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「FinFET」最新記事一覧

Intelの牙城を切り崩せるか:
Intelの元社長、サーバ向けArm SoCで再始動
2015年にIntelを退任した、元プレジデントのRenee James氏が、Ampere ComputingのCEOとして、データセンター向けサーバ向けArm SoC(System on Chip)を発表した。データセンター向けサーバ市場は現在、Intelの独占状態だ。(2018/2/7)

小型、低消費電力FPGAを強みに:
エッジコンピューティング、低電力でAI実現
AI(人工知能)技術をベースとしたエッジコンピューティングを次の成長ドライバーと位置付けるLattice Semiconductor。フォーカスする分野は消費電力が1W以下で、処理性能は1テラOPS(Operations Per Second)までのアプリケーションだ。(2018/2/5)

福田昭のデバイス通信(135) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(11):
技術講演の最終日午前(その4)、周波数を88倍に高めるクロック発生回路
「ISSCC 2018」最終日の技術講演から、セッション23〜25のハイライトをお届けする。周波数が300GHzと極めて高い発振器の他、GaNデバイスを駆動する電源回路技術、5GHzのクロックを発生する回路などが紹介される。(2018/1/31)

福田昭のデバイス通信(134) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(10):
技術講演の最終日午前(その3)、72Gサンプル/秒の8ビット超高速A-D変換回路
「ISSCC 2018」最終日午前の技術講演から、セッション21と22を紹介する。データ転送速度が10Gビット/秒で消費電力が150μWのシリコンフォトニクス送受信回路や、72Gサンプル/秒の8ビットSAR型A-D変換回路などについて、開発成果が披露される。(2018/1/25)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

福田昭のデバイス通信(131) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(7):
ISSCC技術講演の2日目午後ハイライト(その2)、低ジッタの高周波PLL、全天周撮影のカプセル内視鏡など
前回に続き、「ISSCC 2018」2日目午後の技術講演から、見どころを紹介する。低消費電力の2.4GHz帯無線端末用PLL回路や、全天周をVGA解像度で撮影するカプセル内視鏡などが登場する。(2018/1/15)

福田昭のデバイス通信(129) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(5):
ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その2)、GPS不要の超小型ナビ、16Gビット高速大容量DRAMなど
「ISSCC 2018」2日目午前に行われるセッションのうち、セッション9〜12の見どころを紹介する。76GHz〜81GHz帯を使用する車載用ミリ波レーダー送受信回路や、超小型の慣性式ナビゲーションシステム、GDDR6準拠の16GビットDRAMなどが登場する。(2018/1/9)

編集部が独断と偏見で選ぶ:
2017年のエレクトロニクス業界を記事で振り返る
2017年のエレクトロニクス業界を、EE Times Japanに掲載した記事で振り返ります。(2017/12/27)

福田昭のデバイス通信(127) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(3):
ISSCC技術講演の初日午後ハイライト(その2)、超高速無線LANや測距イメージセンサーなど
「ISSCC 2018」技術講演の初日(2018年2月12日)。午後のハイライトとして、ミリ波無線、イメージセンサー、超高速有線通信をテーマにした注目論文を紹介する。ミリ波無線では「IEEE 802.11ad」に準拠した送受信回路チップが登場。イメージセンサーでは、ソニーやパナソニックが研究成果を披露する。有線通信では、PAM-4によって100Gビット/秒の通信速度を実現できる回路が発表される。(2017/12/21)

福田昭のデバイス通信(126) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(2):
ISSCC技術講演の初日午後ハイライト(その1)、プロセッサとアナログの最先端技術
「ISSCC 2018」技術講演の初日(2018年2月12日)。午後のハイライトは、最先端のプロセッサおよびアナログ技術の論文発表だ。プロセッサでは、IntelやIBM、AMDが、アナログ技術ではQualcommやMediaTekが、それぞれの研究成果を披露する。(2017/12/19)

Snapdragon Tech Summit 2017:
「Snapdragon 845」で何が変わる? “順当進化”の中身を解説する
Snapdragon 845を一言でいえば「順当進化」だ。全体でパフォーマンスが向上した他、映像表現、カメラ、VR/AR、セキュリティも強化されている。その内容を見ていこう。(2017/12/18)

