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「7nmプロセス」最新記事一覧

12nm CPUや7nm GPU含め:
AMD、GPU/CPUの新ロードマップを発表
AMDは「CES 2018」のプレスカンファレンスにおいて、CPUとGPUのロードマップを発表。12nmプロセスCPUと7nmプロセスGPUの計画の詳細を明らかにした。(2018/1/12)

CES 2018:
AMDが第2世代Ryzenを4月に投入 長期ロードマップも公開
CES 2018にあわせてAMDが「AMD Tech Day」を開催。2018年第1四半期に投入する製品群の概要を公開した。(2018/1/8)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(21):
半導体プロセスの先導役はPCからモバイルに、2017年は“真の転換点”だった
2017年は、プロセッサに適用する最先端製造プロセスの導入において、モバイルがPCを先行した。その意味で、2017年は半導体業界にとって“真の転換点”ともいえる年となりそうだ。今、PC向けとモバイル向けのプロセッサは、製造プロセスについて2つの異なる方向性が見えている。(2017/12/26)

データ転送速度は3600Mbps:
Samsung、10nmクラスの8Gb DDR4 DRAMを量産開始
Samsung Electronicsが、10nmクラスのプロセスを採用した第2世代の8GビットDDR4 DRAMの量産を開始したと発表した。(2017/12/25)

中国での売上高の伸びを受け:
TSMC、南京の16nmプロセス工場建設を前倒し
TSMCが中国での生産活動を加速する。中国 南京に工場を建設する計画を前倒しにする予定だ。(2017/12/13)

Intelの主張に対し:
「EyeQ5とXavierの比較が不適切」 NVIDIAが反論
「Intelが車載関連のイベントで示した、Intel『EyeQ5』と、NVIDIA『Xavier』の比較が不適切だ」――。NVIDIAから、EE Timesにこのような電話が入った。一体、どういうことなのだろうか。(2017/12/8)

WDが移行を発表:
関心高まるRISC-V、Armやx86の代替となり得るか
2017年11月28〜30日にかけて、米国シリコンバレーで「7th RISC-V Workshop」が開催された。オープンな命令セットアーキテクチャ「RISC-V」は、Arm系やx86系の命令セットの代替となり得る技術として確実に台頭してきている。(2017/12/5)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

TSMCの創立30周年記念式典で:
「半導体の可能性を強く信じる」 AppleのCOO
TSMCの創立30周年記念式典で、Apple COO(最高執行責任者)であるJeff Williams氏が、TSMCとのパートナーシップや、半導体業界の今後の10年などについて語った。同氏は、半導体の可能性を強く信じていると強調した。(2017/10/27)

TSMCの売上高でも10%を占める:
10nmプロセスチップの需要、iPhone Xなどで増大
TSMCによれば、10nmプロセスチップのニーズが増大しているという。TSMCにおいて10nmプロセスの売上高は確実に増加していて、2017年7月時点で同プロセスの売上高は全体の10%を占めるまでになっている。(2017/10/24)

Intelの10nm、GFの7nm:
最先端プロセスの最新論文が一堂に IEDM 2017
2017年11月に米国で開催される「IEDM」では、IntelやGLOBALFOUNDRIES(GF)が、それぞれの最先端プロセスの詳細を発表するようだ。その他、FinFETに代わる次世代トランジスタ技術に関する論文発表などが相次ぐ。(2017/10/20)

新たなビジネスモデルの構築へ:
車載分野に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIESが、新たな自動車プラットフォームである「AutoPro」を発表した。車載分野向けの技術提供に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIESは、ティア1や半導体メーカーではなく、自動車メーカーと直接パートナーシップを結ぶという、これまでになかったビジネスモデルを築こうとしている。(2017/10/17)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

数年前から大きく変化:
EUVの量産適用、半導体業界は前向きな見方
業界団体eBeam Initiativeの調査によると、EUV(極端紫外線)リソグラフィの実用化に対する業界の見方は、だいぶ前向きになっているようだ。(2017/9/14)

今後の半導体業界を見据え:
パッケージングとEDAの技術革新が必要 AMDのCTO
AMDは現在、7nmプロセスの実用化に向けて開発を加速している。同社の製品のうち、7nmプロセスを最初に適用するプロセッサは「Zen 2」「Zen 3」の予定だ。AMDのCTOを務めるMark Papermaster氏は、プロセスの微細化や、「ムーアの法則プラス」の時代では、パッケージング技術とEDAツールにおける技術革新が必要になると話す。(2017/7/26)

