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「FeRAM」最新記事一覧

Ferroelectric RAM:強誘電体メモリ

関連キーワード

車載や産機、医療向け:
書き換え100兆回、遅延ゼロで書き込めるFRAM
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、車載システムや産業機器、医療機器などのデータ収集用途に向けた不揮発性メモリの新ファミリーを発表した。データの取りこぼしがなく、書き換え回数など耐久性にも優れている。(2018/3/16)

基礎から学ぶSTAMP/STPA(1):
STAMP/STPAとは何か
システムとシステムがつながる、より複雑なシステムの安全性解析手法として注目を集めているのがSTAMP/STPAだ。本連載はSTAMP/STPAについて基礎から学ぶことを主眼とした解説記事となっている。第1回は、STAMP/STPAの生まれた理由や、従来手法との違い、実施の大まかな流れについて説明する。(2018/3/9)

富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長 松宮正人氏:
PR:不揮発性RAMで、社会に新たな価値を提供し続ける富士通セミコンダクター
富士通セミコンダクターは、省電力、高速動作を特長とするFRAMを扱うシステムメモリ事業で、IoT(モノのインターネット)時代のニーズに応じたソリューションの提案を加速させる。2018年は、RFIDによる無線給電技術とFRAM技術を組み合わせた“バッテリーレスソリューション”が実用化される見通し。「省電力の不揮発性RAMへの期待はますます大きくなっている。新製品開発やソリューション開発で、それらの期待に応えたい」という富士通セミコンダクター システムメモリカンパニー長の松宮正人氏に事業戦略を聞いた。(2018/1/16)

サイプレス セミコンダクタ 代表取締役社長 長谷川夕也氏:
PR:想定を上回る飛躍を遂げるCypress、IoTへの積極投資継続へ
Cypress Semiconductorの日本法人社長を務める長谷川夕也氏は「2017年は想定を上回る大きな飛躍を遂げた1年だった」と振り返る。世界的なIoT(モノのインターネット)化の流れを的確に捉え、2016年にBroadcomから引き継いだIoT向け無線通信チップ事業で大きく売り上げを伸ばした。2018年についても、組み込み領域に必要なあらゆる半導体製品をそろえるラインアップをベースに、オートモーティブ、インダストリアル、コンシューマーの3市場で一層の飛躍を遂げるべく、積極的な事業展開を計画する。(2018/1/16)

福田昭のストレージ通信(87):
半導体メモリの専門学会「国際メモリワークショップ(IMW)」が日本で開催へ
2008〜2017年まで主に米国で開催されてきた「国際メモリワークショップ(IMW)」が、2018年は日本の京都で開催される。今回はIMWの概要を紹介しよう。(2017/12/6)

日本TI MSP430:
25種類の機能を備えたセンシング向けマイコン
日本テキサス・インスツルメンツは、低消費電力マイコン「MSP430」に、単価0.25米ドルの「MSP430FR2000」(メモリ容量0.5Kバイト)と「MSP430FR2100」(同1Kバイト)を追加した。(2017/12/6)

FRAMが動作を安定化:
実用化目前! 電池レスの無線キーボード
富士通セミコンダクターは展示会「Embedded Technology 2017(ET2017)/IoT Technology 2017」(会期:2017年11月15〜17日)で、電池を搭載しない無線キーボードのデモを公開している。(2017/11/16)

製品分解で探るアジアの新トレンド(22):
中国勢が目指すマイコン市場、その新たなるルート
AppleやSamsung Electronicsなど、大手メーカーの製品に、中国メーカーのシリアルフラッシュメモリやARMマイコンが搭載され始めている。こうした傾向から、中国メーカーが開拓しつつある、マイコン市場への新たなルートが見えてくる――。(2017/11/13)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ラピスが2017年12月から量産:
1MビットFeRAM、モバイルやIoT機器への応用も
ラピスセミコンダクタは、1Mビットの強誘電体メモリ(FeRAM)のサンプル出荷を開始し、2017年12月には量産を開始する。モバイル機器やIoT(モノのインターネット)機器への適用も視野に入れている。(2017/10/30)

福田昭のストレージ通信(85) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(6):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(後編)
後編では、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが試作した、3次元構造の反強誘電体キャパシターアレイと、その特性を紹介する。(2017/10/27)

福田昭のストレージ通信(80) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(1):
反強誘電体とは何か
強誘電体の新材料である二酸化ハフニウムは、実は条件次第では「反強誘電体(Antiferroelectrics)」になる。今回から、この反強誘電体を不揮発性メモリに応用する研究について解説していこう。(2017/10/5)

福田昭のストレージ通信(79) 強誘電体メモリの再発見(23):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(後編)
前編に続き、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)で多値メモリを実現する仕組みを解説する。特に、2つのドメインで構成されたFeFETの長期信頼性の評価に焦点を当てる。(2017/10/2)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