従来製品と比べて9倍のディープラーニング性能を実現:
PCでAIやディープラーニング開発を――NVIDIA、「Volta」アーキテクチャベースのPC向けGPU「TITAN V」をリリース
NVIDIAは、HPCやAI用の「NVIDIA Volta」アーキテクチャに基づくPC向けGPU「TITAN V」を販売開始した。(2017/12/12)

バラして見ずにはいられない:
分解して理解する、iPhone 8/8 Plusとは違う「iPhone X」の中身
「iPhone X」は有機ELや顔認証を採用するなど、新たな要素が満載だ。それだけにiPhone 8/8 Plusとの違いも多い。分解して分かった、iPhone Xならではの特徴とは?(2017/12/11)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「GbEのMarvell」より脱却なるか、Caviumの買収は理想的だが新CEOの手腕は不明
ネットワークプロセッサに強みを持つMarvellが、同種企業であるCaviumの買収を発表した。製品も顧客も重複が少なく、ARMサーバ向けSoCなどで存在感を高めているCaviumのハイエンド製品はHPCやクラウドからの関心も高く理想的といえるが、買収後にうまく事業が回転するかは不透明だ。(2017/12/8)

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):
IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm/7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。(2017/11/28)

福田昭のデバイス通信(121) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(5):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その1):記憶密度を2倍に高める3D NAND技術
今回から、12月5日午後の注目講演を順次紹介していく。電荷ベースのメモリ、最先端CMOSのさらなる微細化手法、最先端の金属ゲート技術やコンタクト技術など、興味深いテーマが並ぶ。(2017/11/21)

日本では初展示のデモも:
機械学習機能や5G無線を実現する最新FPGA
ザイリンクスは、「Embedded Technology 2017(ET 2017)/IoT Technology 2017」で、「Zynq UltraScale+RFSoC」のデモ展示や、「reVISIONスタック」を活用したビジョンシステムの開発事例などを紹介した。(2017/11/20)

バラして見ずにはいられない:
ワイヤレス充電対応で中身が大きく変わった「iPhone 8/8 Plus」
「iPhone 8/8 Plus」はワイヤレス充電に対応した初めてのiPhone。これに伴い、中身も大きく変更されている。また、一部のiPhone 8/8 Plusでバッテリーが膨張するという報告があったようだが、この原因についても考察したい。(2017/11/15)

福田昭のデバイス通信(119) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(3):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その1):論理機能可変の不揮発性ロジック
「IEDM 2017」について、技術講演の2日目となる12月5日の午前のセッションから注目講演を紹介する。モアムーアやモアザンムーアを進めていくときの課題や、オールカーボンの次世代多層配線などが発表される。(2017/11/14)

鈴木淳也の「Windowsフロントライン」:
うわさのサーバ向けARMプロセッサ「Qualcomm Centriq 2400」が正式ローンチ Intel Xeonと比較した実力は?
Qualcommが投入したサーバ向けARM SoC「Centriq 2400」は、Intel Xeonの牙城を崩せるのか。米カリフォルニアで開催されたローンチイベントを現地からレポートする。(2017/11/9)

売却破談でも成長続けると明言:
超小型FPGAをエッジに、独自路線を進むLattice
小型で低消費電力のFPGAを手掛けるLattice Semiconductorは、クラウド市場に注力する他のFPGAベンダーとは明確に路線を分け、エッジ向けに力を入れる。(2017/11/7)

NXP LX2160A:
ARMの64bitコア、Cortex-A72を採用したSoC
NXPセミコンダクターズは、ARM 64ビット16コアを採用したSoC「LX2160A」を発表した。最大100GbpsのイーサネットとPCI Express Gen4のインターコネクト規格をサポートする。(2017/11/1)

Intelの10nm、GFの7nm:
最先端プロセスの最新論文が一堂に IEDM 2017
2017年11月に米国で開催される「IEDM」では、IntelやGLOBALFOUNDRIES(GF)が、それぞれの最先端プロセスの詳細を発表するようだ。その他、FinFETに代わる次世代トランジスタ技術に関する論文発表などが相次ぐ。(2017/10/20)

