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「DRAM」最新記事一覧

Dynamic Random Access Memory

2017年は260億ドルに増大:
Samsungが設備投資費を倍増、中国には痛手か
DRAMの強いニーズを受け、Samsung Electronicsは半導体設備投資費を拡大する。2016年の113億米ドルから倍増し、2017年は260億米ドルとなる見込みだ。メモリに力を入れる中国にとっては、Samsungとの差がさらに大きく開く可能性もある。(2017/11/27)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ハードウェアの転換期
真のDRAM代替メモリとは 未来のITインフラで起こるメモリ技術の革新
未来のデータセンターにおけるDRAMの代替を探る動きが進んでいる。業界専門家によると、データセンターハードウェアには今後、数多くの革新がもたらされる見通しだ。(2017/11/2)

福田昭のストレージ通信(85) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(6):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(後編)
後編では、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが試作した、3次元構造の反強誘電体キャパシターアレイと、その特性を紹介する。(2017/10/27)

福田昭のストレージ通信(84) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(5):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(前編)
今回から、「不揮発性DRAM」の実現を目指す研究開発について解説する。二酸化ジルコニウムは、その結晶構造から、工夫次第で強誘電体のような不揮発性を付加できる可能性がある。(2017/10/20)

需要と供給のバランスが取れず:
メモリ価格の高騰はしばらく続く
DRAMとNAND型フラッシュメモリは価格は上昇していて、この傾向は今後もしばらく続くという。(2017/9/1)

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは?
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。(2017/8/31)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

応用範囲の拡大で需要が増加:
2017Q2のDRAM世界売上高、過去最高の165億ドルに
2017年第2四半期(4〜6月期)のDRAM世界売上高が、過去最高の165億米ドル以上となった。DRAMeXchangeの予測によると、DRAMの販売価格は2017年の残りの期間、引き続き上昇し続けるという。(2017/8/23)

価格差は平行線のまま
SSDとHDDの性能とコストを徹底比較、“王位継承”は起きるのか?
SSDはHDDと比べると桁違いに高速だ。データセンターではSSDの採用が増え、DRAMの導入も始まっている。それでも当面のところ、HDDは生き残っていきそうだ。(2017/8/9)

価格上昇につながる可能性も:
Micronの台湾DRAM工場が稼働停止、供給に影響か
Micron Technologyの子会社であるInotera MemoriesのDRAM製造工場の稼働が停止したことで、DRAMの世界供給量が低下する可能性が出てきた。それにより、価格の上昇も懸念されている。(2017/7/7)

季節的な要因で売上高がやや減少:
モバイル向けDRAM、2017Q2には価格が10%上昇か
DRAMeXchangeによると、2017年第1四半期におけるモバイル向けDRAMの世界売上高は、前四半期に比べて1.7%減とわずかに低下した。ただし、2017年第2四半期には価格が10%上昇するとみられている。(2017/5/31)

2017年第2四半期に:
Samsungの売上高がIntelを超える可能性も
DRAMとNANDフラッシュメモリの価格が上昇していることから、2017年第2四半期(4〜6月期)におけるSamsung Electronicsの売上高が、Intelを超える可能性が出てきた。(2017/5/8)

ソニー DRMA積層型イメージセンサー:
CMOSイメージセンサーにDRAMを積層、3層構造をソニーが世界初
ソニーは、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した。高速読み出しを実現したことで、スマートフォンでもスーパースローモーション動画の撮影などが可能となる。(2017/2/22)

Weekly Top 10:
ソニーのDRAM積層CMOSイメージセンサーに高い関心
EE Times Japanで2017年2月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2017/2/14)

ソニーがISSCCで発表:
CMOSイメージセンサーにDRAMを積層
ソニーは、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した。高速読み出しを実現したことで、スマートフォンでもスーパースローモーション動画の撮影などが可能となる。(2017/2/8)

ソニー、スマホでスーパースローモーション撮影実現 DRAM搭載の3層CMOSイメージセンサー開発
スマートフォンなど小型機器向けの新型CMOSイメージセンサーをソニーが開発。(2017/2/7)

福田昭のストレージ通信(53) 抵抗変化メモリの開発動向(12):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)
抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶容量当たりの製造コストをDRAM以下にするためには、セレクタを2端子のスイッチにする必要がある。2端子セレクタを実現する技術としては、“本命”があるわけではなく、さまざまな技術が研究されている。(2016/12/27)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

