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「FinFET」最新記事一覧

関連キーワード

最先端ICではFinFETが主流だが:
GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESは、22nmプロセスを用いたFD-SOIのプラットフォーム「22FDX」の後継プラットフォームを開発中だという。とはいえ、最先端ICの世界では、FinFETが主流だ。GLOBALFOUNDRIESは、アナログ/RF回路ではFinFETよりもFD-SOIが適していると、FinFETに比べた時の利点を主張する。(2016/5/31)

VR時代のARMコアとGPUコア
ARMが「モバイル機器でのVR体験を再定義」する、次世代モバイル機器向けCPUコア「Cortex-A73」とグラフィックコア「Mali-G71」を発表した。(2016/5/30)

テープアウトは完了:
ARMの10nmチップ、2016年末にもスマホに搭載か
ARMは2016年1月に、TSMCの10nm FinFETプロセス向けにSoC(System on Chip)のテストチップをテープアウトしたことを明らかにした。この10nm SoCは、2016年末までに携帯端末に搭載される予定だという。同プロセス技術は、比較的コストが高いが、低消費電力化に注力している。(2016/5/20)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
SoC設計者がIPに関心を持つべきタイミング
SoCが自律走行車やIoTなどの分野に進出しようとしていますが、求められる要件は分野によって大きく異なります。その結果、SoC開発者がIP(Intellectual Property)を評価・統合する方法に変化が見られます。(2016/5/16)

企業動向を振り返る 2016年4月版:
熊本地震で影響を受けた各社工場一部再開へ/インテル大規模人員削減計画
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年4月は、熊本地震の影響を受けた製造業各社の生産再開見込みに関する速報や、国内外の大手企業による人員整理の話題に注目が集まりました。(2016/5/12)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
スイッチノードリンギングの原因と対策――電子版2016年5月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2016年5月号を発行しました。Cover Storyは、広入力電圧範囲DC-DCコンバーターで発生する「スイッチノードリンギング」を取り上げ、その発生メカニズムと対策を解説しています。その他、「iPhone SE」の製品解剖記事などを掲載しています。(2016/5/9)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/04/14
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年4月14日)(2016/4/15)

Applied Materialsが首位を維持:
半導体製造装置メーカー売上高ランキング――2015年
Gartnerの発表によると、2015年における前工程用半導体装置の売上高は336億米ドルで、前年比1%減だった。売上高上位10社でトップに立ったのは2014年に引き続き、Applied Materialsで、前年比24.7%増と大きく売り上げを伸ばしたLam Researchが2位に続いた。(2016/4/13)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)

「2016 VLSI Symposia」プレビュー:
10nmプロセス以降に焦点、“微細化のその先”も
2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。(2016/3/30)

EE Times Japan Weekly Top10:
ついに“ひと桁”、7nmプロセス開発へ加速
EE Times Japanで2016年3月19〜25日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/3/28)

サーバ市場での勢力拡大を狙い:
ARM、TSMCと7nm FinFET開発で協業
ARMとTSMCが、データセンサーやネットワークインフラ向けに、7nm FinFET開発で協業する。サーバ市場での勢力拡大に積極的なARMは、7nmプロセスの採用によるチップの高性能化を非常に重要視していると専門家は話す。(2016/3/22)

ルネサス欧州法人の車載部門責任者が語る:
GoogleやAppleは車載市場の“トリガー役”に
ルネサス エレクトロニクスは、ドイツ ニュルンベルクで開催された「embedded world 2016」で、IoT機器向けの設計基盤「Renesas Synergyプラットフォーム」に加え、車載向けや産業機器向けの製品も展示した。ルネサスの欧州法人Renesas Electronics Europeで車載部門、産業機器部門を統括するそれぞれのバイスプレジデントに、各市場の動向などを聞いた。(2016/3/18)

