに向けた新棟建設に着工
東芝は2014年9月9日、NAND型フラッシュメモリを製造する四日市工場(三重県四日市市)の第5製造棟の第2期分完成を発表するとともに、3次元セル構造のNANDメモリ「3D NAND」の専用製造設備を導入する予定の新製造棟(新・第2製造棟)の起工式を行った。(2014/9/9)

ビジネスニュース 企業動向:
第1四半期で2年連続の増収増益、フラッシュメモリは売価が安定――東芝
東芝は、2014年度第1四半期(4〜6月)決算を発表した。電力・社会インフラ部門、コミュニティ・ソリューション部門などが好調に推移したこともあり、第1四半期としては2年連続の増収増益となった。映像事業は安定した黒字経営に向けて構造改革を継続する。(2014/8/1)

ビジネスニュース 企業動向:
東芝、電子デバイス事業で2016年度売上高2.2兆円へ――3D NANDは2014年度中にサンプル出荷へ
東芝は2014年5月22日、2014年度(2015年3月期)の経営方針説明会を開催し、2016年度までの事業別売上高目標などを明らかにした。その中で、半導体、HDDなどで構成する電子デバイス事業グループ売上高を、2013年度実績1兆6934億円から2016年度2兆2000億円まで引き上げるとした。(2014/5/22)

EE Times Japan Weekly Top10:
事業再編が加速する半導体業界
EE Times Japanで先週(2014年4月19日〜25日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/4/28)

世界初15nmプロセスのNANDフラッシュメモリ――東芝とSanDiskから
15nm(ナノメートル)プロセスによるNANDフラッシュメモリが登場。東芝は2014年4月末から、米SanDiskは同年後半から量産を開始する。(2014/4/23)

第1弾は2ビット/セルで128Gビット容量品:
東芝、15nmプロセス採用NANDメモリの量産を発表「世界初」
東芝は、15nmプロセスを用いた128Gビット容量のNAND型フラッシュメモリ(以下、NANDメモリ)を2014年4月末から量産すると発表した。15nmプロセスを採用したNANDメモリの量産は「世界初」(東芝)としている。(2014/4/23)

メモリ/ストレージ技術:
活気づくNANDメモリ市場、各社の1Xnm世代製品を振り返る
ストレージや組み込みシステムの分野において、NAND型フラッシュメモリの重要性が高まっている。東芝、サムスン電子、SK Hynix、Micronといったベンダーの、最新プロセスを用いた製品を振り返ってみたい。(2013/12/6)

技術革新を生み出す果てなき闘争:
ARM vs. Intel:プロセッサアーキテクチャの覇権はどちらの手に?(前編)
現在、ARMとIntelによる、電子機器に用いられるアプリケーションプロセッサのアーキテクチャの覇権を賭けた争いが激化している。ARM陣営が、Intelのx86アーキテクチャが圧倒的シェアを占めるサーバー機器/PC市場への参入を果たそうとしている一方で、Intelをはじめとするx86陣営も、ARMの縄張りとも言える携帯電話機/タブレット端末市場への攻勢を強めている。前編では、ARMアーキテクチャを推進するARMと、x86アーキテクチャを中核とした製品開発を続けてきたIntel、それぞれの取り組みについてまとめる。また、ARMのライセンシー企業であるNVIDIAが開発した「Tegra 2」について紹介する。(2011/9/27)

ビジネスニュース 資金調達:
インテルと組む新興FPGAベンダーのアクロニクス、新たに4500万米ドルの資金を調達
SRAMベースのFPGAを手掛ける新興ベンダーで、米国に本社を置くAchronix Semiconductor(アクロニクスセミコンダクター)は、シリーズCの第1回目の投資ラウンドにおいて4500万米ドルの資金を調達したと発表した。(2011/3/2)

Achronix Semiconductor 会長兼社長 John Lofton Holt氏:
FPGA市場に新たな歴史を刻む
FPGA市場では、1980年代から現在に至るまで、最大手2社のアルテラとザイリンクスが製造プロセスの微細化で先頭をいくという構図が続いてきた。それがついに崩れる。インテルと組んだ新興ベンダーが、微細化で2強に先行する。その先にはどんな展望が広がるのか。半導体ファウンドリとして製造能力を提供するインテルの狙いは。当事者に聞いた。(2010/12/6)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。