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「7nmプロセス」最新記事一覧

4つの産業メガトレンドとSoC
「All programmable」を推進するザイリンクスが、「クラウドコンピューティング」「エンベッドビジョン」「IIoT」「5G」の4つの産業メガトレンドに対する同社の取り組みを紹介した。(2016/6/24)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(1):
わずかな微細化、見合わぬ労力
「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、半導体業界の将来に関する基調講演やインタビューが多数行われた。GLOBALFOUNDRIESのCTOを務めるGary Patton氏は、「2年ごとにコストを35%ずつ下げ、性能を20%ずつ上げることのできた時代は20nmプロセスで終わった」と述べる。(2016/6/8)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

設備投資は10nmプロセスと3D NANDに:
Intelの再編、メモリとIoTに舵を切る
最大で1万2000人の人員削減を行うと発表したばかりのIntel。現在、全製品を見直し、どのように構造改革を行っていくかを検討している段階だという。アナリストの中には、Intelの再編の動きを評価する声もある。(2016/4/25)

10nm/7nmプロセス開発は順調:
TSMCの2016年Q1、苦戦するも同年後半には回復か
世界最大手のファウンドリーであるTSMCだが、2016年2月に発生した地震の影響などもあり、苦戦しているようだ。ただし、10nm/7nmプロセスの開発は順調だとしている。(2016/4/18)

「POWER9」搭載サーバを開発中:
GoogleがIBM「POWER」サーバに移行へ
Googleは、同社の大規模なデータセンターのサーバを、Intelのx86からIBMの「POWER」に移行すべく、準備を進めているという。ARMサーバへの移行も想定されているが、可能性としては低いようだ。(2016/4/12)

EE Times Japan Weekly Top10:
ついに“ひと桁”、7nmプロセス開発へ加速
EE Times Japanで2016年3月19〜25日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/3/28)

サーバ市場での勢力拡大を狙い:
ARM、TSMCと7nm FinFET開発で協業
ARMとTSMCが、データセンサーやネットワークインフラ向けに、7nm FinFET開発で協業する。サーバ市場での勢力拡大に積極的なARMは、7nmプロセスの採用によるチップの高性能化を非常に重要視していると専門家は話す。(2016/3/22)

実用化に向け加速:
GLOBALFOUNDRIESと米大学、EUVに5億ドル投入
EUV(極端紫外線)リソグラフィー技術の実用化が加速する可能性がある。GLOBALFOUNDRIESと米国ニューヨーク州立大学が、5億米ドルを投じて新しい研究開発センターを設立し、EUV装置の導入を進めていくという。(2016/2/12)

7nmプロセスでの実用化は可能なのか:
着実に進歩するEUV、課題は光源
EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。(2016/1/28)

IBMが語る、ウェアラブル向け最先端技術:
人間の脳が握る、デバイス低消費電力化の鍵
ウェアラブル機器に欠かせない要件の1つに、低消費電力がある。「第2回 ウェアラブルEXPO」のセミナーに登壇した日本IBMは、超低消費電力のコンピュータとして、人間の”脳”を挙げ、IBMが開発中の「超低消費電力脳型デバイス」について語った。(2016/1/20)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

電子ブックレット:
有機材料が“ムーアの法則”を延命する
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ドイツのドレスデン工科大学が開発を加速させている、有機材料を用いたデバイスを紹介します。(2015/11/29)

競合に比べてやや失速気味:
UMCが28nmプロセス強化を見送り、稼働率も低下
TSMCやSamsung Electronicsに比べ、UMCがやや失速している。需要の低下により、28nmプロセスの強化を見送るという。開発中の14nm FinFETの量産開始時期も、遅れる可能性がある。(2015/10/30)

ドレスデン工科大が取り組み加速:
有機材料が“ムーアの法則”を延命する
ドイツのドレスデン工科大学が、有機材料を用いたデバイスの開発を加速させている。同大学の教授は、「ムーアの法則が7nmプロセスに達する頃には、有機半導体が、情報時代の原油になるだろう」と近い将来、有機材料によるデバイスが主流になるとみている。(2015/10/15)

EE Times Japan Weekly Top10:
ARMをうならせた中国の無名企業
EE Times Japanで2015年8月29〜9月4日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/9/5)

Intelは今、何を考えているのか:
3D XPointから7nmプロセスまで――Intel CEOに聞く
2015年8月18〜20日に開催された「IDF(Intel Developer Forum) 2015」において、Intel CEOのBrian Krzanich氏にインタビューする機会を得た。新メモリ技術として注目を集めた「3D XPoint」からAltera買収まで、率直に話を聞いてみた。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(6):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(3)〜EUV露光装置の開発史
今回は、EUV(極端紫外線)露光装置の開発の歴史を振り返ってみたい。ASMLが顧客向けに初めてEUV露光装置を出荷したのは2006年のことである。その後の約10年で、光源の出力やスループットはどのくらい向上しているのだろうか。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