約6億円を投じる3カ年計画:
欧州、III-V族半導体の開発プログラムを始動
欧州が、III-V族化合物半導体の開発に本腰を入れる。IBMをはじめ、ドイツやフランスの研究機関、イギリスの大学など、欧州の知識を集結させて、III-V族半導体を用いたトランジスタの研究開発を進める。(2016/3/9)

設計初期から物理情報を活用せよ:
複雑なSoCでのタイミング収束を短期に済ませる秘訣
SoC設計は、ますます高度化し、物理的要因を考慮していないSoCアーキテクチャにより、甚大な被害が生じる事態も散見されるようになっています。そこでこれからのSoC設計で重要になるであろう“秘訣”をご紹介します。(2016/2/17)

Qualcomm、下り最大1GbpsのLTEモデムやウェアラブル向け「Snapdragon Wear」を発表
Qualcommが、下り最大1Gbpsの超高速通信を実現する「Snapdragon X16 LTEモデム」、ウェアラブル端末専用のチップセット「Snapdragon Wear」、Snapdragon 600と400シリーズの新製品を発表した。(2016/2/12)

需要のけん引役はAppleとQualcomm:
次世代FinFETへの移行を加速、SamsungとTSMC
Samsung ElectronicsとTSMCが、次世代FinFETチップへの取り組みを加速させている。14/16nm以降のチップの量産が増加するかは、最大顧客ともいえるAppleとQualcommにかかっているようだ。(2016/2/5)

Cadense Design Modus Test Solution :
テスト時間を3分の1に短縮できるSoC設計テストツール
ケイデンスはSoC設計テストツール「Modus Test Solution」を発表。SoC設計のテスト時間を大幅に短縮できるという。(2016/2/3)

SoCのテスト時間を3分の1にするテストソリューション、ケイデンス「Modus」
ケイデンスがSoC設計のテスト時間を最短で3分の1に短縮可能なDFTツール「Modus Test Solution」を発表した。(2016/2/3)

ルネサスが「ISSCC 2016」で発表:
自動運転向けの故障検出機能、16nmの9コアSoCに
ルネサス エレクトロニクスは、自動運転向けの車載コンピューティングシステム用に、ハードウェアの故障を予測・検出する技術を開発した。さらにそれを、16nm FinFETプロセスを用いた9コアSoC(System on Chip)に実装し、「ISSCC 2016」でデモを披露した。(2016/2/2)

16nm UltraScale+ファミリ全てが入手可能に:
ザイリンクス、16nmハイエンド「Virtex」を出荷
Xilinx(ザイリンクス)は、TSMCの16FF+(16nm FinFET プラス)プロセスを用いたハイエンド向けFPGA「Virtex UltraScale+ FPGA」を顧客向けに出荷を開始したと発表した。(2016/2/2)

カーエレ展でデモ展示:
16nm「Zynq」は消費電力5W以下、自動運転向け?
ザイリンクスは、2016年1月13〜15日に東京ビッグサイトで開催された「国際カーエレクトロニクス技術展」で、先進運転支援システム向けのソリューションの展示を行った。(2016/2/2)

14nm FinFETプロセスを適用:
新Snapdragonの製造、Samsungが全面受注
Samsung Electronicsが、Qualcommの新世代プロセッサ「Snapdragon 820」の製造を全面的に委託したもようだ。Samsungの最新プロセス技術である「14nm Low-Power Plus(LPP)」を適用する。(2016/1/20)

IBMが語る、ウェアラブル向け最先端技術:
人間の脳が握る、デバイス低消費電力化の鍵
ウェアラブル機器に欠かせない要件の1つに、低消費電力がある。「第2回 ウェアラブルEXPO」のセミナーに登壇した日本IBMは、超低消費電力のコンピュータとして、人間の”脳”を挙げ、IBMが開発中の「超低消費電力脳型デバイス」について語った。(2016/1/20)

Samsung、Qualcommの「Snapdragon 820」製造へ
Samsungが14nm LPPプロセスでのプロセッサの大量生産を開始した。同社の「Exynos 8」だけでなく、Qualommの「Snapdragon 820」も製造する。(2016/1/14)

