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「GaN」最新記事一覧

窒化ガリウム:Gallium Nitride

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

米のスタートアップが開発:
ダイヤモンド半導体、実用間近か
ダイヤモンドが近い将来、半導体業界にとって“親友”のような存在になるかもしれない。米国の新興企業であるAkhan Semiconductorが、ダイヤモンド半導体を確実に実現できる見込みであることを明らかにした。(2016/5/17)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

周波数はペタヘルツへ、半導体の新機能引き出す:
電子振動周期860アト秒、GaN半導体で初観測
NTTと東京理科大学は2016年4月、窒化ガリウム(GaN)半導体において、アト秒時間で振動する電子運動を観測することに初めて成功した。観測した振動周期は860アト秒で、周波数は1.16PHz(ペタヘルツ)に相当する。(2016/4/14)

TECHNO-FRONTIER 2016 開催直前情報:
オンセミ、高効率と省スペース化貢献する製品展示
オン・セミコンダクターは、2016年4月20〜22日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016(テクノフロンティア)」で、高効率と省スペース化に貢献する民生機器、産業用機器やIoTデバイス向けの各種電源/バッテリー/モーター向けの設計ソリューションを展示する。(2016/4/11)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(49):
2015年度末! 水野的 3Dデータ関連動向まとめ
2015年度も終わりということで、ここ1年の3DプリンタやCAD関連の動きについて、水野的にまとめてみました。(2016/3/31)

メカ設計 メルマガ 編集後記:
子どもに体験させたい3Dデータ作成
将来は「3Dデータネイティブ」が!?(2016/3/29)

次世代パワー半導体の行方:
6インチSiCの量産化は2017年? GaNはどうなる
富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。(2016/3/25)

豊田合成 照明用LED:
高信頼性を実現した高効率照明用LEDパッケージ
豊田合成は、世界トップレベルの発光高効率となる200lm/Wを実現した照明用LEDパッケージを開発した。(2016/3/22)

TECHNO-FRONTIER 2016 開催直前情報:
次世代デバイス開発を支える12bitオシロを展示
テレダイン・レクロイ・ジャパンは、2016年4月20〜22日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016(テクノフロンティア)」で、モーター駆動システムや、インバーター回路の開発をサポートするデジタルオシロスコープ/解析パッケージを展示する。(2016/3/18)

STMicroelectronics STRG02/STRG04/STRG06:
Googleが提唱する次世代48Vアーキテクチャの要件に応える電力変換用IC
STマイクロエレクトロニクスは、48V電源アーキテクチャ向け電力変換用ICの新製品ファミリー3品種を発表。既に新製品ファミリー3品種は入手可能な状態にあり、48Vアーキテクチャとこれらの製品の優位性を示すデモボードも提供している。(2016/3/17)

LED照明:
豊田合成が世界トップレベルの高効率照明用LEDを開発
LEDチップ/パッケージの大手サプライヤー豊田合成は、省エネルギー社会を目指し、世界トップレベルの発光高効率となる200lm/Wを実現した照明用LEDパッケージを開発した。(2016/3/14)

テクニクス、ネットワークオーディオを突き詰めた新ライン「G30シリーズ」を投入
パナソニックは、テクニクスブランドの新製品として、ネットワークプレーヤー機能内蔵のプリメインアンプ「SU-G30」およびミュージックサーバ「ST-G30」を発表した。(2016/3/11)

矢野経済研究所 パワー半導体市場:
パワー半導体市場の将来予測、2025年は300億ドル超
2015年のパワー半導体世界市場規模は、前年比7.0%減の148億2000万ドルとマイナス成長となる見込み――。矢野経済研究所はパワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。(2016/2/26)

パワー半導体世界市場予測:
SiC/GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0%減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。(2016/2/15)

FAニュース:
エネルギー消費約7割減、GaN増幅器モジュールを使った加熱装置を共同開発
三菱電機、東京工業大学、龍谷大学、マイクロ波化学は、GaN増幅器モジュールを加熱源とする加熱装置を共同開発した。化石燃料を加熱源とする産業用加熱装置と比べて、消費エネルギーを約70%低減できるという。(2016/2/12)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/02/04
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年2月4日)(2016/2/4)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(48):
クラウド3D CAD「Onshape」と「Fusion360」で2次元図面作成機能を試す
クラウドの3D CAD「Onshape」や「Fusion360」にいつの間にか2次元図面作成機能が! 今回、ちょっとだけ試してみました。(2016/1/29)

