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「福田昭のストレージ通信」最新記事一覧

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの現状と将来(1):
モバイル機器のフラッシュストレージ
2016年5月にパリで開催されたばかりの「国際メモリワークショップ(IMW:International Memory Workshop)」から、Micron Technologyが解説したメモリシステムについて紹介する。(2016/6/28)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(13):
MTJの自由層に求められるもの
磁気トンネル接合(MTJ)は「トンネル障壁層」と「自由層」の2つで構成される。今回は「自由層」について解説しよう。自由層に適した強磁性材料と、その材料が抱える課題について説明する。(2016/6/13)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(12):
MTJにおけるトンネル障壁層の重要性
今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する主要な層の1つである「トンネル障壁層」について解説していく。(2016/6/10)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(10):
スピン注入による磁化反転の動作
今回は、磁気トンネル接合(MTJ)素子における、電子スピン注入による磁化(磁気モーメント)の振る舞いについて解説する。(2016/6/3)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(9):
電子スピンの注入による磁化反転の原理
磁気トンネル接合(MTJ)を利用したデータ書き込み原理の説明を続ける。今回は、電子スピンの注入によるデータ書き込み(磁化反転)の原理に触れる。(2016/5/31)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(8):
外部磁界による書き込みの限界
磁気トンネル接合(MTJ)を利用したデータ書き込みの原理を説明していく。まず、外部磁界による書き込みとその限界を紹介する。(2016/5/27)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(7):
MRAMの記憶素子「磁気トンネル接合」
今回は、磁気トンネル接合素子に焦点を当てる。磁気トンネル接合素子においてどのように2値のデータを保持できるのか、その仕組みを解説したい。(2016/5/24)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(6):
磁気記憶の高密度化とその課題
磁気記憶の高密度化手法と、高密度化に伴う本質的な課題を解説する。磁気記憶は、高密度化と低消費電力化で矛盾を抱える――。(2016/5/13)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(5):
磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件
磁気メモリは、記憶したデータを必ずしも安定して保持できるわけではない。今回は、10年以上にわたりデータを保持する不揮発性メモリとして、磁気メモリを機能させるための条件を解説する。(2016/5/9)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(4):
交換相互作用の初歩の初歩
磁気メモリにおけるデータ書き換えの基本原理を理解するためにも、「強磁性体の交換相互作用」を初歩の初歩から説明する。(2016/4/28)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(3):
強磁性、常磁性、反磁性の違い
今回は、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の動作原理と物理的な作用を説明する。(2016/4/26)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(2):
STT-MRAMの概要と応用の可能性
STT-MRAMを解説するシリーズの2回目となる今回は、STT-MRAMにおける論理値(「0」か「1」か)の判別方法やメモリアレイセルの構造などを説明する。(2016/4/22)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(1):
STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う
次世代不揮発メモリの候補の1つに、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)がある。データの読み書きが高速で、書き換え可能回数も多い。今回から始まるシリーズでは、STT-MRAMの基本動作やSTT-MRAが求められている理由を、「IEDM2015」の講演内容に沿って説明していこう。(2016/4/19)

福田昭のストレージ通信 SSDインタフェースの現在(4):
SSDのリモートDMAを実現する「NVMe Over Fabrics」
今回は、リモートアクセスが可能なネットワークを経由してNVMeのホスト/デバイスを接続するための規格「NVMe Over Fabrics」を解説したい。(2016/2/15)

福田昭のストレージ通信 SSDインタフェースの現在(3):
PCIe SSDの性能を引き出す「NVMe」
今回はNVMe(Non-Volatile Memory Express)を紹介する。NVMeはストレージ向けのホスト・コントローラ・インタフェースの1つで、PCIe(PCI Express)インタフェースを備えた高速のSSDを対象にした規格仕様である。(2016/2/9)

福田昭のストレージ通信 SSDインタフェースの現在(2):
万能コネクタ「U.2」の概要
今回は、SSDインタフェースのフォームファクタの中でも、最近注目を集めている「U.2(ユー・ドット・ツー)」と、「M.2(エム・ドット・ツー)」を紹介する。この2つは、しばしば混同されてきたが、明確に異なっている。(2015/10/29)

福田昭のストレージ通信 SSDインタフェースの現在(1):
PCIeが今後の主流に
今回から始まるシリーズでは、SSDインタフェースの最新動向に焦点を当てて解説する。SSD関連のインタフェースは数多く存在するが、近年、採用が進んでいるのがPCIeだ。(2015/10/22)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(3):
NORフラッシュと3D XPointの動向
今回は市場が縮小傾向にある「NORフラッシュメモリ」と、2015年夏にIntelとMicron Technologyが発表した「3D XPoint(クロスポイント)メモリ」について、紹介する。(2015/10/16)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(2):
SSDのフォームファクタ
SSDのフォームファクタは、HDDと大きく異なる。特に注目を集めている小型のフォームファクタ「m.2」など、SSD独自のフォームファクタを紹介していこう。(2015/10/14)

福田昭のストレージ通信 フラッシュメモリの現在(1):
NANDフラッシュとSSDの市場動向
本シリーズでは、毎年8月に米国で開催される「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」から、フラッシュメモリの最新動向に関する講演内容をお届けする。まずはNAND型フラッシュメモリの価格と、SSDの現状について見てみよう。(2015/10/9)

