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「DRAM」最新記事一覧

Dynamic Random Access Memory

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

ET2016 レポート:
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。(2016/11/24)

IC Insightsが上方修正:
2016年の半導体市場、DRAMの回復で成長の見通し
IC Insightsによると、半導体IC市場はDRAMが回復基調にあることを受け、2016〜2017年にかけて、それぞれ1%、4%の売り上げ成長率を達成するという。(2016/10/25)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

Computer Weekly:
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/3)

メモリ市場の苦境を受け:
Micron、人員削減に踏み切る
Micron Technologyが人員削減を行うことを明らかにした。DRAMの価格が19カ月連続で減少するなど、メモリ市場で苦しい状態が続いていることが主な要因だ。(2016/7/6)

LLDRAM-IIIとFPGAなどで構成:
ルネサス、100Gb向けのパケットヘッダ検索を発表
ルネサス エレクトロニクスは2016年6月、100Gビットトラフィック級の通信機器向けに、パケットヘッダ検索レファレンスデザインの提供を開始した。汎用DRAMメモリで構成した場合と比較して、メモリデバイス数を15分の1、メモリの消費電力を60%削減可能という。(2016/7/4)

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの将来(2):
クルマの厳しい要求仕様に応えるDRAMとフラッシュメモリ
今回は、自動車のエレクトロニクスシステム、具体的には、ADAS(先進運転支援システム)およびクラスタ・ダッシュボード、車載インフォテインメントで使われるメモリを解説する。さらに、これらのメモリの5年後のロードマップも見ていこう。(2016/7/4)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

元エルピーダ社長の動きにも注目:
“メモリ大国”を目指す中国(後編)
メモリ技術の開発に積極的な中国だが、話はそれほど簡単ではない。中国では、元エルピーダメモリ社長の坂本幸雄氏がDRAMメーカーを立ち上げるなど、注目に値する動きも出てきている。(2016/4/19)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

DRAMの価格下落で:
Micron、2016Q2は売上高が30%減に
メモリに対する強い価格圧力は続いているようだ。Micron Technologyの2016年度第2四半期における売上高は、前年同期比で30%減少した。ただし、Micronは、長期的な視野で見ると、DRAM業界には健全性が戻ってくるとしている。(2016/4/8)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(12):
DDR4とHBMの長所と短所
今回は、HBM(High Bandwidth Memory)とDDR4 DRAMを、データ転送速度やパッケージングなどの点から比較してみる。後半は、埋め込みDRAM(eDRAM)の説明に入る。ARM ReserchのRob Aitken氏は、eDRAMが「ニッチな市場にとどまる」と予想しているが、それはなぜだろうか。(2016/3/29)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(11):
超高速DRAM技術「HBM」の基礎
今回は、「3次元(3D)技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではない」という事実とともに、3D技術を用いた超高速DRAM「HBM」とはどのようなDRAMなのかを紹介していく。(2016/3/25)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(10):
DRAMについて知っておくべき、4つのこと
今回は、DRAMで知っておくべき4つの事実を紹介する。「DRAMの事業規模は巨大であること」「DRAMの性能は常に不足していること」「DRAM開発は傾斜が急になり続ける坂道を登っているようなものであること」「3次元技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではないこと」の4つだ。(2016/3/23)

「“CMOSセンサーはカメラ用”は古い」高速CMOSセンサーが実現する新知能システム
「“CMOSセンサーはカメラ用”は古い」「DRAMの二の舞は避けねばならない」――高速CMOSセンサーを用いた画像処理の用途拡大を目指す「WINDSネットワーク」の副会長を務める石川教授は「日本の強み」を発揮することで世界をリードすると意気込む。(2016/2/25)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(6):
超高密度のSRAM技術と超広帯域のDRAM技術
セッション17とセッション18のテーマはメモリだ。セッション17では、Samsung Electronicsが、10nmのFinFETを用いた高密度SRAMの開発成果を披露する。メモリセルの面積が0.04μm2と、過去最小のSRAMセルを実現している。(2016/1/7)

バンプレスTSV技術と併用で配線長1/10も可能に:
メモリの薄化限界は4μm! 2μm台で劣化を確認
東京工業大学とWOWアライアンスは2015年12月15日、300mmシリコンウエハーの厚さを2μmにすることで、DRAMの特性が劣化することを確認し、シリコンウエハーの薄化は4μm程度が実用的であるとの研究成果を発表した。(2015/12/16)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(10):
着実な進展を見せるMRAM技術
今回から、カンファレンス最終日のセッションを紹介する。セッション26は、「MRAM、DRAMとSRAM」をテーマに講演が進んでいく。MRAMについては計4件の論文発表があり、例えばQualcomm Technologiesらは、40nmルールのCMOSロジックに埋め込むことを想定したSTT-MRAM技術を報告する。(2015/11/27)

メモリ帯域幅を従来比10倍以上に拡大:
HBM 2対応メモリを統合、アルテラのFPGA
アルテラは、同社のハイエンドFPGA製品とSK Hynix製3D積層メモリチップを統合したヘテロジニアスSiP(System in Package)デバイス「Stratix 10 DRAM SiP」を発表した。DRAMを外付けしていた場合に比べ、メモリ帯域幅は最低10倍となる。(2015/11/11)