SEMICON West 2015リポート(4):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(1)〜ArF液浸の限界
今回は、コストとパターン形成の2点について、ArF液浸とEUV(極端紫外線)リソグラフィを比べてみよう。ArF液浸では、10nm世代になるとステップ数と重ね合わせ回数が破壊的な数値に達してしまう。これがコストの大幅な上昇を招く。さらに、ArF液浸とEUVでは、10nm世代の配線パターンにも大きな差が出てくる。(2015/8/24)

SEMICON West 2015リポート(2):
ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術(前編)
本稿では、リソグラフィ技術の将来を14nm世代から5nm世代まで展望するシンポジウムにおける、ニコンの講演内容を紹介する。同社は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合、2つの大きな課題があると指摘した。「EPE(Edge Placement Error)」と「コストの急増」だ。(2015/8/11)

電子ブックレット:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IBM Researchが開発したEUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用する7nmプロセス試作チップを紹介する。(2015/8/9)

EUVとSiGeチャネルで:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
IBM Researchが、EUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。(2015/7/13)

福田昭のデバイス通信(29):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(18)〜壁に突き当たるリソグラフィ技術
プロセスルールの微細化において最も困難な課題は、リソグラフィ技術にある。7nm世代の半導体を量産するためのリソグラフィ技術は、いまだに確定していない。現在のところ、解決策としては、従来のArF液浸リソグラフィ技術の改善か、EUV(極端紫外光)リソグラフィ技術の開発が挙げられている。(2015/6/9)

ビジネスニュース オピニオン:
さらなる大型買収劇はあり得るのか?――IntelとQualcommの統合の可能性を検証
半導体業界の再編が加速している。2015年だけで、既に複数の大型買収案件が報じられた。この動きはまだ続く可能性が高い。6月1日にAlteraの買収を発表したIntelだが、これ以上の大型買収劇はあり得るだろうか。例えば、Qualcommとの統合の可能性を検証してみたい。(2015/6/5)

福田昭のデバイス通信(28):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(17)〜次々世代の配線技術と回路技術
今回は、金属配線の微細化に伴う課題を取り上げる。信号の周波数当たりの配線長や、エレクトロマイグレーションといった問題があるが、これらを根本的に解決する策として期待がかかるのが、配線材料の変更や印刷エレクトロニクスの実用化である。(2015/6/4)

ビジネスニュース 企業動向:
ザイリンクス、2017年に7nm FPGAを投入へ――TSMCでの生産継続
ザイリンクスは2015年5月29日、2017年にTSMCの7nmプロセス技術を使ったFPGA製品を投入すると発表した。(2015/5/29)

福田昭のデバイス通信(25):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(14)〜次々世代の異次元トランジスタ
今回は、トランジスタ密度をFinFETに比べて、より高められる素子の構造について触れる。代表的なものが、円筒状のチャンネルをウエハー表面と平行に配置する「ホリゾンタルナノワイヤ(HNW)」と、垂直に配置する「バーチカルナノワイヤ(VNW)」である。(2015/5/26)

福田昭のデバイス通信(24):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(13)〜高移動度FinFETの期待と現実
FinFETの“延命策”として、チャンネルの材料をシリコンからゲルマニウム(Ge)やインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)などに変更する方法がある。だが、ARMの講演では、この“延命策”に悲観的だった。今回は、Ge FETなどが抱える問題と、その打開策について紹介する。(2015/5/20)

福田昭のデバイス通信(23):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(12)〜トランジスタ構造の展望
今回は、トランジスタ構造の展望を、2つの軸に沿って見ていこう。1つ目はプレーナFETからFinFETへの移行、2つ目は14nm世代から5nm世代にかけてのトランジスタ仕様である。FinFETの登場は、プレーナFETにはなかった新たな課題をもたらしている。(2015/5/18)

ビジネスニュース 業界動向:
ASMLがEUV装置を15台受注、納品先はIntel?
ASMLが、EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を15台、“米国顧客企業の1社”に納入すると発表し、業界の観測筋の間でさまざまな臆測を呼んでいる。複数の情報筋が、この顧客企業がIntelではないかという見方を示している。(2015/4/30)

福田昭のデバイス通信(22):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(11)〜回路の遅延時間を変動させるさまざまな要因
今回は、回路の遅延時間を左右する要因について紹介する。例えば、コンタクト抵抗、しきい電圧、電源電圧、温度などがある。しきい電圧と温度、電源電圧と温度が遅延時間に与える影響はかなり複雑だが、その対処法として、DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling)技術が挙げられる。(2015/4/30)

