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「ASML」最新記事一覧

ASMLが「SEMICON West」でデモ:
EUVが実現間近か、250Wの光源を達成
ASMLが、「SEMICON West 2017」で、250WのEUV(極端紫外線)光源を用いたデモを披露した。EUVリソグラフィ用を商用化するには、250Wの光源が1つのマイルストーンとされているため、実際の量産ラインでの実用化は間近かもしれないという期待が膨らむ。(2017/7/20)

企業動向を振り返る 2017年5月版:
「iPhone10周年」を控える中、足元にくすぶる火種
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届けする「企業動向を振り返る」。5月は各社より決算が発表されましたが、明暗は分かれたようです。iPhoneを巡る、AppleとQualcommの訴訟は「10周年モデル」の登場前に解決するのでしょうか。(2017/6/23)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

2001年に続き2度目:
ニコンとASML、半導体露光装置で特許係争
ニコンは2017年4月24日、半導体露光技術に関して特許の侵害があるとして、ASMLと、ASMLのサプライヤーであるCarl Zeissを提訴した。この発表の直後となる4月28日(オランダ時間)、ASMLは特許侵害を強く否定し、ニコンに対して対抗訴訟を起こすと発表した。(2017/5/2)

ArF液浸:
ニコンがASMLなど提訴 露光装置の特許侵害主張
ニコンがASMLとツァイスに半導体露光装置の特許を侵害されたとして日独蘭で提訴。(2017/4/25)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)

長く曲がりくねった道のり:
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。(2017/3/2)

電子ブックレット:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)に関わる展望について紹介します。(2016/12/12)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

2024年量産開始を目指して:
ASML、次世代EUV装置に19億米ドルを投資
半導体製造装置メーカーのASMLは、2017年出荷予定の第1世代EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の後継となる次世代EUV装置の開発計画を明らかにした。2024年ごろの量産を目指し、約19億米ドルの投資を行うという。(2016/11/10)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

福田昭のデバイス通信(88):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ASML編)
「SEMICON West 2016」で行われた次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムから、各露光装置メーカーの講演内容を紹介してきた。今回は、半導体露光装置最大手であるASMLのEUV(極端紫外線)リソグラフィ開発状況を中心に紹介する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(85):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その2)
KrFスキャナーの次に登場したのがArFスキャナーである。ArFスキャナーは90nm世代の量産から使われ始めた。さらに、ArFスキャナーの製品化と並行して「ポストArF」の開発が活発化する。ポストArFとして、F2エキシマレーザーあるいは軟X線を光源とする露光技術の開発が進んだが、そこに、もう1つの候補として急浮上したのがArF「液浸」スキャナーである。(2016/8/30)

福田昭のデバイス通信(84):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その1)
今回は、半導体露光技術の歴史の完結編(その1)をお届けする。1996年ごろに本格的に導入され始めたKrFステッパーだが、既に2つの課題が浮上していた。光学系の開口数(N.A.)の向上の限界と、シリコンダイが大きくなり過ぎていたことだ。これらを解決する手段として登場したのが「スキャナー」である。(2016/8/23)

EE Times Japan Weekly Top10:
「TV事業に固執する日本メーカー」に多くの同意
EE Times Japanで2016年8月5〜12日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/13)

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

Applied Materialsが首位を維持:
半導体製造装置メーカー売上高ランキング――2015年
Gartnerの発表によると、2015年における前工程用半導体装置の売上高は336億米ドルで、前年比1%減だった。売上高上位10社でトップに立ったのは2014年に引き続き、Applied Materialsで、前年比24.7%増と大きく売り上げを伸ばしたLam Researchが2位に続いた。(2016/4/13)

実用化に向け加速:
GLOBALFOUNDRIESと米大学、EUVに5億ドル投入
EUV(極端紫外線)リソグラフィー技術の実用化が加速する可能性がある。GLOBALFOUNDRIESと米国ニューヨーク州立大学が、5億米ドルを投じて新しい研究開発センターを設立し、EUV装置の導入を進めていくという。(2016/2/12)

7nmプロセスでの実用化は可能なのか:
着実に進歩するEUV、課題は光源
EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。(2016/1/28)

Samsungのビルのすぐ隣に……:
Apple、Maximの半導体工場を22億円で購入
Appleが、Maxim Integratedが米国カリフォルニア州サンノゼに保有する工場を、1820万米ドル(約22億円)で購入したという。(2015/12/17)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

