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「EUV(極端紫外線)」最新記事一覧

Extreme Ultra-Violet

福田昭のデバイス通信(119) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(3):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その1):論理機能可変の不揮発性ロジック
「IEDM 2017」について、技術講演の2日目となる12月5日の午前のセッションから注目講演を紹介する。モアムーアやモアザンムーアを進めていくときの課題や、オールカーボンの次世代多層配線などが発表される。(2017/11/14)

TSMCの売上高でも10%を占める:
10nmプロセスチップの需要、iPhone Xなどで増大
TSMCによれば、10nmプロセスチップのニーズが増大しているという。TSMCにおいて10nmプロセスの売上高は確実に増加していて、2017年7月時点で同プロセスの売上高は全体の10%を占めるまでになっている。(2017/10/24)

SamsungとTSMCは導入へ向け加速:
IntelはEUV競争を静観か、導入時期は明言避ける
EUV(極端紫外線)リソグラフィの開発、導入をめぐって競争を続けてきたIntel、Samsung Electronics、TSMCだが、ここのところIntelは、1歩引いて静観しているようだ。(2017/10/12)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

数年前から大きく変化:
EUVの量産適用、半導体業界は前向きな見方
業界団体eBeam Initiativeの調査によると、EUV(極端紫外線)リソグラフィの実用化に対する業界の見方は、だいぶ前向きになっているようだ。(2017/9/14)

バラして見ずにはいられない:
Galaxy S8+には“最先端”の中身が詰まっていた
Samsungの最新スマートフォン「Galaxy S8+」の分解レポートをお届けする。中身を見ると、最先端の部品が詰まっている。気になるバッテリーのメーカーも調べた。(2017/8/3)

今後の半導体業界を見据え:
パッケージングとEDAの技術革新が必要 AMDのCTO
AMDは現在、7nmプロセスの実用化に向けて開発を加速している。同社の製品のうち、7nmプロセスを最初に適用するプロセッサは「Zen 2」「Zen 3」の予定だ。AMDのCTOを務めるMark Papermaster氏は、プロセスの微細化や、「ムーアの法則プラス」の時代では、パッケージング技術とEDAツールにおける技術革新が必要になると話す。(2017/7/26)

ASMLが「SEMICON West」でデモ:
EUVが実現間近か、250Wの光源を達成
ASMLが、「SEMICON West 2017」で、250WのEUV(極端紫外線)光源を用いたデモを披露した。EUVリソグラフィ用を商用化するには、250Wの光源が1つのマイルストーンとされているため、実際の量産ラインでの実用化は間近かもしれないという期待が膨らむ。(2017/7/20)

2017年4〜6月売上高の1%:
TSMCが10nmプロセスで売り上げを初めて計上
TSMCは、Samsung Electronicsに後れを取っている10nmプロセスで初の売り上げ計上が生じたと明らかにした。(2017/7/18)

EUV導入予定のプロセス:
MediaTek、7nmチップの製造先をTSMCに決定
MediaTekが、7nmチップの製造委託先としてTSMCを選んだ。具体的な製造計画は明らかにしていない。MediaTekは、「EUV(極端紫外線)リソグラフィを導入するTSMCの7nmプロセスは、競争力がある」としている。(2017/6/22)

Samsungには大きな損失:
Qualcomm、7nmチップ発注先をTSMCに切り替えか
韓国のET Newsによると、Qualcommは7nmのSnapdragon SoC(System on Chip)の発注先をTSMCに切り替える。この報道が正しければ、Samsungの2018年のファウンドリ事業は多大な痛手を被る。7nmのSnapdragon SoCは、2017年末か2018年早々に発表されることが予想される。(2017/6/19)

TNOのEUV照射・分析用設備:
評価サービス受付開始、ウシオ製EUV光源搭載
オランダ応用科学研究機構(TNO)で、ウシオ電機製EUV光源を搭載した露光、分析ファシリティ「EBL2」が稼働、各種研究、評価サービスの受付を始めた。(2017/6/14)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

ウエハー処理数は125枚/時間:
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
ASMLは、2018年にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を20〜24台出荷する計画だという。何度も延期を重ねながら開発を進め、ようやく出荷のメドが立ったようだ。(2017/4/24)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

企業動向を振り返る 2017年2月版:
成長に自信を見せるルネサス、前途多難な東芝
東芝が解体へのカウントダウンを刻む中、一時は経営が危ぶまれたルネサスが好調な業績見込みを発表しています。(2017/3/23)

SPIE Advanced Lithography 2017:
ASML、EUVリソグラフィ開発を加速
半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」において、ASMLがEUV(極端紫外線)スキャナーを発表した。(2017/3/3)