2017年4〜6月売上高の1%:
TSMCが10nmプロセスで売り上げを初めて計上
TSMCは、Samsung Electronicsに後れを取っている10nmプロセスで初の売り上げ計上が生じたと明らかにした。(2017/7/18)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(17):
微細化の先導役がPCからモバイルに交代――先端プロセスを使いこなすスマホメーカー
10nm世代の微細プロセス採用プロセッサを載せたスマートフォンが出そろってきた。これら最新スマートフォンの内部を観察すると、各スマートフォンメーカーが10nmプロセッサを使いこなすための工夫が垣間見えてきた。(2017/6/29)

EUV導入予定のプロセス:
MediaTek、7nmチップの製造先をTSMCに決定
MediaTekが、7nmチップの製造委託先としてTSMCを選んだ。具体的な製造計画は明らかにしていない。MediaTekは、「EUV(極端紫外線)リソグラフィを導入するTSMCの7nmプロセスは、競争力がある」としている。(2017/6/22)

Samsungには大きな損失:
Qualcomm、7nmチップ発注先をTSMCに切り替えか
韓国のET Newsによると、Qualcommは7nmのSnapdragon SoC(System on Chip)の発注先をTSMCに切り替える。この報道が正しければ、Samsungの2018年のファウンドリ事業は多大な痛手を被る。7nmのSnapdragon SoCは、2017年末か2018年早々に発表されることが予想される。(2017/6/19)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

「IRPS」で発表:
IBM、7nmプロセス向けの新しい絶縁材料を開発
IBMが7nmプロセス以降の技術に適用できる、新しい絶縁材料を開発したと発表した。SiBCNとSiOCNで構成され、動作電圧を向上させるとする。(2017/4/12)

でもIntelはムーアの法則は有効と主張
ムーアの法則が破綻しても性能向上が続く理由
CES 2017で、Intelはムーアの法則が今後も有効であるとあらためて主張した。しかし、ムーアの法則はやはり限界に近づいており、そもそもムーアの法則は性能を語る際の尺度としては意義を失いつつあるという。(2017/3/29)

Intelも加えた三つどもえ戦で:
Samsung、10nmプロセス技術開発でTSMCをリード
半導体分野のアナリストによると、10nmプロセスの開発では、Intel、Samsung Electronics、TSMCが三つどもえ戦を繰り広げているが、現在はSamsungが一歩先を行っているようだ。(2017/3/28)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

企業動向を振り返る 2017年2月版:
成長に自信を見せるルネサス、前途多難な東芝
東芝が解体へのカウントダウンを刻む中、一時は経営が危ぶまれたルネサスが好調な業績見込みを発表しています。(2017/3/23)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)

長く曲がりくねった道のり:
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。(2017/3/2)

EUVの導入も検討か:
Intel、アリゾナのFab 42に70億ドルを投資へ
Intelが、アリゾナ州に保有する製造工場「Fab 42」に70億米ドルを投資する予定であることを明らかにした。Intelは2014年1月に、Fab 42の稼働を延期することを発表したが、7nmプロセスの実現に向け、EUV(極端紫外線)露光装置の導入なども検討しつつ、同工場への投資を進めるとみられる。(2017/2/15)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

早ければ2022年にも生産開始:
TSMC、3nmチップの工場建設計画を発表
TSMCが5nmおよび3nmチップの製造工場を新たに建設する計画を発表した。大手ファウンドリー各社のプロセス開発競争は激化の一途をたどっている。(2016/12/15)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

「EyeQ」には7nm FinFETも活用:
次期MCUはFD-SOI、STトップ「シリコン回帰」強調
MEMS製品やARMマイコンに強みを持つSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)。同社のCEOであるCarlo Bozotti氏は、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)などが、他社との差異化技術になると強調する。(2016/11/22)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

福田昭のデバイス通信(95):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(後編)
前回に続き、5nm世代のロジック配線プロセスを展望したimecの講演を紹介する。後編となる今回は、微細化に対応して配線抵抗(R)と配線容量(C)を最適化する方法について解説する。(2016/10/24)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(94):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(前編)
imceによる、5nm世代のロジック配線プロセスを展望した講演を、前後編の2回にわたりお届けする。前半では、配線抵抗(R)、配線容量(C)、RC積という配線のパラメータの特徴を紹介する。さらに、10nm世代、7nm世代、5nm世代と微細化が進むと、配線抵抗(R)、配線容量(C)、RC積がどのように変化していくかを解説する。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

EE Times Japan Weekly Top10:
「世界初のICメーカー」が消えた日
EE Times Japanで2016年9月17〜23日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/9/24)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

EE Times Japan Weekly Top10:
やはり本当だったルネサスのIntersil買収
EE Times Japanで2016年9月10〜16日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/9/17)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。