FPGA:
アルテラ「Stratix 10」にHBM2 DRAM統合製品、メモリ帯域幅10倍に
米Alteraが同社SoC FPGA「Stratix 10 FPGA & SoC 」にSK Hynixの広帯域メモリを統合した「ヘテロジニアス SiP (System-in-Package)デバイス」を発表した。このメモリ統合型Stratix 10は2017年に出荷される。(2015/11/10)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

Samsungだけで全体の57.6%に:
モバイル向けDRAM、韓国勢のシェアが8割超え
DRAMeXchangeは、2015年第2四半期(4〜6月)におけるモバイル向けDRAMの世界市場が前期比7.7%増の38億5100万米ドルに達したと発表した。中でも、Samsung Electronicsは前期比19.1%増の22億1900万米ドルと大きく成長し、韓国勢のシェアは80%を超える形となった。(2015/8/25)

「NANDよりも1000倍高速」:
IntelとMicronの新不揮発メモリ「3D XPoint」
IntelとMicron Technologyが、不揮発メモリ「3D XPoint(クロスポイント)」を発表した。NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8〜10倍、記憶密度が高いという。両社は、25年ぶりに新しい不揮発メモリのカテゴリを作り出したとしている。(2015/7/29)

PR:無償試用の拡大化と超高速共有フラッシュ装置が象徴する、EMCの「次の世界」への本気度
EMCは、2015年5月の「EMC World 2015」で、スケールアウトストレージソフトウエア「EMC ScaleIO」の無償試用の拡大を発表。一方でフラッシュをDRAMの延長として使える外部装置「DSSD」を2015年中に提供開始すると明らかにした。これらは、一般企業のITの、新しい世界への無理ない移行を象徴している。(2015/7/22)

CMOSセンサー:
DRAM一体型センサーで960fpsの超スロー撮影実現、ソニーが製品化
ソニーが「デジタルカメラとしては初めて」(同社)、メモリ一体型積層型CMOSイメージセンサーを搭載したデジカメを発売する。実現した超高速読みだしによって、960fpsの超スロー撮影などが可能だ。(2015/6/26)

ビジネスニュース 業界動向:
“次世代メモリ”の域を出ないFRAM、量産規模を上げて低価格化を
SRAMやDRAM、EEPROMを置き換えるとして大いに期待されていたFRAMは、量産こそ始っているものの、完全に普及しているとはいえず、いまだに“次世代メモリ”の域を出ない。だが、一定のニーズはある。(2015/5/21)

「新カテゴリのフラッシュ製品」:
DRAMの延長として使えるフラッシュ装置、DSSDの実機がデビュー
米EMCは2015年5月6日(米国時間)、ラスベガスで開催中の「EMC World 2015」で、同社が開発中のフラッシュ装置「DSSD」の実機を公開。新カテゴリの製品であることをアピールした。(2015/5/7)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

ビジネスニュース 市場予測:
モバイル向けDRAMは堅調、タブレット端末がけん引役に
モバイル機器向けのDRAMは、特にタブレット端末がけん引役となり、堅調に成長するとみられている。タブレット向けDRAMは、2015〜2018年は年平均成長率10.64%で伸びる見込みだという。(2015/1/16)

「Oracle ZFS Storage ZS4-4」提供開始:
オラクルが示す、クラウド/ビッグデータ時代の階層化ストレージ製品戦略
オラクルがコア数とDRAM搭載量を50%を増やした統合ストレージ製品の上位機種「Oracle ZFS Storage ZS4-4」の提供を開始。改めてクラウド/ビッグデータ時代のストレージ製品戦略も示した。(2015/1/15)

ビジネスニュース 業界動向:
2014年の半導体売上高は3398億米ドル、インテルは23年連続で首位に
Gartnerによれば、2014年の世界半導体市場の売上高は、前年比で7.9%増となる3398億米ドルになる見通しだという。DRAMが好調で半導体市場のけん引役となった。メーカーの売上高ランキングでは、インテルが23年連続で首位の座を確保する見込みだという。(2015/1/9)

Samsung、スマートフォン用4GバイトRAMを量産開始へ
Samsungが8GビットLPDDR4のモバイルDRAMの量産を開始し、来年初頭にはこれを採用した4GバイトRAMをスマートフォンメーカーに供給すると発表した。(2014/12/24)

メモリ/ストレージ技術:
SKハイニックス、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」を開発――20nmプロセス採用
SKハイニックスは2014年9月、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」の開発に成功した。これは業界で初めて開発されたものとされ、これまで発表してきた超高速メモリ(HBM)と合わせて、既存のDDRシリーズで構成されたDRAM製品群を高性能メモリで広げることで、市場での地位を強固にするための試みとみられる。(2014/10/2)

メモリ/ストレージ技術:
次世代ストレージ、10個の注目技術
3次元DRAMの量産が始まり、相変化メモリ(PCM)、スピン注入磁気メモリ(STT-MRAM)など次世代メモリの技術開発がさかんになっている。ここでは、注目のメモリ技術を10個紹介する。(2014/9/29)

