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「FinFET」最新記事一覧

シノプシス DesignWare ARC HS4x:
シノプシス、性能重視の新ARCプロセッサ
シノプシスが、組み込み向けプロセッサの新ファミリーを発表した。処理性能を重視した製品だが「性能の向上ばかりを重視するわけではなく、組み込み機器に求められている機能をきちんと備えているかの方が重要」だと強調する。(2017/6/13)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

読み出し速度2.5倍:
ルネサス、65nmSOTBで低消費/高速の内蔵SRAM
ルネサス エレクトロニクスは、SOTB(Silicon On Thin BOX)プロセス技術を用いた、ASSP向け低消費電力SRAMを試作した。基板バイアスを制御することにより、極めて小さいスタンバイ電力と高速読み出し動作を実現する。(2017/6/8)

ハイエンド組み込み機器向け:
シノプシス、性能重視の新ARCプロセッサを発表
シノプシスが、組み込みアプリケーション向けプロセッサの新ファミリー「DesignWare ARC HS4x」「DesignWare ARC HS4xD」を発表した。処理性能を重視したファミリーだが、シノプシスは、プロセッサの製品戦略としては「性能の向上ばかりを重視するわけではなく、組み込み機器に求められている機能をきちんと備えているかの方が重要」だと強調した。(2017/6/2)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

IoTエッジ市場に注力:
ラティス、28nm FD-SOIのFPGA開発を決断
Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は、IoT(モノのインターネット)エッジ市場に向けた製品展開や事業の方向性を示す中で、28nm完全空乏型SOI(FD-SOI)技術を用いたFPGAのサンプル出荷を2018年中に行う計画であることを明らかにした。(2017/5/22)

PR:静音を極めたRyzen搭載スペシャルマシン「Silent-Master Pro B350A」
サイコムの静音PCシリーズ「Silent-Master Pro」にCPU市場で話題を独占しているRyzenを搭載したモデルが早くも登場した。(2017/5/16)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

下り600Mbpsや8GBメモリをサポート QualcommがSnapdragon 660/630を発表
Qualcommが、Snapdragonの新製品として「660」と「630」を発表。600シリーズとしては初めてLTEの下り最大600Mbpsの通信に対応。最大8GBメモリもサポートする。(2017/5/10)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(15):
TSMCの1強時代に幕? “2ファブ・オペレーション”が可能になった14/16nm世代
今回は昨今、発表が相次いでいる新しいGPUのチップ解剖から見えてくる微細プロセス、製造工場(ファブ)の事情を紹介する。チップ解剖したのはNVIDIAの新世代GPUアーキテクチャ「Pascal」ベースのGPUと、ゲーム機「PlayStation 4 Pro」にも搭載されているAMDのGPUだ。(2017/4/25)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

半導体技術ロードマップ:
CMOS微細化は2024年までに終息する見込み
最新の半導体ロードマップ「IRDS」によると、CMOSの微細化は2024年末ごろまでに終えんを迎える見込みだという。(2017/3/27)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

Galaxy S7 edgeと比較:
「Snapdragon 835」の性能はどこまで向上した? ベンチマークテストを試す
Qualcommの最新プロセッサ「Snapdragon 835」の性能を体験できる「Benchmarking Workshop」に参加。小型化や低消費電力化が特徴だが、CPUの性能はどこまで上がっているのだろうか。各種ベンチマークアプリで試してみた。(2017/3/22)

MWC 2017:
スマホチップ大手の傾向で探る次期iPhoneのヒント
「MWC 2017」で、スマートフォン向けアプリケーションプロセッサを手掛けるQualcommやSamsung Electronics、MediaTekといった主要サプライヤーの最新製品を見ていると、Appleの次期「iPhone」に搭載される可能性が高い技術が見えてくる。(2017/3/1)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

RYZENでデスクトップCPU市場に殴り込みをかけたAMD
開発コード名“Summit Ridge”こと「RYZEN 7シリーズ」が登場する。8コア/16スレッドで、国内市場想定価格は最上位のRYZEN 7 1800Xが5万9800円(税別)。(2017/2/23)

5Gワイヤレスを視野に:
16nm MPSoCにRFデータコンバーターを統合
Xilinx(ザイリンクス)は、RFクラスのアナログ技術を統合した「All Programmable RFSoC」について、その技術概要を発表した。(2017/2/22)

福田昭のデバイス通信(101) 高性能コンピューティングの相互接続技術(6):
NVIDIAがエネルギー効率の高い相互接続チップを試作
相互接続(インターコネクト)のエネルギー効率を高める技術の1つである「バランス型電荷再利用バス(BCRB:Balanced Charge Recycling Bus)」。今回は、BCRB技術のバスを搭載したテストチップの概要と、実験結果について解説する。(2017/1/30)

フロントエンドでの“最良の選択”が鍵:
バックエンドのタイミングクロージャー問題の解消法
昨今、チップ設計は複雑性が増し、設計期間は長くなっています。特に、タイミングクロージャー問題が、設計期間を延ばし、最悪の場合、タイミングを収束できずチップ設計自体が中止になる場合があります。そこでチップ開発終盤のタイミングクロージャー問題を回避する方法を提案します。(2017/1/27)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