福田昭のストレージ通信(72) 強誘電体メモリの再発見(16):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性
強誘電体の二酸化ハフニウムは、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているのか。後編となる今回は、分極反転サイクル特性と、シリコン面積当たりの静電容量を高めるための3次元構造について解説する。(2017/8/30)

福田昭のストレージ通信(71) 強誘電体メモリの再発見(15):
新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道
今回から2回にわたり、強誘電体の二酸化ハフニウムが、不揮発性メモリ用のキャパシターとしてどのような特性を示しているかを解説する。強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)のメモリセルで重要なのは、強誘電体キャパシターの特性だ。二酸化ハフニウムを絶縁膜とする強誘電体キャパシターが、優れた特性を備えているかどうかを調べる必要がある。(2017/8/25)

福田昭のストレージ通信(70) 強誘電体メモリの再発見(14):
新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件
強誘電体の二酸化ハフニウムがを作製するには、添加物をドーピングする方法と、二酸化ジルコニウムとの混晶による方法の2種類がある。今回は、これらの方法において二酸化ハフニウムが強誘電体となる条件と、結晶構造との関係について解説する。(2017/8/22)

福田昭のストレージ通信(69) 強誘電体メモリの再発見(13):
新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見
今回は、強誘電体の二酸化ハフニウムを作製する2つの方法と、二酸化ハフニウムが誘電体としての性質を大きく変化させる原因について解説する。(2017/8/17)

福田昭のストレージ通信(68) 強誘電体メモリの再発見(12):
FeRAMの長期信頼性に関する特徴
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の長期信頼性を決めるのは、強誘電体キャパシターの分極特性だ。今回は、強誘電体キャパシターを劣化させる主な現象として「疲労(ファティーグ:fatigue)」と「インプリント(imprint)」について解説する。(2017/8/10)

福田昭のストレージ通信(67) 強誘電体メモリの再発見(11):
FeRAMのメモリセル構造の基礎
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の構造には、2T2C方式、1T1C方式、チェインセル方式がある。それぞれの特徴を紹介するとともに、メモリセルの断面構造についても解説しよう。(2017/8/8)

福田昭のストレージ通信(66) 強誘電体メモリの再発見(10):
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の基本動作
今回は、強誘電体メモリ(FeRAM)の基本動作を解説する。FeRAMでは、強誘電体キャパシターにおける残留分極の向きがデータの値を決める。さらに、読み出し動作と微細化に伴う問題についても触れる。(2017/8/3)

福田昭のストレージ通信(65) 強誘電体メモリの再発見(9):
強誘電体メモリ研究の歴史(後編)〜1990年代以降の強誘電体メモリ
強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の研究開発の歴史を前後編で紹介している。後編となる今回は、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)とタンタル酸ビスマス酸ストロンチウム(SBT)を使ったFeRAMに焦点を当てる。さらに、Intelが一時期、技術ベンチャーと共同研究していた有機高分子メモリにも触れる。(2017/8/1)

福田昭のストレージ通信(64) 強誘電体メモリの再発見(8):
強誘電体メモリ研究の歴史(前編)〜1950年代の強誘電体メモリ
今回と次回で、強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の研究開発の歴史を振り返っていく。FeRAMの歴史は年代順に初期、中期、後期の3つに分けることができる。前編となる今回は、FeRAMが初めて提案された1952年から始まった初期の歴史を紹介したい。(2017/7/26)

福田昭のストレージ通信(63) 強誘電体メモリの再発見(7):
代表的な強誘電体材料(後編)〜その他の材料
前編では無機化合物の強誘電体材料を紹介したが、有機化合物にも数多くの強誘電体材料が存在する。本稿では、有機化合物系強誘電体材料の代表格であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)や酸化ハフニウム系強誘電体について説明する。(2017/7/24)

福田昭のストレージ通信(62) 強誘電体メモリの再発見(6):
代表的な強誘電体材料(前編)〜圧電セラミックス系材料
今回から2回にわたり、代表的な強誘電体を説明する。本稿では、強誘電体メモリへの応用を見込んだ最も古い材料であるチタン酸バリウムをはじめ、最も重要な強誘電体材料であるジルコン酸チタン酸鉛(PZT)、そしてPZTの対抗馬として名乗りを上げたタンタル酸ビスマス酸ストロンチウム(SBT)、ビスマスフェライト(BFO)を解説しよう。(2017/7/20)

福田昭のストレージ通信(61) 強誘電体メモリの再発見(5):
誘電体の比誘電率(k)は、一定とは限らない
外部電界の強さと分極の大きさの関係は、強誘電体を含めた誘電体全体ではどうなっているのだろうか。「ヒステリシス・ループ」を使って解説していこう。(2017/7/14)

福田昭のストレージ通信(60) 強誘電体メモリの再発見(4):
強誘電体の分極と外部電界
強誘電体に外部電界を加えたとき、強誘電体内部ではどのような変化が起こるのだろうか。外部電界が存在しないときと、外部電界を少しずつ強めていったときの両方を解説する。(2017/7/12)