EE Times Japan Weekly Top10:
ARMをうならせた中国の無名企業
EE Times Japanで2015年8月29〜9月4日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/9/5)

SEMICON West 2015リポート(7):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(4)〜次期主力機「NXE:3350B」の概要
今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)露光装置の開発ロードマップを紹介する。次期主力機「NXE:3350B」は、16nmの解像を目標に開発が進んでいるという。「NXE:33x0」シリーズとしては、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるなど、強気な目標を立てている。(2015/9/1)

EE Times Japan Weekly Top10:
ASMLが解説するEUVリソグラフィ
EE Times Japanで2015年8月22〜28日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/29)

Intelは今、何を考えているのか:
3D XPointから7nmプロセスまで――Intel CEOに聞く
2015年8月18〜20日に開催された「IDF(Intel Developer Forum) 2015」において、Intel CEOのBrian Krzanich氏にインタビューする機会を得た。新メモリ技術として注目を集めた「3D XPoint」からAltera買収まで、率直に話を聞いてみた。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(6):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(3)〜EUV露光装置の開発史
今回は、EUV(極端紫外線)露光装置の開発の歴史を振り返ってみたい。ASMLが顧客向けに初めてEUV露光装置を出荷したのは2006年のことである。その後の約10年で、光源の出力やスループットはどのくらい向上しているのだろうか。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

SEMICON West 2015リポート(4):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(1)〜ArF液浸の限界
今回は、コストとパターン形成の2点について、ArF液浸とEUV(極端紫外線)リソグラフィを比べてみよう。ArF液浸では、10nm世代になるとステップ数と重ね合わせ回数が破壊的な数値に達してしまう。これがコストの大幅な上昇を招く。さらに、ArF液浸とEUVでは、10nm世代の配線パターンにも大きな差が出てくる。(2015/8/24)

業界動向:
FD-SOIの利用加速へ、欧州で専門プロジェクトが発足
CEA-Letiとそのパートナー各社が、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)を使ったデバイスの開発を加速するためのプロジェクト「Silicon Impulse」をスタートする。FD-SOIの開発メーカーは、アーキテクチャレベルからシステム実装まで、幅広い範囲にわたり専門家からアドバイスや提案を受けられる予定だ。(2015/6/12)

EE Times Japan Weekly Top10:
スマホ市場でAppleを引き離したサムスン
EE Times Japanで2015年5月2〜8日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/5/11)

ビジネスニュース 業界動向:
ASMLがEUV装置を15台受注、納品先はIntel?
ASMLが、EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を15台、“米国顧客企業の1社”に納入すると発表し、業界の観測筋の間でさまざまな臆測を呼んでいる。複数の情報筋が、この顧客企業がIntelではないかという見方を示している。(2015/4/30)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMC、16nmプロセスへの移行を加速――設備投資額は10億ドル削減
TSMCは、2015年の設備投資額を10億米ドル削減すると発表した。資本効率を上げて16nmプロセスへの移行を急ぐ。20nmチップの生産量を減らして、16nmチップの生産量を増加する計画だ。また、7nmのリスク生産は、2017年前半に予定されている。(2015/4/20)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMC、10nmプロセスではインテルとの技術差なくなる
TSMCは、10nmプロセスを適用したチップの製造を2017年に開始する。同社は「インテルの10nmチップと同等レベルの性能を実現できると見ている。10nmプロセスで、インテルとの技術的なギャップを埋められるだろう」と述べている。(2015/2/26)

EE Times Japan Weekly Top10:
裏表なし、USBではType-Cにも要注目
EE Times Japanで先週(2015年2月7〜13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/2/16)

プロセス技術:
ムーアの法則をできる限り進める――TSMCが7nmプロセス向けにEUV装置を発注
TSMCが、ASMLにEUV(極端紫外線)露光装置2台を発注していたことが明らかになった。TSMCは、EUVリソグラフィによって7nmプロセスの実現を目指すとみられている。2015年末には7nmプロセスを適用したチップのリスク生産が開始される可能性がある。(2014/12/10)

Apple「iPad」向け「A8X」を受注したから!?:
TSMCが設備投資額を100億ドルに拡大、16nm FinFET量産準備で
TSMCは、16nm FinFETプロセスチップの実用化に向け、2015年の設備投資を100億米ドル以上に増額する予定だという。2016年には10nmプロセスの実用化も予定している。(2014/10/21)