メモリ/ストレージ技術 市場動向:
DDR4の本格普及は始まったのか?
Intelのカンファレンス「IDF 2014」ではDDR4 DRAMに注目が集まっているようだ。DDR4の量産が本格的に始動し、まずはエンタープライズ分野から普及が進む見通しだという。(2014/9/11)

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ:
DDR4対応の不揮発性メモリモジュール、AgigA Techがサンプル出荷開始
サイプレス セミコンダクタの子会社であるAgigA Techは、DRAMとNAND型フラッシュメモリの技術を組み合わせた不揮発性メモリモジュール「AGIGARAM DDR4 NVDIMM」を開発し、主要OEMや開発パートナーにサンプル品の出荷を始めた。(2014/8/12)

ビジネスニュース 企業動向:
2014年の半導体市場は順調、Gartnerが予測を上方修正
Gartnerは、2014年の世界半導体市場の成長率を5.4%増から6.7%増に上方修正した。特にDRAM市場の伸びが大きいようだ。(2014/7/15)

普及にはもう少し時間が必要:
ニッチ用途の域を出ないMRAM、普及の鍵はコストと記録密度
幅広い用途でDRAMやSRAMの置き換えになると予想されているMRAM(磁気抵抗メモリ)。産業用途を中心に採用が進んでいるが、普及が加速するにはまだ時間が必要なようだ。(2014/7/2)

ビジネスニュース 市場動向:
DRAM市場は安定の時期に、激しい需給変動は終わる
Samsung、SK hynix、Micron Technologyの3社でシェアのほとんどを占めるDRAM市場。PC以外からの需要も増えてきて、需要と供給の変動が激しい時期は終わり、安定した市場になりつつある。(2014/6/23)

ライト最大400.7Mバイト/秒:
バッファロー、高速転送対応のUSB 3.0ポータブルHDD「HD-PGDU3B」
バッファローは、大容量DRAMキャッシュを搭載したUSB 3.0外付け型ポータブルHDD「HD-PGDU3B」シリーズを発売する。(2014/5/21)

ビジネスニュース 業界動向:
2013年の半導体売上高、過去最高の3150億ドルに
Gartnerによると、2013年における半導体売上高は3150億米ドルと過去最高を記録した。中でもメモリメーカーが躍進し、特にDRAMの供給不足による価格上昇により、SK Hynixは売上高を前年比で大きく伸ばした。(2014/4/7)

ラピスセミコンダクタ MD56V72160C/MD56V82160A:
車載/産業機器向け高信頼性DRAM
ラピスセミコンダクタは、車載/産業機器向けの高性能DRAMシリーズとして、システムコストを抑えながら輻射ノイズを低減できる最大256Mビット容量のSDRAMを発表した。リードデータ出力時の電流駆動能力を4段階に変更する出力ドライバビリティ調整機能を搭載した。(2014/2/25)

メモリ/ストレージ技術:
「HMCが今後のトレンドに」――マイクロンの技術者が語る
米国で行われた「DesignCon 2014」で、マイクロンのチーフテクノロジストが、同社の次世代メモリ技術「Hybrid Memory Cube(HMC)」を含む、DRAMの後継技術について見解を語った。(2014/2/4)

頭脳放談:
第163回 MRAMの時代がやってくる?
日米20社の半導体企業が集まって、東北大学でMRAMを共同開発するという。MRAMはすでに製品も登場しているものの、期待ほど市場は立ち上がっていない。さて、この共同開発でブレークスルーが起き、DRAMを置き換えるまでになるのか。(2013/12/24)

ビジネスニュース:
DRAM業界が黒字に転換、過去3年で最高の利益率を達成
DRAM業界は、生産量をうまくコントロールすることで営業利益率を着実に上げてきた。こうした努力が功を奏し、2013年第2四半期は過去3年間で最高の営業利益率を達成したという。(2013/10/22)

薄くて速くてコスパよし:
インテル最強の内蔵GPUを搭載!! 激速スリムノート「LuvBook H LB-H600S-SH」
マウスコンピューターから「Iris Pro Graphics 5200」を搭載するノートPCが登場した。通常モデルの2倍の実行ユニットとeDRAMを搭載し、“インテル史上最強”といわれるGPUの性能を検証する。(2013/9/30)

ビジネスニュース:
DRAMに代わるカーボンナノチューブベースの不揮発性メモリ、開発加速へ
カーボンナノチューブ(CNT)を利用する不揮発性メモリ「NRAM」の開発を手掛ける米国のNanteroが、投資ラウンドで500万米ドルの追加資金を獲得した。DRAMに代わるメモリとしてNRAMの開発を進める同社への注目は、高まっているという。(2013/9/25)

メモリ/ストレージ技術:
サムスン電子、DDR4メモリの量産を開始
Samsung Electronics(サムスン電子)は、4GビットDRAMをベースにしたDDR4メモリモジュールの量産を開始した。20nmのプロセスを適用していて、2.667Gビット/秒の転送速度を実現している。(2013/9/3)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。