CES 2016:
AMDが次世代デスクトップCPU計画を公開 開発コード名は「Summit Ridge」
CES 2016でAMDが次世代デスクトッププラットフォームのロードマップを初公開。次世代アーキテクチャ“Zen”を採用する次期デスクトップCPUの開発コード名が明らかになった。「Polaris GPU」の実働デモも。(2016/1/8)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(6):
超高密度のSRAM技術と超広帯域のDRAM技術
セッション17とセッション18のテーマはメモリだ。セッション17では、Samsung Electronicsが、10nmのFinFETを用いた高密度SRAMの開発成果を披露する。メモリセルの面積が0.04μm2と、過去最小のSRAMセルを実現している。(2016/1/7)

福田昭のデバイス通信 ISSCC 2016プレビュー(5):
高性能A/D変換器の開発成果と本音トークのパネル討論会
セッション15では、Analog Devices(ADI)が発表する、入力帯域幅が465MHzと極めて広いΔ-Σ方式のA/D変換器などに注目したい。2016年2月1日と2日の夜に行われる、パネル討論会も興味深い。「無線回路を20nm未満に微細化する必要はあるのか」や、「2000年代の回路設計で最も素晴らしい瞬間」などが討論のテーマだ。パネリストたちの熱い本音トークが聞けることを期待したい。(2016/1/6)

AMD、CES 2016にて新GPUアーキテクチャ「Polaris」を発表
米AMDは、同社最新GPUアーキテクチャとなる「Polaris」の発表を行った。搭載製品の出荷は2016年半ばの予定。(2016/1/5)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
FinFET革命がコンピュータアーキテクチャを変える
FinFETの登場により、ムーアの法則はまだ継続される見通しです。ですが、それで全てが解決するわけではありません。FinFETの登場が、大きなSoCを自律的な機能ブロックに分割するという方向に導く結果となるでしょう。(2016/1/5)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

ルネサス エレクトロニクス SRAM:
車載情報機器用SoCに内蔵する画像バッファメモリに最適な16nmプロセス内蔵SRAM
ルネサス エレクトロニクスは16nmプロセス以降の製造プロセスを適用する車載情報機器用SoC向けに、デュアルポートタイプの内蔵SRAMを新規開発した。(2015/12/10)

車載半導体:
自動運転のリアルタイム画像処理に最適、ルネサスが16nmプロセス内蔵SRAMを開発
ルネサス エレクトロニクスは、16nmプロセス以降の製造プロセスを適用する車載情報機器用SoC(System on Chip)向けに、デュアルポートタイプの内蔵SRAMを新規開発した。自動運転技術に用いられる車載カメラなどからの映像信号をリアルタイムで処理する画像バッファメモリとして最適化されている。(2015/12/10)

16nm FinFETに最適化したデュアルポート型:
ルネサス、自動運転車向けSoC用高速SRAMを開発
ルネサス エレクトロニクスは2015年12月9日、16nm世代以降の先端プロセスを採用する車載情報機器用SoC(System on Chip)に内蔵するための高速SRAMを開発したと発表した。(2015/12/9)

「自動運転レベル2、3を超えることができる」:
ルネサス 自動運転車の頭脳となる次世代SoC発表
ルネサス エレクトロニクスは2015年12月2日、車載情報システム向けSoC「R-Carシリーズ」の第3世代品を発表した。2018年以降に市販される自動車への搭載を見込んだ製品群。第1弾製品として同日、サンプル出荷を開始した「R-Car H3」は“自動運転時代のSoC”と位置付けたハイエンド品で、最先端となるTSMCの16nm世代FinFET+プロセスを採用し、高性能な処理能力を盛り込んだ。(2015/12/2)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(12):
可視光と赤外光の画像を同時に撮影
カンファレンス3日目に行われるセッション30では、オリンパスが、可視光と赤外光を同時に別々の画像として撮像するマルチバンド・イメージセンサーについて講演する。セッション31では、シリコン基板上にIII-V族化合物デバイスを作成する、次世代の電子デバイスや光デバイスについての発表が相次いで行われる。(2015/12/2)