長く曲がりくねった道のり:
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。(2017/3/2)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

EUVの導入も検討か:
Intel、アリゾナのFab 42に70億ドルを投資へ
Intelが、アリゾナ州に保有する製造工場「Fab 42」に70億米ドルを投資する予定であることを明らかにした。Intelは2014年1月に、Fab 42の稼働を延期することを発表したが、7nmプロセスの実現に向け、EUV(極端紫外線)露光装置の導入なども検討しつつ、同工場への投資を進めるとみられる。(2017/2/15)

EUVから今後の半導体市場まで:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(後編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、EUV(極端紫外線)の動向から半導体市場の今後まで、幅広く議論が行われた。(2017/1/24)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

早ければ2022年にも生産開始:
TSMC、3nmチップの工場建設計画を発表
TSMCが5nmおよび3nmチップの製造工場を新たに建設する計画を発表した。大手ファウンドリー各社のプロセス開発競争は激化の一途をたどっている。(2016/12/15)

電子ブックレット:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)に関わる展望について紹介します。(2016/12/12)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

2024年量産開始を目指して:
ASML、次世代EUV装置に19億米ドルを投資
半導体製造装置メーカーのASMLは、2017年出荷予定の第1世代EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置の後継となる次世代EUV装置の開発計画を明らかにした。2024年ごろの量産を目指し、約19億米ドルの投資を行うという。(2016/11/10)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

さらなる微細化の実現へ:
EUV光源で「世界最高水準」の発光効率5%を実現
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源における、半導体量産ラインでの稼働を想定したパイロット光源が完成し、出力105Wの安全運転と、発光効率5%を実現した。最先端半導体製造ラインの実現に向けて大きく前進したという。(2016/10/24)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

福田昭のデバイス通信(89):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(JSR Micro編)
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV(極端紫外線)レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。(2016/9/21)

福田昭のデバイス通信(88):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ASML編)
「SEMICON West 2016」で行われた次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムから、各露光装置メーカーの講演内容を紹介してきた。今回は、半導体露光装置最大手であるASMLのEUV(極端紫外線)リソグラフィ開発状況を中心に紹介する。(2016/9/14)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

福田昭のデバイス通信(87):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(東京エレクトロン編)
今回は、7nm世代以降の半導体製造プロセスで使わざるを得なくなるだろう「自己整合(セルフアライン)的なリソグラフィ技術」に触れる。その候補は3つ。東京エレクトロンのBen Rathsack氏が、3つの候補技術の現状を紹介した。(2016/9/9)

福田昭のデバイス通信(86):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(ニコン編)
90nm世代から商業化が始まったArF液浸スキャナーだが、3xnm世代に入ると、解像力は限界に達する。そこで、コスト増というデメリットは伴うものの、マルチパターニングによって解像力の向上が図られてきた。加えて、7nm世代向けのArF液浸スキャナーでは新しいリソグラフィ技術の導入も必要だとされている。この場合、コスト面ではダブルパターニングと電子ビーム直接描画の組み合わせが有利なようだ。(2016/9/6)

福田昭のデバイス通信(85):
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る(完結編その2)
KrFスキャナーの次に登場したのがArFスキャナーである。ArFスキャナーは90nm世代の量産から使われ始めた。さらに、ArFスキャナーの製品化と並行して「ポストArF」の開発が活発化する。ポストArFとして、F2エキシマレーザーあるいは軟X線を光源とする露光技術の開発が進んだが、そこに、もう1つの候補として急浮上したのがArF「液浸」スキャナーである。(2016/8/30)

EE Times Japan Weekly Top10:
「TV事業に固執する日本メーカー」に多くの同意
EE Times Japanで2016年8月5〜12日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/13)

EE Times Japan Weekly Top10:
半導体業界に衝撃を与えた2つの買収
EE Times Japanで2016年7月23〜29日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/4)

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

最低130Wの出力で119時間の連続運転に成功:
EUV光源、発光効率4.0%で出力250Wを達成
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源のプロトタイプ機で発光効率4.0%、発光出力250wを達成した。(2016/7/7)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

「ムーアの法則」の生みの親に対しIMEC:
微細化、「3nmまでいくのでは」
「ムーアの法則」の生みの親であるGordon Moore氏が、ハワイの自宅でベルギーIMECのビデオインタビューに応じ、未来の技術に関する自身の見解や、1965年以来半導体業界に大きな影響を及ぼし続けてきたムーアの法則の今後について語った。87歳となった同氏は、謙虚なエンジニアはいつまでも自分を笑いの種として語れることを示してみせた。(2016/6/6)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。