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「FinFET」最新記事一覧

「EyeQ」には7nm FinFETも活用:
次期MCUはFD-SOI、STトップ「シリコン回帰」強調
MEMS製品やARMマイコンに強みを持つSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)。同社のCEOであるCarlo Bozotti氏は、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)などが、他社との差異化技術になると強調する。(2016/11/22)

Qualcommのモバイル向けSoC:
次世代Snapdragon、Samsungの10nmプロセスを適用
Qualcommは、同社のSoC(System on Chip)「Snapdragon 835」に、Samsung Electronicsの10nmプロセスを適用すると発表した。QualcommはSamsungとの間で、ファウンドリー契約を10年延長している。(2016/11/21)

i.MX8はどうなる?:
QualcommのNXP買収、業界に及ぼす影響(後編)
後編となる今回は、NXP Semiconductors(NXPセミコンダクターズ)の「i.MX8」アーキテクチャや、プロセス技術、マシンビジョンなどの側面から、今回の買収による影響を掘り下げる。(2016/11/7)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

福田昭のデバイス通信(95):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(後編)
前回に続き、5nm世代のロジック配線プロセスを展望したimecの講演を紹介する。後編となる今回は、微細化に対応して配線抵抗(R)と配線容量(C)を最適化する方法について解説する。(2016/10/24)

車載ソフトウェア:
ルネサスから5万円の自動運転開発用SoCキット、ディープラーニングでの画像認識にも対応
ルネサス エレクトロニクスは、高度運転支援システム(ADAS)のソフトウェア開発向けに5万円から購入できる開発キットを発売する。ディープラーニングによる画像認識を使った運転支援や統合コックピットの開発に対応する。安価な開発キットを販売することで、エンジニアの新規参入を促す狙いだ。(2016/10/21)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(93):
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。(2016/10/14)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

Huamiのスマートウォッチ:
ソニー製チップの採用でFD-SOIへの関心高まる?
28nm FD-SOIプロセスを採用したソニーのGPSチップが、中国のスマートウォッチに搭載された。FD-SOIプロセスに対する関心が高まる可能性がある。(2016/10/6)

GTX 1080とi7-6700Kを静音冷却:
真に快適なゲームマシンとは? その答えは「ダブル水冷」かもしれない
「ゲームをバリバリ楽しめる高性能なPCが欲しい」「しかも放熱がしっかりしていて動作音が静かなPCが欲しい」――だったらG-Tuneのダブル水冷モデルに注目だ。(2016/9/30)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

福田昭のデバイス通信(90):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(imec編)
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。(2016/9/27)

EE Times Japan Weekly Top10:
「世界初のICメーカー」が消えた日
EE Times Japanで2016年9月17〜23日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/9/24)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

2025年までは28nm FinFETが優勢だが:
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。(2016/9/15)

10nm FinFETプロセスを超える性能?:
GF、12nm FD-SOIプロセス「12FDX」を発表
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、22nmプロセスを用いたFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)のプラットフォーム「22FDX」の後継となる次世代FD-SOIプロセス「12FDX」を発表した。GFによると、「10nm FinFETプロセスを超える性能を提供することが可能」とし、2019年の製造開始を計画する。(2016/9/14)

極上の性能を約束:
Broadwell-E&Pascalの最強タッグ!! 50万円を余裕で超えるウルトラハイエンドPC「MASTERPIECE i1580GA5-SP3」実力検証
CPU、GPUともに最新世代のハイエンドパーツで固めたG-Tuneのフラッグシップモデルが「MASTERPIECE i1580」シリーズだ。その実力やいかに?(2016/7/28)

高くない?:
GeForce GTX 1080性能検証
10万円近い価格でありながら売り切れが続出するGeForce GTX 1080。遅ればせながらパフォーマンスを計測し、そのパフォーマンスに驚き、そしていろいろと考えてみた。(2016/7/14)

競合最新GPUとの比較も:
新世代ミドルレンジGPU「Radeon RX 480」の性能をチェック
AMDから登場した「Polaris 10」こと「Radeon RX 480」。NVIDIAに続きAMDも新世代GPUを投入し、いよいよ自作界隈が賑やかになってきた。DirectX 12とWindows 10にからんで、グラフィックスカードは買い替えどきでもある。性能はいかに?(2016/6/29)