CES 2017:
Quick Charge 4.0や下り1GbpsのLTE通信に対応――「Snapdragon 835」発表
Qualcommがモバイル端末向けの最新プロセッサ「Snapdragon 835」を発表。Snapdragon 820と比べて小型化や低消費電力を実現。モバイル通信やWi-Fi通信の性能も向上している。(2017/1/5)

Windows 10対応でIntelに脅威?:
Qualcommの新Snapdragon、10nmプロセスを採用
Qualcommが「CES 2017」(2017年1月5〜8日)に合わせて、最新SoC「Snapdragon 835」を発表した。10nm FinFETプロセスを採用した、初のアプリケーションプロセッサとなる。(2017/1/5)

高度に洗練された新世代CPU:
Kaby Lakeこと第7世代Coreプロセッサーを理解する
Intelから開発コードネーム「Kaby Lake」こと第7世代Coreプロセッサーの追加ラインアップが発表された。その概要とラインアップのポイントを解説する。(2017/1/5)

iPhoneに続いてPCの音声端子もなくなる? 知っておきたい2017年の注目技術
PCの外部拡張端子はUSB Type-Cに集約する方向が定まったが、今後は新機能も盛り込みつつ、それが加速しそうだ。2017年のPC製品に影響を与えそうな注目技術をまとめた。(2017/1/2)

2016年の記事ランキング トップ30:
業界が驚いたM&AからIntelモバイル撤退まで、2016年に最も読まれた30本
1年の締めくくりとして、EE Times Japanに掲載した2016年全記事(1430本)の中から、最もアクセスを集めた記事を30本、紹介します!(2016/12/28)

これでできないゲームはほとんどない!:
映像と音にこだわったゲーマー向けPC「G-GEAR note N1584J-710/T」
ノートPCでもデスクトップPCに肩を並べる3D描画性能を備えたゲーミングPCが爆誕。「GTX 1070搭載」のフルHD解像度のゲーミングノートの実力を見てみよう。(2016/12/22)

Pascalでさらに進化:
ノートでゲームするならGTX 1070搭載モデルに注目!! 「NEXTGEAR-NOTE i5720」実力検証
Pascal世代のGPUでは電力効率が大幅にアップし、型番末尾に「M」がつかなくなったノートPC向けGPUは進化が強烈だ。GeForce GTX 1070を搭載したNEXTGEAR i5720の実力をチェックしよう。(2016/12/16)

早ければ2022年にも生産開始:
TSMC、3nmチップの工場建設計画を発表
TSMCが5nmおよび3nmチップの製造工場を新たに建設する計画を発表した。大手ファウンドリー各社のプロセス開発競争は激化の一途をたどっている。(2016/12/15)

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

16/14nmマイコンへの混載に向け:
ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発
ルネサス エレクトロニクスが、フィン構造を採用したSG(Split-Gate型)-MONOSフラッシュメモリセルの開発に成功したと発表した。フィン構造としたことで、FinFETなど先端のロジックプロセスとの親和性が高くなり、次世代の16nm/14nm世代マイコンに混載できるようになる。(2016/12/7)

「EyeQ」には7nm FinFETも活用:
次期MCUはFD-SOI、STトップ「シリコン回帰」強調
MEMS製品やARMマイコンに強みを持つSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)。同社のCEOであるCarlo Bozotti氏は、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)などが、他社との差異化技術になると強調する。(2016/11/22)

Qualcommのモバイル向けSoC:
次世代Snapdragon、Samsungの10nmプロセスを適用
Qualcommは、同社のSoC(System on Chip)「Snapdragon 835」に、Samsung Electronicsの10nmプロセスを適用すると発表した。QualcommはSamsungとの間で、ファウンドリー契約を10年延長している。(2016/11/21)

i.MX8はどうなる?:
QualcommのNXP買収、業界に及ぼす影響(後編)
後編となる今回は、NXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)の「i.MX8」アーキテクチャや、プロセス技術、マシンビジョンなどの側面から、今回の買収による影響を掘り下げる。(2016/11/7)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

福田昭のデバイス通信(95):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(後編)
前回に続き、5nm世代のロジック配線プロセスを展望したimecの講演を紹介する。後編となる今回は、微細化に対応して配線抵抗(R)と配線容量(C)を最適化する方法について解説する。(2016/10/24)

車載ソフトウェア:
ルネサスから5万円の自動運転開発用SoCキット、ディープラーニングでの画像認識にも対応
ルネサス エレクトロニクスは、高度運転支援システム(ADAS)のソフトウェア開発向けに5万円から購入できる開発キットを発売する。ディープラーニングによる画像認識を使った運転支援や統合コックピットの開発に対応する。安価な開発キットを販売することで、エンジニアの新規参入を促す狙いだ。(2016/10/21)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

GTX 1080とi7-6700Kを静音冷却:
真に快適なゲームマシンとは? その答えは「ダブル水冷」かもしれない
「ゲームをバリバリ楽しめる高性能なPCが欲しい」「しかも放熱がしっかりしていて動作音が静かなPCが欲しい」――だったらG-Tuneのダブル水冷モデルに注目だ。(2016/9/30)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

EE Times Japan Weekly Top10:
「世界初のICメーカー」が消えた日
EE Times Japanで2016年9月17〜23日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/9/24)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。