ET2016 レポート:
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。(2016/11/24)

IC Insightsが上方修正:
2016年の半導体市場、DRAMの回復で成長の見通し
IC Insightsによると、半導体IC市場はDRAMが回復基調にあることを受け、2016〜2017年にかけて、それぞれ1%、4%の売り上げ成長率を達成するという。(2016/10/25)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

Computer Weekly:
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/3)

メモリ市場の苦境を受け:
Micron、人員削減に踏み切る
Micron Technologyが人員削減を行うことを明らかにした。DRAMの価格が19カ月連続で減少するなど、メモリ市場で苦しい状態が続いていることが主な要因だ。(2016/7/6)

LLDRAM-IIIとFPGAなどで構成:
ルネサス、100Gb向けのパケットヘッダ検索を発表
ルネサス エレクトロニクスは2016年6月、100Gビットトラフィック級の通信機器向けに、パケットヘッダ検索レファレンスデザインの提供を開始した。汎用DRAMメモリで構成した場合と比較して、メモリデバイス数を15分の1、メモリの消費電力を60%削減可能という。(2016/7/4)

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの将来(2):
クルマの厳しい要求仕様に応えるDRAMとフラッシュメモリ
今回は、自動車のエレクトロニクスシステム、具体的には、ADAS(先進運転支援システム)およびクラスタ・ダッシュボード、車載インフォテインメントで使われるメモリを解説する。さらに、これらのメモリの5年後のロードマップも見ていこう。(2016/7/4)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

元エルピーダ社長の動きにも注目:
“メモリ大国”を目指す中国(後編)
メモリ技術の開発に積極的な中国だが、話はそれほど簡単ではない。中国では、元エルピーダメモリ社長の坂本幸雄氏がDRAMメーカーを立ち上げるなど、注目に値する動きも出てきている。(2016/4/19)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

DRAMの価格下落で:
Micron、2016Q2は売上高が30%減に
メモリに対する強い価格圧力は続いているようだ。Micron Technologyの2016年度第2四半期における売上高は、前年同期比で30%減少した。ただし、Micronは、長期的な視野で見ると、DRAM業界には健全性が戻ってくるとしている。(2016/4/8)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(12):
DDR4とHBMの長所と短所
今回は、HBM(High Bandwidth Memory)とDDR4 DRAMを、データ転送速度やパッケージングなどの点から比較してみる。後半は、埋め込みDRAM(eDRAM)の説明に入る。ARM ReserchのRob Aitken氏は、eDRAMが「ニッチな市場にとどまる」と予想しているが、それはなぜだろうか。(2016/3/29)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(11):
超高速DRAM技術「HBM」の基礎
今回は、「3次元(3D)技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではない」という事実とともに、3D技術を用いた超高速DRAM「HBM」とはどのようなDRAMなのかを紹介していく。(2016/3/25)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(10):
DRAMについて知っておくべき、4つのこと
今回は、DRAMで知っておくべき4つの事実を紹介する。「DRAMの事業規模は巨大であること」「DRAMの性能は常に不足していること」「DRAM開発は傾斜が急になり続ける坂道を登っているようなものであること」「3次元技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではないこと」の4つだ。(2016/3/23)

「“CMOSセンサーはカメラ用”は古い」高速CMOSセンサーが実現する新知能システム
「“CMOSセンサーはカメラ用”は古い」「DRAMの二の舞は避けねばならない」――高速CMOSセンサーを用いた画像処理の用途拡大を目指す「WINDSネットワーク」の副会長を務める石川教授は「日本の強み」を発揮することで世界をリードすると意気込む。(2016/2/25)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(6):
超高密度のSRAM技術と超広帯域のDRAM技術
セッション17とセッション18のテーマはメモリだ。セッション17では、Samsung Electronicsが、10nmのFinFETを用いた高密度SRAMの開発成果を披露する。メモリセルの面積が0.04μm2と、過去最小のSRAMセルを実現している。(2016/1/7)

バンプレスTSV技術と併用で配線長1/10も可能に:
メモリの薄化限界は4μm! 2μm台で劣化を確認
東京工業大学とWOWアライアンスは2015年12月15日、300mmシリコンウエハーの厚さを2μmにすることで、DRAMの特性が劣化することを確認し、シリコンウエハーの薄化は4μm程度が実用的であるとの研究成果を発表した。(2015/12/16)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(10):
着実な進展を見せるMRAM技術
今回から、カンファレンス最終日のセッションを紹介する。セッション26は、「MRAM、DRAMとSRAM」をテーマに講演が進んでいく。MRAMについては計4件の論文発表があり、例えばQualcomm Technologiesらは、40nmルールのCMOSロジックに埋め込むことを想定したSTT-MRAM技術を報告する。(2015/11/27)