災害時や離島での高速無線通信に効果か:
富士通、W帯向けGaNパワーアンプの開発に成功
富士通と富士通研究所は2016年1月25日、従来より1.8倍の出力性能を実現した、W帯(75〜110GHz)向けの窒化ガリウム(GaN)送信用パワーアンプを開発したと発表した。(2016/1/26)

手作業の測定からインライン検査まで対応:
GaN基板などの欠陥を高速・高感度に検出
レーザーテックは、「第33回 エレクトロテスト ジャパン」で、ハイブリッドレーザーマイクロスコープ「OPTELICS HYBRID」を中心に、半導体材料やデバイスの表面形状測定/観察を行うための装置を紹介した。(2016/1/20)

LED照明:
米LEDベンチャーの照明をアイリスオーヤマが販売、ノーベル賞中村氏らが創業
生活用品製造卸のアイリスオーヤマは新たに、米国SORAA社のLEDランプの取り扱いを決めた。同社製品を照明関連の展示会「ライティングジャパン」で披露している。(2016/1/15)

テクトロニクス Chris Witt氏:
“6-in-1”オシロに手応え、RFとパワーを狙う
テクトロニクスのオシロスコープ群で好評を得ているのが、オシロスコープに最大5つの機能を追加できる“6-in-1”、「MDO3000/4000Cシリーズ」だ。同社は、これを武器の1つとして、伸びしろのあるRFとパワー、そして自動車分野を狙う。(2015/12/24)

EE Times Japan Weekly Top10:
アナログIC界の“アメリカンドリーム”
EE Times Japanで2015年12月11〜18日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/12/19)

SEMICON Japan 2015会場レポート:
開催1週間前にQFN対応! ミニマルファブの進歩
産業技術総合研究所、ファブシステム研究会、ミニマルファブ技術研究組合は、2015年12月16日に開幕した展示会「SEMICON Japan 2015」で、開発を進めるミニマルファブの展示を行った。(2015/12/18)

SEMICON Japan 2015会場レポート:
200mmウエハー対応の測長SEM、生産性を向上
日立ハイテクノロジーズは、「SEMICON Japan 2015」において、100〜200mmウエハーサイズに対応したFEB(Field Emission Beam)測長装置(測長SEM:走査電子顕微鏡)「CS4800」をパネル展示した。既存装置との置き換えを容易にしつつ、計測再現性や生産性の向上を図った。(2015/12/18)

FAニュース:
GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを開発
安川電機は、サーボドライブシステムのサーボモータとサーボパック機能を一体化し、GaNパワー半導体搭載のアンプ内蔵サーボモータを開発した。(2015/12/18)

車載向けLEDチップなどの生産性、加工品質を向上:
V-LEDのサファイア基板剥離に固体レーザーを採用
ディスコは「SEMICON Japan 2015」において、垂直構造型LED(V-LED)チップの製造に適したフルオートマティックレーザーソー「DFL7560L」を展示した。レーザーリフトオフ(LLO)に固体レーザー技術を採用することで、高い加工品質やメンテナンス性を実現する。(2015/12/17)

NXPが中国に売却したRF事業:
世界第2位のRF企業「Ampleon」が始動
NXP SemiconductorsとFreescale Semiconductorの合併が完了した裏で、世界第2位となるRF企業が誕生した。NXPが中国のJAC Capitalに売却したRF事業を母体とする、Ampleonである。(2015/12/16)

電子ブックレット:
次世代パワー半導体ではシミュレータが不可欠に
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、次世代パワー半導体を用いたパワーエレクトロニクスの設計において重要なシミュレータについて解説します。(2015/12/13)

効率は87%を達成:
GaNの「最小」ACアダプター、充電時間も1/3に
富士通研究所は、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを用いて、モバイル端末などの急速充電を可能にする12W出力の小型ACアダプターを開発したと発表した。(2015/12/9)