Polarisの狙いは?:
AMDの最新GPU「Radeon RX 480」まとめ
2枚構成なら500ドル以下の価格で“競合ハイエンド”を上回るという「Radeon RX 480」が発売。ミドルレンジでGPU市場のイニシアチブを奪還できるのか?(2016/6/29)

電子ブックレット:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏が、Synopsysのユーザー向けイベントで語った講演の内容について紹介します。(2016/6/26)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(4):
FinFETの次なるトランジスタはナノワイヤ?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum 2016(ITF 2016)」(2016年5月24〜25日)では、FinFETの次なるトランジスタとして、ナノワイヤが話題に上った。(2016/6/22)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

16nm世代の自動運転車向けSoCに展開へ:
ルネサス「世界最速/高集積」の画像処理用SRAM
ルネサス エレクトロニクスは2016年6月16日、16nm以降のFinFETプロセスを用いたSoCに内蔵するためのSRAM技術として、「世界最高の集積性と速度を実現したSRAMを開発した」と発表した。(2016/6/16)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(2):
EUVは、微細化の“万能策”ではない
半導体製造プロセスの微細化を進めるには、EUV(極端紫外線)リソグラフィーが鍵になるといわれている。ばく大な資金が、同技術の開発に投入されているが、その進捗は必ずしも期待通り、予定通りではないようだ。(2016/6/9)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(1):
わずかな微細化、見合わぬ労力
「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、半導体業界の将来に関する基調講演やインタビューが多数行われた。GLOBALFOUNDRIESのCTOを務めるGary Patton氏は、「2年ごとにコストを35%ずつ下げ、性能を20%ずつ上げることのできた時代は20nmプロセスで終わった」と述べる。(2016/6/8)

「ムーアの法則」の生みの親に対しIMEC:
微細化、「3nmまでいくのでは」
「ムーアの法則」の生みの親であるGordon Moore氏が、ハワイの自宅でベルギーIMECのビデオインタビューに応じ、未来の技術に関する自身の見解や、1965年以来半導体業界に大きな影響を及ぼし続けてきたムーアの法則の今後について語った。87歳となった同氏は、謙虚なエンジニアはいつまでも自分を笑いの種として語れることを示してみせた。(2016/6/6)

「Cortex-A73」/「Mali-G71」:
ARMの新型コアでAR・VRの普及が加速か
「COMPUTEX TAIPEI 2016」で新しいCPUコア/GPUコアを発表したARMは、ゲームやスマートフォンでのVR(仮想現実)、AR(拡張現実)ユーザー体験を向上し、それらの普及を加速させるとしている。(2016/6/3)

G-Tune、最新10コア/20スレッド動作のCore i7-6950X搭載ゲーミングPC
Broadwell-Eを採用したハイエンドゲーミングPCが登場。(2016/6/1)

COMPUTEX TAIPEI 2016:
「Radeon RX 480」は199ドル 競合を圧倒する高コスパをAMDがアピール
米AMDが“Polaris”こと新GPUの概要を発表。Radeon RX 480は199ドルで6月29日に市場へ投入する見込み。2枚で組んでも500ドル以下、性能で“700ドルクラスのカード”(GeForce GTX 1080)を上回るという。(2016/6/1)

最先端ICではFinFETが主流だが:
GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESは、22nmプロセスを用いたFD-SOIのプラットフォーム「22FDX」の後継プラットフォームを開発中だという。とはいえ、最先端ICの世界では、FinFETが主流だ。GLOBALFOUNDRIESは、アナログ/RF回路ではFinFETよりもFD-SOIが適していると、FinFETに比べた時の利点を主張する。(2016/5/31)

VR時代のARMコアとGPUコア
ARMが「モバイル機器でのVR体験を再定義」する、次世代モバイル機器向けCPUコア「Cortex-A73」とグラフィックコア「Mali-G71」を発表した。(2016/5/30)