政府系ファンドのMubadala Development:
アブダビ、GLOBALFOUNDRIESを売却か
アラブ首長国連邦(UAE) アブダビの政府系ファンドであるMubadala Developmentが、GLOBALFOUNDRIESの売却を検討していると報道された。(2015/11/30)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(11):
生体に埋め込む脳血流量測定システム
今回はセッション27〜29を紹介する。セッション29では、生体組織分析デバイスや生体モニタリングデバイスに関する講演が行われる。Columbia Universityらの研究グループは、有機材料の発光ダイオードおよび光検出器を組み合わせた、脳血流量モニタリングシステムを発表する。同システムの厚みは、わずか5μmしかない。(2015/11/30)

Qualcommからシェアを奪い続けてきたが:
MediaTek、2016年には成長が鈍化か
中国のスマートフォン市場で、Qualcommのシェアを勢いよく奪ってきた台湾MediaTekだが、2016年はその動きにも陰りが出てきそうだ。(2015/11/27)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(9):
究極の低電圧・低消費を目指すスティープスロープFET
2015年12月8日に開催されるセッション22のテーマは「スティープスロープ・トランジスタ」だ。このトランジスタの実現手法に関する研究成果がIntelなどから発表される。同日夜のパネルディスカッションでは、オンチップの相互接続技術や、CMOS技術が直面している課題について議論が行われる予定だ。(2015/11/25)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(8):
折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリ
カンファレンス2日目に予定されているセッション19〜21の内容を紹介しよう。セッション19では、折り曲げ可能なX線イメージング技術や、折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリなど、さまざまなフレキシブルエレクトロニクス技術に関する講演が行われる。折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリは、韓国の研究チームが発表するもので、30万回折り曲げた後でも、安定した電気接続を維持したという。(2015/11/20)

Aシリーズの設計で差別化できているのか:
「A9」に秘められたAppleの狙い(前編)
「iPhone」向けのプロセッサはかつて、「Appleは、他社の市販のプロセッサに切り替えるべき」だといわれたこともあった。だが今、「Aシリーズ」の性能は一定の評価を得ている。(2015/11/18)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(6):
ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破
今回はセッション13〜15の概要を取り上げたい。セッション15では、「モア・ムーア(More Moore)」と「モアザン・ムーア(More Than Moore)」の両方に関する研究成果が発表される。「モアザン」については、フランスの研究チームが折り曲げ可能なCMOS回路を紹介する。(2015/11/13)

最先端プロセスを適用する必要はない:
IoT向けSoCでは、ムーアの法則を追わず
コストと性能のバランスが最も重視されるIoT機器に搭載されるSoCでは、最先端のプロセスを適用することは必ずしも最善の策ではない。(2015/11/12)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(5):
14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料
今回のプレビューでは、セッション10〜12の内容を紹介する。セッション11では、ルネサス エレクトロニクスやSamsung ElectronicsがSRAM関連の技術を発表する。セッション12では、第3の2Dデバイス材料として注目を集める黒リン関連の発表に注目したい。(2015/11/11)

競合に比べてやや失速気味:
UMCが28nmプロセス強化を見送り、稼働率も低下
TSMCやSamsung Electronicsに比べ、UMCがやや失速している。需要の低下により、28nmプロセスの強化を見送るという。開発中の14nm FinFETの量産開始時期も、遅れる可能性がある。(2015/10/30)

両社のCEOは兄弟:
中国VeriSiliconが米Vivanteを買収へ
中国のIPプロバイダーでカスタム半導体の設計サービスも手掛けるVeriSiliconは2015年10月12日、米GPU IPベンダーVivanteを買収すると発表した。買収を通じ、自動車市場でのビジネス強化などを図る方針。(2015/10/15)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。