プロセス技術:
Intelの10nmチップ、鍵はIII-V族半導体と量子井戸構造か
Intelは10年近くにわたり、量子井戸電界効果トランジスタ(QWFET)の研究を進めてきた。ある半導体アナリストは、Intelの10nmチップは、III-V族半導体、具体的にはInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)とGe(ゲルマニウム)を用いたQWFETになると予測している。(2015/4/28)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

半導体技術 進化の源:
ムーアの法則、50年をたどる
1965年、IntelのGordon Moore(ゴードン・ムーア)氏が雑誌に掲載したトランジスタに関する予見は、「ムーアの法則」として半導体技術の発展の大きな原動力となった。ムーアの法則によってトランジスタがどれほど進化してきたのか。50年を振り返ってみる。(2015/4/24)

2015 VLSIシンポジウム概要:
14nm SoCや新規メモリなどの研究成果を発表へ――日本の採択論文数は米国に次ぐ計27件
2015年6月に開催される国際学会「VLSI Technologyシンポジウム」と「VLSI Circuitsシンポジウム」の概要が明らかになった。IoT(モノのインターネット)社会の実現に向けたLSIのデバイス技術と回路技術などに関して、最先端の研究成果が披露される予定である。(2015/4/22)

福田昭のデバイス通信(21):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(10)〜PVTコーナーの増加がタイミング解析を難しくする
回路の動作周波数などを左右する大きな要因は「PVT」、つまりプロセス(P)、電源電圧(V)、温度(接合温度T)である。動作周波数の代表値や最高値、最低値は、PVTコーナーの数によって決まる。この数は、微細化とともに急増する傾向にあり、タイミング解析がより難しくなっている。(2015/4/21)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMC、16nmプロセスへの移行を加速――設備投資額は10億ドル削減
TSMCは、2015年の設備投資額を10億米ドル削減すると発表した。資本効率を上げて16nmプロセスへの移行を急ぐ。20nmチップの生産量を減らして、16nmチップの生産量を増加する計画だ。また、7nmのリスク生産は、2017年前半に予定されている。(2015/4/20)

福田昭のデバイス通信(13):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(2)
前回、設計技術者とデバイス技術者の間には距離があることを説明した。CPUの設計者がデバイス技術者にする質問は常に同じだが、それに対するデバイス技術者の答えにはズレがあるのだ。今回は、そのズレについて説明したい。(2015/3/20)

EE Times Japan Weekly Top10:
10nmプロセスでインテルに追い付きたいTSMC
EE Times Japanで先週(2015年2月21〜27日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/3/3)

ISSCC 2015:
インテル、14nm SRAMの実現へ
Intelは、「ISSCC 2015」において14nmプロセスのSRAMについて論文を発表する予定だ。同社のシニアフェローはムーアの法則についても言及し、「ムーアの法則は10nm以降も継続する。EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術を採用せずに7nmプロセス技術を実現できれば、トランジスタ当たりのコストを削減できる」と述べている。(2015/2/26)

EE Times Japan Weekly Top10:
裏表なし、USBではType-Cにも要注目
EE Times Japanで先週(2015年2月7〜13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/2/16)

2015年の半導体業界予測(3):
半導体メーカーの設備投資――TSMCが最大か
2015年の専業ファウンドリ業界では2桁成長が見込まれるが、一方で設備投資は減少すると見られている。設備投資の金額は、TSMCが最大になりそうだ。(2015/2/5)

IEDM 2014:
「微細化は今後10年続く」――インテルの見解
米国で開催された「IEDM(International Electron Devices Meeting)2014」。Intelの14nm FinFETプロセスやTSMCの16nm FinFETなどの開発状況をはじめ、多くの論文が発表された。IEDM 2014のリポートを数回にわたってお届けする。(2014/12/24)

EE Times Japan Weekly Top10:
日本半導体業界の“隠し玉”企業
EE Times Japanで先週(2014年12月6日〜12日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/12/15)

プロセス技術:
ムーアの法則をできる限り進める――TSMCが7nmプロセス向けにEUV装置を発注
TSMCが、ASMLにEUV(極端紫外線)露光装置2台を発注していたことが明らかになった。TSMCは、EUVリソグラフィによって7nmプロセスの実現を目指すとみられている。2015年末には7nmプロセスを適用したチップのリスク生産が開始される可能性がある。(2014/12/10)

プロセス技術 EUV:
IBMのEUV試験結果に疑問の声、インテルは「EUVなしで7nm実現を模索」
IBMが2014年7月に発表した、EUV(極端紫外線)リソグラフィスキャナーに関する最新テストの結果を、いぶかしむ業界関係者が少なくない。今回のIBMのテスト結果は、EUVの実用化に向けてどのような意味を持つのだろうか。(2014/8/6)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。