メモリ帯域幅を従来比10倍以上に拡大:
HBM 2対応メモリを統合、アルテラのFPGA
アルテラは、同社のハイエンドFPGA製品とSK Hynix製3D積層メモリチップを統合したヘテロジニアスSiP(System in Package)デバイス「Stratix 10 DRAM SiP」を発表した。DRAMを外付けしていた場合に比べ、メモリ帯域幅は最低10倍となる。(2015/11/11)

FPGA:
アルテラ「Stratix 10」にHBM2 DRAM統合製品、メモリ帯域幅10倍に
米Alteraが同社SoC FPGA「Stratix 10 FPGA & SoC 」にSK Hynixの広帯域メモリを統合した「ヘテロジニアス SiP (System-in-Package)デバイス」を発表した。このメモリ統合型Stratix 10は2017年に出荷される。(2015/11/10)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

Samsungだけで全体の57.6%に:
モバイル向けDRAM、韓国勢のシェアが8割超え
DRAMeXchangeは、2015年第2四半期(4〜6月)におけるモバイル向けDRAMの世界市場が前期比7.7%増の38億5100万米ドルに達したと発表した。中でも、Samsung Electronicsは前期比19.1%増の22億1900万米ドルと大きく成長し、韓国勢のシェアは80%を超える形となった。(2015/8/25)

「NANDよりも1000倍高速」:
IntelとMicronの新不揮発メモリ「3D XPoint」
IntelとMicron Technologyが、不揮発メモリ「3D XPoint(クロスポイント)」を発表した。NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8〜10倍、記憶密度が高いという。両社は、25年ぶりに新しい不揮発メモリのカテゴリを作り出したとしている。(2015/7/29)

PR:無償試用の拡大化と超高速共有フラッシュ装置が象徴する、EMCの「次の世界」への本気度
EMCは、2015年5月の「EMC World 2015」で、スケールアウトストレージソフトウエア「EMC ScaleIO」の無償試用の拡大を発表。一方でフラッシュをDRAMの延長として使える外部装置「DSSD」を2015年中に提供開始すると明らかにした。これらは、一般企業のITの、新しい世界への無理ない移行を象徴している。(2015/7/22)

CMOSセンサー:
DRAM一体型センサーで960fpsの超スロー撮影実現、ソニーが製品化
ソニーが「デジタルカメラとしては初めて」(同社)、メモリ一体型積層型CMOSイメージセンサーを搭載したデジカメを発売する。実現した超高速読みだしによって、960fpsの超スロー撮影などが可能だ。(2015/6/26)

ビジネスニュース 業界動向:
“次世代メモリ”の域を出ないFRAM、量産規模を上げて低価格化を
SRAMやDRAM、EEPROMを置き換えるとして大いに期待されていたFRAMは、量産こそ始っているものの、完全に普及しているとはいえず、いまだに“次世代メモリ”の域を出ない。だが、一定のニーズはある。(2015/5/21)

「新カテゴリのフラッシュ製品」:
DRAMの延長として使えるフラッシュ装置、DSSDの実機がデビュー
米EMCは2015年5月6日(米国時間)、ラスベガスで開催中の「EMC World 2015」で、同社が開発中のフラッシュ装置「DSSD」の実機を公開。新カテゴリの製品であることをアピールした。(2015/5/7)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」(11):
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。(2015/1/19)

ビジネスニュース 市場予測:
モバイル向けDRAMは堅調、タブレット端末がけん引役に
モバイル機器向けのDRAMは、特にタブレット端末がけん引役となり、堅調に成長するとみられている。タブレット向けDRAMは、2015〜2018年は年平均成長率10.64%で伸びる見込みだという。(2015/1/16)

「Oracle ZFS Storage ZS4-4」提供開始:
オラクルが示す、クラウド/ビッグデータ時代の階層化ストレージ製品戦略
オラクルがコア数とDRAM搭載量を50%を増やした統合ストレージ製品の上位機種「Oracle ZFS Storage ZS4-4」の提供を開始。改めてクラウド/ビッグデータ時代のストレージ製品戦略も示した。(2015/1/15)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。