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「EUV(極端紫外線)」最新記事一覧

Extreme Ultra-Violet

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

最低130Wの出力で119時間の連続運転に成功:
EUV光源、発光効率4.0%で出力250Wを達成
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源のプロトタイプ機で発光効率4.0%、発光出力250wを達成した。(2016/7/7)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

「ムーアの法則」の生みの親に対しIMEC:
微細化、「3nmまでいくのでは」
「ムーアの法則」の生みの親であるGordon Moore氏が、ハワイの自宅でベルギーIMECのビデオインタビューに応じ、未来の技術に関する自身の見解や、1965年以来半導体業界に大きな影響を及ぼし続けてきたムーアの法則の今後について語った。87歳となった同氏は、謙虚なエンジニアはいつまでも自分を笑いの種として語れることを示してみせた。(2016/6/6)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

EE Times Japan Weekly Top10:
GoogleやFacebookが“キャリア”になったなら
EE Times Japanで2016年2月13〜19日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/2/20)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/02/18
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年2月18日)(2016/2/18)

実用化に向け加速:
GLOBALFOUNDRIESと米大学、EUVに5億ドル投入
EUV(極端紫外線)リソグラフィー技術の実用化が加速する可能性がある。GLOBALFOUNDRIESと米国ニューヨーク州立大学が、5億米ドルを投じて新しい研究開発センターを設立し、EUV装置の導入を進めていくという。(2016/2/12)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/02/04
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年2月4日)(2016/2/4)

7nmプロセスでの実用化は可能なのか:
着実に進歩するEUV、課題は光源
EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。(2016/1/28)

量産の実現には12〜18カ月かかる見込み:
3D XPoint、開発から製造へ
IntelとMicron Technologyが開発した「3D XPoint」は、製造の段階へと移る見込みだ。量産には12〜18カ月かかるとみられている。また、3D XPointでは、カルコゲナイド材料と「Ovonyx」スイッチが使われていることが明らかになった。(2016/1/25)

IBMが語る、ウェアラブル向け最先端技術:
人間の脳が握る、デバイス低消費電力化の鍵
ウェアラブル機器に欠かせない要件の1つに、低消費電力がある。「第2回 ウェアラブルEXPO」のセミナーに登壇した日本IBMは、超低消費電力のコンピュータとして、人間の”脳”を挙げ、IBMが開発中の「超低消費電力脳型デバイス」について語った。(2016/1/20)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

「IEDM 2015」基調講演で:
「ムーアの法則を進める必要がある」――ARM
2015年12月7〜9日に開催された「IEDM 2015」の基調講演で、ARMのシニアリサーチャーであるGreg Yeric氏は、「半導体チップの微細化は一段と困難になっているが、それでもムーアの法則を続ける必要がある」と語った。(2015/12/10)

量産対応EUVスキャナー実現に大きく前進:
EUV光源で平均出力60W、24時間連続稼働を達成
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源のプロトタイプ機を用い、量産工場での運転パターンを模擬して動作させたところ、平均出力60Wで24時間連続稼働に成功した。(2015/10/2)

SEMICON West 2015リポート(12):
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。(2015/9/18)

EE Times Japan Weekly Top10:
ARMをうならせた中国の無名企業
EE Times Japanで2015年8月29〜9月4日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/9/5)

SEMICON West 2015リポート(7):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(4)〜次期主力機「NXE:3350B」の概要
今回は、ASMLのEUV(極端紫外線)露光装置の開発ロードマップを紹介する。次期主力機「NXE:3350B」は、16nmの解像を目標に開発が進んでいるという。「NXE:33x0」シリーズとしては、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるなど、強気な目標を立てている。(2015/9/1)

EE Times Japan Weekly Top10:
ASMLが解説するEUVリソグラフィ
EE Times Japanで2015年8月22〜28日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/29)

Intelは今、何を考えているのか:
3D XPointから7nmプロセスまで――Intel CEOに聞く
2015年8月18〜20日に開催された「IDF(Intel Developer Forum) 2015」において、Intel CEOのBrian Krzanich氏にインタビューする機会を得た。新メモリ技術として注目を集めた「3D XPoint」からAltera買収まで、率直に話を聞いてみた。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(6):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(3)〜EUV露光装置の開発史
今回は、EUV(極端紫外線)露光装置の開発の歴史を振り返ってみたい。ASMLが顧客向けに初めてEUV露光装置を出荷したのは2006年のことである。その後の約10年で、光源の出力やスループットはどのくらい向上しているのだろうか。(2015/8/28)