テープアウトは完了:
ARMの10nmチップ、2016年末にもスマホに搭載か
ARMは2016年1月に、TSMCの10nm FinFETプロセス向けにSoC(System on Chip)のテストチップをテープアウトしたことを明らかにした。この10nm SoCは、2016年末までに携帯端末に搭載される予定だという。同プロセス技術は、比較的コストが高いが、低消費電力化に注力している。(2016/5/20)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
SoC設計者がIPに関心を持つべきタイミング
SoCが自律走行車やIoTなどの分野に進出しようとしていますが、求められる要件は分野によって大きく異なります。その結果、SoC開発者がIP(Intellectual Property)を評価・統合する方法に変化が見られます。(2016/5/16)

企業動向を振り返る 2016年4月版:
熊本地震で影響を受けた各社工場一部再開へ/インテル大規模人員削減計画
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年4月は、熊本地震の影響を受けた製造業各社の生産再開見込みに関する速報や、国内外の大手企業による人員整理の話題に注目が集まりました。(2016/5/12)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
スイッチノードリンギングの原因と対策――電子版2016年5月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2016年5月号を発行しました。Cover Storyは、広入力電圧範囲DC-DCコンバーターで発生する「スイッチノードリンギング」を取り上げ、その発生メカニズムと対策を解説しています。その他、「iPhone SE」の製品解剖記事などを掲載しています。(2016/5/9)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/04/14
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年4月14日)(2016/4/15)

Applied Materialsが首位を維持:
半導体製造装置メーカー売上高ランキング――2015年
Gartnerの発表によると、2015年における前工程用半導体装置の売上高は336億米ドルで、前年比1%減だった。売上高上位10社でトップに立ったのは2014年に引き続き、Applied Materialsで、前年比24.7%増と大きく売り上げを伸ばしたLam Researchが2位に続いた。(2016/4/13)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

新しいトランジスタのアイデアも:
FinFETの父、「半導体業界は次の100年も続く」
“FinFETの父”と呼ばれる研究者のChenming Hu氏は、Synopsysのユーザー向けイベントで、「半導体業界が次の100年も続くと確信している」と述べ、業界の未来が決して暗いものではないと主張した。同氏は新しいトランジスタのアイデアとして、NC-FET(負性容量トランジスタ)についても言及した。(2016/4/7)

「2016 VLSI Symposia」プレビュー:
10nmプロセス以降に焦点、“微細化のその先”も
2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。(2016/3/30)

EE Times Japan Weekly Top10:
ついに“ひと桁”、7nmプロセス開発へ加速
EE Times Japanで2016年3月19〜25日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/3/28)

サーバ市場での勢力拡大を狙い:
ARM、TSMCと7nm FinFET開発で協業
ARMとTSMCが、データセンサーやネットワークインフラ向けに、7nm FinFET開発で協業する。サーバ市場での勢力拡大に積極的なARMは、7nmプロセスの採用によるチップの高性能化を非常に重要視していると専門家は話す。(2016/3/22)

ルネサス欧州法人の車載部門責任者が語る:
GoogleやAppleは車載市場の“トリガー役”に
ルネサス エレクトロニクスは、ドイツ ニュルンベルクで開催された「embedded world 2016」で、IoT機器向けの設計基盤「Renesas Synergyプラットフォーム」に加え、車載向けや産業機器向けの製品も展示した。ルネサスの欧州法人Renesas Electronics Europeで車載部門、産業機器部門を統括するそれぞれのバイスプレジデントに、各市場の動向などを聞いた。(2016/3/18)

約6億円を投じる3カ年計画:
欧州、III-V族半導体の開発プログラムを始動
欧州が、III-V族化合物半導体の開発に本腰を入れる。IBMをはじめ、ドイツやフランスの研究機関、イギリスの大学など、欧州の知識を集結させて、III-V族半導体を用いたトランジスタの研究開発を進める。(2016/3/9)

設計初期から物理情報を活用せよ:
複雑なSoCでのタイミング収束を短期に済ませる秘訣
SoC設計は、ますます高度化し、物理的要因を考慮していないSoCアーキテクチャにより、甚大な被害が生じる事態も散見されるようになっています。そこでこれからのSoC設計で重要になるであろう“秘訣”をご紹介します。(2016/2/17)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。