NXP LX2160A:
ARM 64ビット16コアを採用したSoC
NXPセミコンダクターズは、ARM 64ビット16コアを採用したSoC(System on Chip)「LX2160A」を発表した。最大100Gビット/秒(bps)のイーサネットとPCI Express Gen4のインターコネクト規格をサポートする。(2017/10/19)

新たなビジネスモデルの構築へ:
車載分野に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIESが、新たな自動車プラットフォームである「AutoPro」を発表した。車載分野向けの技術提供に本腰を入れるGLOBALFOUNDRIESは、ティア1や半導体メーカーではなく、自動車メーカーと直接パートナーシップを結ぶという、これまでになかったビジネスモデルを築こうとしている。(2017/10/17)

17年に7nmをテープアウト:
TSMC、7nm/EUVの開発状況をアップデート
TSMCは2017年9月、米国で開催されたイベントで7nmプロセス技術やEUV(極端紫外線)リソグラフィの開発状況などを説明した。(2017/9/25)

超高速ネットワークの挫折と復活【第2回】
25G/40GBASE-Tの普及を阻む「大きすぎる消費電力」
期待は大きいのに普及が遅れている“10Gbps級”ネットワークの問題克服への挑戦を記したこの物語。ようやく問題解決の道筋が見えてくる……はずだったが。(2017/8/23)

バラして見ずにはいられない:
Galaxy S8+には“最先端”の中身が詰まっていた
Samsungの最新スマートフォン「Galaxy S8+」の分解レポートをお届けする。中身を見ると、最先端の部品が詰まっている。気になるバッテリーのメーカーも調べた。(2017/8/3)

今後の半導体業界を見据え:
パッケージングとEDAの技術革新が必要 AMDのCTO
AMDは現在、7nmプロセスの実用化に向けて開発を加速している。同社の製品のうち、7nmプロセスを最初に適用するプロセッサは「Zen 2」「Zen 3」の予定だ。AMDのCTOを務めるMark Papermaster氏は、プロセスの微細化や、「ムーアの法則プラス」の時代では、パッケージング技術とEDAツールにおける技術革新が必要になると話す。(2017/7/26)

シノプシス DesignWare EV6x:
組み込みビジョンプロセッサのCNNエンジンを強化
シノプシスは、同社のエンベデッドビジョンプロセッサ「DesignWare EV6x Vision Processors」に搭載されている畳み込みニューラルネットワーク(CNN)エンジンを強化した。従来製品と比較して性能が4倍向上している。(2017/7/25)

組み込み開発ニュース:
組み込みビジョンプロセッサの畳み込みCNNエンジンを強化
シノプシスは、同社のエンベデッドビジョンプロセッサ「DesignWare EV6x Vision Processors」に搭載されている畳み込みニューラルネットワーク(CNN)エンジンを強化した。従来製品と比較して性能が4倍向上している。(2017/7/12)

高性能、低消費電力、そしてスマートに:
PR:最新シリコン技術とソフト制御で目覚ましい進化を遂げるDC-DCコンバーター
DC-DCコンバーターは、最新のシリコン技術とソフトウェア制御技術の組み合わせで進化を続ける。インテル プログラマブル・ソリューションズ事業本部(日本アルテラ株式会社)は、FPGAなどの負荷デバイスなどに対して、電力最適化機能を適用することによって最大の効率を維持し、省電力化を実現するための電源ソリューションを提案する。(2017/6/29)

シノプシス DesignWare ARC HS4x:
シノプシス、性能重視の新ARCプロセッサ
シノプシスが、組み込み向けプロセッサの新ファミリーを発表した。処理性能を重視した製品だが「性能の向上ばかりを重視するわけではなく、組み込み機器に求められている機能をきちんと備えているかの方が重要」だと強調する。(2017/6/13)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

読み出し速度2.5倍:
ルネサス、65nmSOTBで低消費/高速の内蔵SRAM
ルネサス エレクトロニクスは、SOTB(Silicon On Thin BOX)プロセス技術を用いた、ASSP向け低消費電力SRAMを試作した。基板バイアスを制御することにより、極めて小さいスタンバイ電力と高速読み出し動作を実現する。(2017/6/8)