SEMICON West 2015リポート(5):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(2)〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。(2015/8/26)

SEMICON West 2015リポート(4):
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表(1)〜ArF液浸の限界
今回は、コストとパターン形成の2点について、ArF液浸とEUV(極端紫外線)リソグラフィを比べてみよう。ArF液浸では、10nm世代になるとステップ数と重ね合わせ回数が破壊的な数値に達してしまう。これがコストの大幅な上昇を招く。さらに、ArF液浸とEUVでは、10nm世代の配線パターンにも大きな差が出てくる。(2015/8/24)

EE Times Japan Weekly Top10:
20位に食い込んだシャープ
EE Times Japanで2015年8月8〜14日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/8/16)

SEMICON West 2015リポート(3):
ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術(後編)
今回は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合の2つ目の課題である「製造コストの急増」に焦点を当てる。ArF液浸露光技術とEUV(極端紫外線)露光のコストを比較すると、どんな結果になるのだろうか。(2015/8/13)

SEMICON West 2015リポート(2):
ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術(前編)
本稿では、リソグラフィ技術の将来を14nm世代から5nm世代まで展望するシンポジウムにおける、ニコンの講演内容を紹介する。同社は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合、2つの大きな課題があると指摘した。「EPE(Edge Placement Error)」と「コストの急増」だ。(2015/8/11)

電子ブックレット:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IBM Researchが開発したEUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用する7nmプロセス試作チップを紹介する。(2015/8/9)

CDNLive Japan 2015リポート:
起業家精神で技術革新――中村修二氏も登壇
日本ケイデンス・デザイン・システムズは、顧客向け技術コンファレンス「CDNLive Japan 2015」を横浜で開催した。日本のユーザーら約900人が参加。基調講演セッションでは、米国本社CEOやノーベル物理学賞受賞者の中村修二氏らが講演を行った。(2015/7/21)

EUVとSiGeチャネルで:
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
IBM Researchが、EUV(極端紫外線)リソグラフィとSiGe(シリコンゲルマニウム)チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。(2015/7/13)

福田昭のデバイス通信(29):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(18)〜壁に突き当たるリソグラフィ技術
プロセスルールの微細化において最も困難な課題は、リソグラフィ技術にある。7nm世代の半導体を量産するためのリソグラフィ技術は、いまだに確定していない。現在のところ、解決策としては、従来のArF液浸リソグラフィ技術の改善か、EUV(極端紫外光)リソグラフィ技術の開発が挙げられている。(2015/6/9)

EE Times Japan Weekly Top10:
スマホ市場でAppleを引き離したサムスン
EE Times Japanで2015年5月2〜8日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/5/11)

ビジネスニュース 業界動向:
ASMLがEUV装置を15台受注、納品先はIntel?
ASMLが、EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を15台、“米国顧客企業の1社”に納入すると発表し、業界の観測筋の間でさまざまな臆測を呼んでいる。複数の情報筋が、この顧客企業がIntelではないかという見方を示している。(2015/4/30)

半導体技術 進化の源:
ムーアの法則、50年をたどる
1965年、IntelのGordon Moore(ゴードン・ムーア)氏が雑誌に掲載したトランジスタに関する予見は、「ムーアの法則」として半導体技術の発展の大きな原動力となった。ムーアの法則によってトランジスタがどれほど進化してきたのか。50年を振り返ってみる。(2015/4/24)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMC、16nmプロセスへの移行を加速――設備投資額は10億ドル削減
TSMCは、2015年の設備投資額を10億米ドル削減すると発表した。資本効率を上げて16nmプロセスへの移行を急ぐ。20nmチップの生産量を減らして、16nmチップの生産量を増加する計画だ。また、7nmのリスク生産は、2017年前半に予定されている。(2015/4/20)

FAニュース:
ナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発
キヤノンは、解像力10nm台の高度な微細加工が可能なナノインプリント技術を用いた、次世代半導体製造装置を開発した。光露光装置に比べ、高解像度で均一性のあるパターンを描くことができる。(2015/3/13)