福田昭のストレージ通信(59) 強誘電体メモリの再発見(3):
強誘電体の基礎知識(後編)〜分極とは何か
誘電体材料を考えるときの共通の性質が「分極(polarization)」である。今回は、外界電圧と分極の関係性と、分極のメカニズムを解説する。(2017/7/6)

福田昭のストレージ通信(58) 強誘電体メモリの再発見(2):
強誘電体の基礎知識(前編)
前回は、強誘電体メモリ(FeRAM)の研究開発が再び活気づいてきた背景を紹介した。今回から2回にわたり、FeRAMの基礎を説明する。そもそも、「強誘電体」とはどのような材料なのだろうか。(2017/7/3)

福田昭のストレージ通信(57) 強誘電体メモリの再発見(1):
強誘電体メモリが再び注目を集めている、その理由
FeRAM(強誘電体不揮発性メモリ)の研究開発の熱気は、2000年代に入ると急速に衰えていった。だが2011年、その状況が一変し、FeRAMへの関心が再び高まっている。そのきっかけとは何だったのだろうか。(2017/6/29)

富士通セミコン MB85RS128TY/MB85RS256TY:
温度上限を40℃拡大し125℃の高温に対応したFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃の高温環境下でも動作する128KビットFRAM「MB85RS128TY」と256KビットFRAM「MB85RS256TY」を開発した。従来のFRAM製品に比べ、温度上限を40℃拡大している。(2017/5/31)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

Q&Aで学ぶマイコン講座(37):
メモリの種類と特長
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初級者の方からよく質問される「マイコンに搭載されているメモリの種類と特長」についてです。(2017/4/24)

IHSアナリスト「未来展望」(1):
エレクトロニクス産業を動かす“3大潮流”
変化の激しいエレクトロニクス産業の未来をIHS Markit Technologyのアナリストが予測する。連載第1回は、これからのエレクトロニクス産業を動かしていくであろう“3大潮流”を解説する。(2017/4/7)

高い安全性要求に応える:
PR:高速、高耐久性の不揮発性メモリ「FRAM」がスマートエアバッグを実現する
自動車の衝突事故時に人命を守るエアバッグだが昨今、誤作動が生じて大規模なリコールも発生した。そこで、より正確にエアバッグを作動させるべく、より多くのセンサーデータを取得して適切なエアバッグ制御を行うスマートエアバッグシステムの開発が進む。ただ、スマートエアバッグには、データを常にリアルタイムで記憶する不揮発性メモリが不可欠であり、実現のカギになっている。そこで、スマートエアバッグに適した不揮発性メモリとして「FRAM」を紹介する。(2017/3/14)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

各種センサーと通信規格に対応:
Sigfox日本仕様の認証取得 ―― TIの開発キット
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、さまざまなセンサー技術や制御技術、通信技術を核にIoT(モノのインターネット)事業を展開していく。新たに発表したSub-1GHzワイヤレスマイコン開発キット「CC1310LaunchPad」は、業界で初めてIoTネットワーク「Sigfox」日本仕様(RCZ 3)の認証を取得した製品となる。(2016/11/30)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

不揮発メモリの高容量化などが実現可能に:
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。(2016/9/13)

Nanteroと18年中にカスタムLSIへの混載目指す:
富士通セミ、CNT応用メモリ「NRAM」を商品化へ
富士通セミコンダクターは2016年8月、Nantero(ナンテロ)とともに、カーボンナノチューブ(CNT)応用型不揮発メモリ「NRAM」の商品化に向けた開発を実施すると発表した。(2016/8/31)

宮崎 仁のQ&Aでよく分かるマイコン基礎の基礎:
PR:第22回 マイコンのウォッチドッグ・タイマって何ですか?
(2016/6/27)

宮崎 仁のQ&Aでよく分かるマイコン基礎の基礎:
PR:第21回 マイコンのデータ格納用メモリについて教えてください
(2016/5/25)

「競合の28nm世代に匹敵するフラッシュ技術」:
PR:40nm世代マイコンの出荷も開始――積極的な新製品攻勢を仕掛けるCypressの車載半導体戦略
Cypress(サイプレス)は、車載半導体事業を注力事業に位置付け、積極的な技術/製品開発を展開している。2016年1月には、車載マイコンでは最先端となる40nmプロセスを採用した製品の出荷をスタートさせた。注目を集める40nm世代車載マイコンや今後の車載向け製品開発戦略について、サイプレス自動車事業本部自動車事業部長を務める赤坂伸彦氏に聞いた。(2016/4/28)

宮崎 仁のQ&Aでよく分かるマイコン基礎の基礎:
PR:第20回 マイコンの内蔵メモリにはどんな種類があるの? 何を選べばいいの?
(2016/4/25)

64Kビット品として「業界最小クラス」:
3.4MHz動作時消費電流170μAの64Kb FRAM
富士通セミコンダクターは2016年4月、64KビットのFRAMとして消費電流を抑えた新製品「MB85RC64T」を発表した。(2016/4/8)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。