津田建二の技術解説コラム【海外編】:
PR:知ってるつもりの外国事情(4)――業界用語の常識を海外と比較する
日本の常識は世界の非常識といわれることがよくあります。日本では当たり前のことが海外では全然違うことを指しています。ここでは、いくつかの言葉について、日本と海外との違いを考えてみたいと思います。オープンイノベーション、標準化(standardization)、グローバル化を採り上げてみます。(2014/9/8)

視点:
動くイノベーションを捉える
コンセプト主導型の製品開発以外でも、その場所を移動しながら発生するイノベーション。素材・部品から最終製品メーカーまで、企業がどのようにそれを捉え自分のモノにするべきかを考察する。(2014/8/19)

製造マネジメントニュース:
ダッソー、業務計画策定・最適化支援のQuintiqを買収――物流部門の管理
オペレーション・プランニング・ソフトウェアを提供するQuintiqを買収したことで、ダッソー・システムズの3Dプラットフォームのカバー範囲は、ビジネス・オペレーション・プランニングまで拡大した。(2014/8/13)

プロセス技術 EUV:
IBMのEUV試験結果に疑問の声、インテルは「EUVなしで7nm実現を模索」
IBMが2014年7月に発表した、EUV(極端紫外線)リソグラフィスキャナーに関する最新テストの結果を、いぶかしむ業界関係者が少なくない。今回のIBMのテスト結果は、EUVの実用化に向けてどのような意味を持つのだろうか。(2014/8/6)

プロセス技術 EUV:
IBMがEUVのスループットで記録更新、1日637ウエハー
IBMは2014年7月、ASML製の最新のEUV(極端紫外線)リソグラフィシステムの試験初日に「予想以上の結果を得た」と発表した。スキャナー「NXE3300B」に44Wの光源を用いて、安定した速度(34ウエハー/時)を保って、24時間で637枚のウエハーを作り出したという。(2014/8/5)

課題は山積だが、着実に前進:
10nmプロセスの実現に光、EUVリソグラフィ技術に進展
最新のEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の予備試験で、40Wの光源を用いて1日当たりウエハー100枚を処理することに成功した。リソグラフィ技術は、EUVでも液浸でも課題は山積している。だが、今回の試験結果は、EUV技術では大きな進展だといえる。(2014/6/10)

津田建二の技術解説コラム【歴史編】:
PR:半導体の温故知新(3)――ムーアの法則は今後も続くが、その要求は弱まる
「半導体集積回路に搭載されるトランジスタの数は毎年2倍で増えていく」。これが1965年に当時米フェアチャイルド・セミコンダクターにいたゴードン・ムーア博士が提案した、社会現象の「法則」です。のちにムーアの法則と呼ばれるようになった原型です。これが変質していく様子を見てみましょう。今の半導体技術の曲がり角に来ていることとムーアの法則は深く関係しているからです。(2014/5/12)

ビジネスニュース オピニオン:
ムーアの法則、28nmが“最後のノード”となる可能性も
ムーアの法則というのは、そもそも「部品コストを最小限に抑えるための複雑さ」を示すものだ。その観点で考えると、実質的には28nmが“最後のノード”になる可能性がある。(2014/3/24)

EE Times Japan Weekly Top10:
周波数の“拝借”、3Dグラフェン、厚さ1mmのスピーカ……目新しい技術が続々
EE Times Japanで先週(2013年8月25日〜8月31日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2013/9/7)

ビジネスニュース 事業買収:
半導体業界における2013年の買収事例
2013年以降、半導体業界ではいくつかの大きな買収が完了した。最もインパクトの強い事例の1つはMicron Technologyによるエルピーダメモリの買収だろう。今回は、エルピーダを含め、2013年7月までに買収が完了あるいは発表された事例を紹介する。(2013/8/22)

ビジネスニュース 業界動向:
欧州で450mmウエハーへの移行プロジェクトが発足、Intelも参加
課題が多い450mmウエハーであるが、半導体業界が450mmウエハーへの移行に注力しているのは確かである。欧州において、450mmウエハーの導入を目指す新たなプロジェクトが発足し、IntelやASML、Applied Materials Israelなどが参加する。(2013/4/2)

EE Times Japan Weekly Top10:
ディスプレイ分野に押し寄せる高精細化の波
EE Times Japanで先週(2012年12月16日〜22日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/12/25)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。