EE Times Japan Weekly Top10:
10nmプロセスでインテルに追い付きたいTSMC
EE Times Japanで先週(2015年2月21〜27日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/3/3)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMC、10nmプロセスではインテルとの技術差なくなる
TSMCは、10nmプロセスを適用したチップの製造を2017年に開始する。同社は「インテルの10nmチップと同等レベルの性能を実現できると見ている。10nmプロセスで、インテルとの技術的なギャップを埋められるだろう」と述べている。(2015/2/26)

ISSCC 2015:
インテル、14nm SRAMの実現へ
Intelは、「ISSCC 2015」において14nmプロセスのSRAMについて論文を発表する予定だ。同社のシニアフェローはムーアの法則についても言及し、「ムーアの法則は10nm以降も継続する。EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術を採用せずに7nmプロセス技術を実現できれば、トランジスタ当たりのコストを削減できる」と述べている。(2015/2/26)

EE Times Japan Weekly Top10:
裏表なし、USBではType-Cにも要注目
EE Times Japanで先週(2015年2月7〜13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/2/16)

ビジネスニュース 企業動向:
東芝とSKハイニックスがナノインプリントを共同開発、15nmプロセス以降に適用
東芝とSKハイニックスが、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術で共同開発を開始する。NILは、回路パターンが掘られた型(モールド)をシリコンウエハーに直接押し当てて転写するもので、より微細な加工ができると期待されている。今回の共同開発では、15nmプロセス以降の実現を目指すとしている。(2015/2/5)

EE Times Japan Weekly Top10:
日本半導体業界の“隠し玉”企業
EE Times Japanで先週(2014年12月6日〜12日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/12/15)

プロセス技術:
ムーアの法則をできる限り進める――TSMCが7nmプロセス向けにEUV装置を発注
TSMCが、ASMLにEUV(極端紫外線)露光装置2台を発注していたことが明らかになった。TSMCは、EUVリソグラフィによって7nmプロセスの実現を目指すとみられている。2015年末には7nmプロセスを適用したチップのリスク生産が開始される可能性がある。(2014/12/10)

Apple「iPad」向け「A8X」を受注したから!?:
TSMCが設備投資額を100億ドルに拡大、16nm FinFET量産準備で
TSMCは、16nm FinFETプロセスチップの実用化に向け、2015年の設備投資を100億米ドル以上に増額する予定だという。2016年には10nmプロセスの実用化も予定している。(2014/10/21)

津田建二の技術解説コラム【海外編】:
PR:知ってるつもりの外国事情(4)――業界用語の常識を海外と比較する
日本の常識は世界の非常識といわれることがよくあります。日本では当たり前のことが海外では全然違うことを指しています。ここでは、いくつかの言葉について、日本と海外との違いを考えてみたいと思います。オープンイノベーション、標準化(standardization)、グローバル化を採り上げてみます。(2014/9/8)

EE Times Japan Weekly Top10:
3次元メモリの量産進む
EE Times Japanで先週(2014年8月9〜15日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/8/18)

EE Times Japan Weekly Top10:
復調の兆し見せるルネサス
EE Times Japanで先週(2014年8月2〜8日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/8/12)

プロセス技術 EUV:
IBMのEUV試験結果に疑問の声、インテルは「EUVなしで7nm実現を模索」
IBMが2014年7月に発表した、EUV(極端紫外線)リソグラフィスキャナーに関する最新テストの結果を、いぶかしむ業界関係者が少なくない。今回のIBMのテスト結果は、EUVの実用化に向けてどのような意味を持つのだろうか。(2014/8/6)

プロセス技術 EUV:
IBMがEUVのスループットで記録更新、1日637ウエハー
IBMは2014年7月、ASML製の最新のEUV(極端紫外線)リソグラフィシステムの試験初日に「予想以上の結果を得た」と発表した。スキャナー「NXE3300B」に44Wの光源を用いて、安定した速度(34ウエハー/時)を保って、24時間で637枚のウエハーを作り出したという。(2014/8/5)

EE Times Japan Weekly Top10:
限界説はあれどもやっぱり期待、プロセス技術
EE Times Japanで先週(2014年6月7〜13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/6/16)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。