ハイエンド組み込み機器向け:
シノプシス、性能重視の新ARCプロセッサを発表
シノプシスが、組み込みアプリケーション向けプロセッサの新ファミリー「DesignWare ARC HS4x」「DesignWare ARC HS4xD」を発表した。処理性能を重視したファミリーだが、シノプシスは、プロセッサの製品戦略としては「性能の向上ばかりを重視するわけではなく、組み込み機器に求められている機能をきちんと備えているかの方が重要」だと強調した。(2017/6/2)

2018年に7nmと12FDX立ち上げへ:
EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り
2017年5月31日、来日したGLOBALFOUNDRIES(グローバルファウンドリーズ/GF)CMOSプラットフォーム事業部シニアバイスプレジデントのGregg Bartlett氏に7nm FinFET、12nm FD-SOIの開発状況などについてインタビューした。(2017/6/1)

「MBCFET」を製造:
Samsung、2020年に4nmのリスク生産を開始
Samsung Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。2020年に4nmプロセスを用いて、同社独自の「MBCFET(Multi Bridge Channel FET)」のリスク生産を開始する予定だという。(2017/5/29)

14オングストロームプロセス!?:
IMECの半導体ロードマップ展望
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。(2017/5/24)

IoTエッジ市場に注力:
ラティス、28nm FD-SOIのFPGA開発を決断
Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター)は、IoT(モノのインターネット)エッジ市場に向けた製品展開や事業の方向性を示す中で、28nm完全空乏型SOI(FD-SOI)技術を用いたFPGAのサンプル出荷を2018年中に行う計画であることを明らかにした。(2017/5/22)

PR:静音を極めたRyzen搭載スペシャルマシン「Silent-Master Pro B350A」
サイコムの静音PCシリーズ「Silent-Master Pro」にCPU市場で話題を独占しているRyzenを搭載したモデルが早くも登場した。(2017/5/16)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

下り600Mbpsや8GBメモリをサポート QualcommがSnapdragon 660/630を発表
Qualcommが、Snapdragonの新製品として「660」と「630」を発表。600シリーズとしては初めてLTEの下り最大600Mbpsの通信に対応。最大8GBメモリもサポートする。(2017/5/10)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(15):
TSMCの1強時代に幕? “2ファブ・オペレーション”が可能になった14/16nm世代
今回は昨今、発表が相次いでいる新しいGPUのチップ解剖から見えてくる微細プロセス、製造工場(ファブ)の事情を紹介する。チップ解剖したのはNVIDIAの新世代GPUアーキテクチャ「Pascal」ベースのGPUと、ゲーム機「PlayStation 4 Pro」にも搭載されているAMDのGPUだ。(2017/4/25)

競合に対する優位性を示す?:
Intelが10nmプロセスの詳細を明らかに
Intelは2017年に10nmチップ製造を開始する予定だ。さらに、22nmの低電力FinFET(FinFET low power、以下22nm FFL)プロセスも発表した。GLOBALFOUNDRIESなどが手掛けるFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)に真っ向から挑み、ファウンドリービジネスで競い合う。(2017/4/4)

半導体技術ロードマップ:
CMOS微細化は2024年までに終息する見込み
最新の半導体ロードマップ「IRDS」によると、CMOSの微細化は2024年末ごろまでに終えんを迎える見込みだという。(2017/3/27)

FD-SOIを意識:
TSMCが7nmなど最新プロセスの開発状況を報告(前編)
TSMCは2017年3月15日(米国時間)にカリフォルニア州で開催したイベント「TSMC Technology Symposium」で、最先端プロセスの開発状況を報告した。その発表からは、FD-SOIプロセスへの対抗心が垣間見えた。(2017/3/23)

Galaxy S7 edgeと比較:
「Snapdragon 835」の性能はどこまで向上した? ベンチマークテストを試す
Qualcommの最新プロセッサ「Snapdragon 835」の性能を体験できる「Benchmarking Workshop」に参加。小型化や低消費電力化が特徴だが、CPUの性能はどこまで上がっているのだろうか。各種ベンチマークアプリで試してみた。(2017/3/22)

MWC 2017:
スマホチップ大手の傾向で探る次期iPhoneのヒント
「MWC 2017」で、スマートフォン向けアプリケーションプロセッサを手掛けるQualcommやSamsung Electronics、MediaTekといった主要サプライヤーの最新製品を見ていると、Appleの次期「iPhone」に搭載される可能性が高い技術が見えてくる。(2017/3/1)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。