IRの買収が早くも功を奏す:
インフィニオン、2015年度売上高は前年比34%増
Infineon Technologiesが2015年度(2015年9月期)の業績を発表した。それによると、売上高は前年比34%増の57億9500万ユーロ。2015年1月に買収が完了したInternational Rectifier(IR)が、早くも利益に貢献しているとする。さらに、自動運転なども追い風となっている。(2015/12/9)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(13):
スピン論理で低消費・高密度の回路を構築
13回にわたりお届けしてきたIEDM 2015のプレビューは、今回が最終回となる。本稿ではセッション32〜35を紹介する。折り曲げられるトランジスタや、電子のスピンを利用した論理回路、疾患を素早く検知する人工知能ナノアレイ技術などに関連する研究成果が発表される。(2015/12/4)

簡単な作業でサイズの切り替えが可能:
IoT市場を支える4〜8インチ対応のFEB測長装置
日立ハイテクノロジーズは2015年11月、4〜8インチウエハーサイズに対応した高分解能FEB(Field Emission Beam)測長装置「CS4800」を開発したと発表した。CS4800は、2015年12月16〜18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定だ。(2015/12/2)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(47):
無償3D CGソフト「Blender」で色付きの3Dデータを作ってカラープリントする
メカ設計者の人にはあまりなじみがないかもしれませんが……、3D CGや3D CADで3Dモデルに色定義して、3Dプリンタからカラー出力する方法についてお話します。やってみると、きっと楽しいですよ。(2015/11/30)

理事長続投の古川一夫氏:
「IoTはAIを活用」、NEDOが次の注力分野を発表
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2015年11月26日、2015年10月に決定した古川一夫氏の理事長再任に伴い、今後の方針について記者発表会を行った。(2015/11/27)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

パワー半導体で世界最高レベルの研究拠点へ:
6インチウエハーによるSiCチップ試作ライン構築
つくばイノベーションアリーナ(TIA)は、6インチ級SiC(炭化ケイ素)ウエハーを用いたパワー半導体デバイスの量産研究開発を目的に、新たな第3ラインを産業技術総合研究所(産総研)西事業所内に構築する。(2015/11/12)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(4):
抵抗変化メモリとGaNデバイス
今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ(ReRAM)の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。(2015/11/10)

SiC/GaNデバイスの故障を非破壊で解析:
印加電圧を±3000Vに拡大、パワー半導体向け解析
OKIエンジニアリング(OEG)は、パワー半導体素子向けの受託解析サービス「ロックイン赤外線発熱解析サービス」について、対応可能な印加電圧を±3000Vまで拡大した。SiC(炭化ケイ素)/GaN(窒化ガリウム)デバイスなどにおいて、不良個所の特定などが容易となる。(2015/11/10)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(3):
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。(2015/11/6)

EE Times Japan Weekly Top10:
東芝 半導体のリストラに大きな反響
EE Times Japanで2015年10月24〜30日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/10/31)

白色LED後発参入も実らず、撤退:
東芝 半導体リストラ、1200人が異動/退職へ
東芝は2015年10月28日、CMOSイメージセンサー/白色LED事業からの撤退や人員削減策を盛り込んだ半導体事業の構造改革策を発表した。構造改革の実施により、2017年3月期の半導体事業の固定費を2015年3月期比260億円程度削減するとしている。(2015/10/28)

直径6インチ以上のエピウエハー実現へ:
2020年普及を目指す酸化ガリウムの今後に迫る
情報通信研究機構やタムラ製作所などの研究チームは2015年10月21日、次世代パワーデバイス材料として有望なガリウムエピウエハーの開発に成功したと発表した。同成果を事業化するノベルクリスタルテクノロジーの社長である倉又朗人氏に今後の展開について話を聞いた。(2015/10/27)

SiC、GaNを追う、第3の次世代パワー半導体:
酸化ガリウムエピウエハー開発成功、事業化へ
情報通信研究機構、東京農工大学、タムラ製作所らの研究チームは、次世代パワーデバイス材料として有望な酸化ガリウムエピウエハーの開発に成功したと発表した。(2015/10/22)

DSRCが主流の中で:
「LTE V2X」は新たな規格係争の火種となるのか
QualcommとHuaweiが、V2X通信向けの規格として、LTEをベースとした「LTE V2X」を提唱するという。V2X通信における現在の主流は、IEEE 802.11pをベースとしたDSRC(狭域通信)だ。LTE V2Xは、新たな規格係争の火種となるのだろうか。(2015/10/21)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。