福田昭のストレージ通信(15):
2019年までのストレージ市場を展望する(後編)
PC出荷台数の減少を受けて縮小傾向にあるHDD市場とは反対に、伸び盛りなのがSSD市場である。今回は、SSD市場の動向を、出荷台数やギガバイト単価、メーカーのシェアといった視点で見ていこう。(2015/6/19)

福田昭のストレージ通信(14):
2019年までのストレージ市場を展望する(前編)
米国のストレージ専門調査会社TRENDFOCUSは、2015年5月に東京で開催された「DiskCon Japan 2015」で、ストレージ市場の最新状況を解説するとともに、2019年までの市場動向を展望した。今回は、ハードディスク装置(HDD)の市場動向に関する講演内容を紹介する。(2015/6/16)

福田昭のストレージ通信(13):
使い始めるとSSDの性能は低下する(後編)
前編に続き、SSDの性能低下が起こる過程を解説する。今回焦点を当てるのは、SSD製品のベンチマークだ。ベンチマーク値は性能を知る指標にはなるが、その値を正しく解釈するためには、SSDのクセなど、必ずおさえておきたいポイントがいくつかある。(2014/10/3)

福田昭のストレージ通信(12):
使い始めるとSSDの性能は低下する(前編)
NANDフラッシュメモリを内蔵する全てのSSDに共通の特性として、SSDは使い始めると必ず性能が低下する。今回は、性能低下が起こる過程を見ていきたい。(2014/9/26)

福田昭のストレージ通信(11):
SSDの内部構造と動作をみる
SSDの重要な部品として、NANDフラッシュメモリ以外に、SSDコントローラやバッファメモリが挙げられる。今回は、SSDコントローラの役割を軸に、SSDの動作を説明しよう。(2014/9/16)

福田昭のストレージ通信(10):
NANDフラッシュの基本動作(後編)
前編に引き続き、NANDフラッシュメモリの中身を解説する。今回は、NANDフラッシュメモリに特徴的なMLC(Multi-Level Cell)方式、TLC(Triple-Level Cell)方式といった多値記憶技術の他、書き換え回数やデータ保持期間などを説明する。(2014/7/23)

福田昭のストレージ通信(9):
NANDフラッシュの基本動作(前編)
SSDを知るには、その記憶媒体として採用されているNANDフラッシュメモリを理解することも重要だ。今回は、NANDフラッシュメモリの基本動作を詳しく説明する。(2014/7/14)

福田昭のストレージ通信(8):
「SSDが壊れた」後(後編)
前編では、SSDはいずれ壊れるという話をした。後編では、壊れた(データを読み出せなくなった)場合の対処法について説明する。データ復旧サービス企業の1つは、SSDの不具合を4段階に分け、それぞれ異なる手法を適用している。(2014/6/20)

福田昭のストレージ通信(7):
「SSDが壊れた」後(前編)
過去3回では、SSDが「壊れるまで」を説明してきた。SSDについては、「いつ壊れるか」という認識を持つべきだという主張もある。今回からは「壊れた後」に焦点を当て、まずは壊れる原因をまとめていく。(2014/6/11)

福田昭のストレージ通信(6):
「SSDが壊れる」まで(後編)
SSDの寿命を決めているのは、化学的な要因やNANDフラッシュメモリの寿命などである。もちろん、故障の発生をできるだけ防ぐための策は講じられている。今回は、その代表的な技術を紹介する。(2014/5/16)

福田昭のストレージ通信(5):
「SSDが壊れる」まで(中編)
今回は、エンタープライズ用SSDとクライアント用SSDの信頼性を解説する。これら2つの用途は信頼性に対する要求仕様が異なる。だが、クライアント用SSDは信頼性に関して開示されている情報が少なく、それが大きな問題の1つとなっている。(2014/4/25)

福田昭のストレージ通信(4):
「SSDが壊れる」まで(前編)
ノートPCなどのストレージとして急速に市場が拡大しているSSD(Solid State Drive)。その信頼性に対するイメージはHDDと比較されることが多いが、「平均故障間隔」と「年間故障率」の数値を単純に比較すればいいというわけではない。そこで今回は、SSDの寿命にかかわる要素を解説する。(2014/4/11)

福田昭のストレージ通信(3):
「HDDが壊れる」まで(後編)
前編ではHDDがどれぐらい壊れやすいのか、「MTBF」の数値が何を意味しているかを説明した。HDDの一生は、初期故障期→偶発故障期(耐用年数)→摩耗故障期という3つの時期に分けられる。後編では、耐用年数がどの程度の期間続くのか、摩耗故障期には何が起こるのかを解説する。(2012/8/9)

福田昭のストレージ通信(2):
「HDDが壊れる」まで(前編)
HDDは壊れやすい製品だ。では、どれぐらい壊れやすいのか。HDDの寿命は仕様書にあるどの数字を見れば分かるのだろうか。平均故障間隔(MTBF)にまつわる勘違いを正しながら解説した。(2012/7/26)

福田昭のストレージ通信(1):
ストレージの過去・現在・未来
磁気メディアや半導体メモリなどを使った「ストレージ」を解説する福田昭氏の新連載。ストレージ技術を中心に据えながら、ストレージに関する市場やビジネスにも触れていく。第1回は、HDDをフラッシュメモリやSSDと比較し、今後のストレージがどのような道をたどるのか、ヒントを示した。(2012/7/6)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。