ITmedia総合  >  キーワード一覧  >  G

「GaN」最新記事一覧

窒化ガリウム:Gallium Nitride

結晶配向情報を高精度に検出:
SiC/GaNウエハーの欠陥解析装置――東陽テクニカ
東陽テクニカは、「イノベーション・ジャパン2016」(2016年8月25〜26日)で、「サブナノ結晶配向情報検出ウエハーマッピング装置」の開発成果を展示した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)ウエハー基板の量産化に貢献する品質・信頼性評価技術として期待される。(2016/8/26)

満を持してダイアログが投入:
“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化
Dialog Semiconductor(ダイアログ・セミコンダクター)が、GaNパワーICを発表した。これによって同社は、GaNパワー半導体市場に本格的に参入する。同社は2016年8月24日、東京都内で記者説明会を開催し、GaNパワーIC「SmartGaN DA8801」の詳細を説明した。(2016/8/26)

高い周波数の差動信号波形も正確に測定:
新型プローブ、これまで見えなかった信号を観測
テクトロニクスは、光アイソレーション型差動プローブ「TIVMシリーズ」6製品の販売を始めた。新製品を用いることで、これまでコモンモードノイズに埋もれて見えなかった信号の観測が可能となる。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

オン・セミコンダクター 副社長 David Somo氏:
PR:強みは5万品種に上る製品群、IoT向けプラットフォーム構築を目指す
2006年以降だけで11件にも及ぶM&Aを実施し、積極的に製品群の拡大を行ってきたオン・セミコンダクター(ON Semiconductor)。手掛ける製品は4万8000品種に上る。広範な製品群を武器に、センサー、マイコン、無線接続機能向けの製品をさらに充実させ、IoT(モノのインターネット)機器開発に向けたプラットフォームを構築するというシナリオを描いている。コーポレートストラテジ&マーケティング担当副社長のDavid Somo氏に同社の技術/製品戦略などについて聞いた。(2016/8/22)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

TI シリコンバレー・アナログ事業部 David Heacock氏:
アナログ市場シェア18%で首位も、まだ伸びしろ
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は2016年8月3日、米国本社のTexas Instruments(TI) シリコンバレー・アナログ(SVA)事業部でシニアバイスプレジデントを務めるDavid Heacock氏の来日を機に記者説明会を開催し、TIのアナログ事業の戦略や注目製品を紹介した。(2016/8/4)

半導体パッケージ基板向けに:
太陽誘電とGEが電子部品内蔵技術で協業
太陽誘電とGEベンチャーズの両社は2016年7月、2014年末から半導体パッケージ基板などに応用可能なワイヤボンド不要の電子部品内蔵基板技術分野で協業していることを明らかにした。(2016/7/26)

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

Creeから分社化したパワー&RF事業:
InfineonがWolfspeedを買収へ、SiC事業を強化
Infineon Technologiesが、米Creeからパワー&RF事業部として分社化したWolfspeedを8億5000万米ドルで買収する。(2016/7/15)

FAニュース:
より繊細に、より強力に、NEDOが次世代レーザー加工技術を開発へ
NEDOは、高付加価値製品の製造に適した高精度・高品位加工に対応する次世代レーザー加工技術の研究開発を開始した。(2016/7/13)

SiC/GaNはこれから:
中国のパワー市場は発展途上でも、日米欧を猛追
中国 上海で開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」では、地元のIGBTデバイス/モジュールメーカーが目立った。専門家は、中国のパワーエレクトロニクス技術は、欧米や日本にまだ及ばないものの、猛スピードで追い上げているという。(2016/7/6)

NXP Semiconductors A2G22S251-01Sなど:
携帯電話基地局向け48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。(2016/7/6)

PCIM Asia 2016 リポート:
中国ではEVと家電向けパワエレを強化、三菱電機
三菱電機の中国法人は、中国 上海で開催されているパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」(2016年6月28〜30日)に出展し、鉄道車両や産業用途、電気自動車(EV)向けのIPM(Intelligent Power Module)やIGBTなどを展示した。(2016/6/30)

Society 5.0を世界に先駆けて実現へ:
産総研、2030年に向けた研究戦略を策定
産業技術総合研究所(産総研)は、2030年に向けた産総研の研究戦略を策定した。2030年の産業像や社会像を見据え、「超スマート社会(Society 5.0)」の実現など、大きく4つの研究目標を定め開発に取り組む。(2016/6/30)

発光デバイスや太陽電池への応用期待:
希少元素を使わない赤く光る窒化物半導体を発見
東京工業大学と京都大学の共同研究チームは2016年6月、希少元素を使わずに、赤色発光デバイスや太陽電池に応用できる新たな窒化物半導体を発見、合成したと発表した。(2016/6/27)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/23
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月23日)(2016/6/24)

NXP A2G22S251-01Sなど4種:
高周波数を実現したGaN RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用するドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム RFパワートランジスタ4種を発表した。全体で1805MHz〜3600MHzの周波数をカバーする。(2016/6/21)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/02
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月2日)(2016/6/3)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(50):
クラウドCAEで静解析してみよう
今回は、クラウドベースの3D CAD「Fusion 360」を使って静解析してみました。記事執筆に使っているノートPCでも動かせます。(2016/6/3)

絶縁型モーター制御デバイスのリーダー「Avago」が生まれ変わった:
PR:高効率モーター駆動に向けて革新的製品を生み続ける新生Broadcomに迫る
高効率化に向けて、最新のモーター駆動/制御技術が集結した展示会「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」の中でも、ひときわ大きな注目を集めたのが2016年2月にAvago Technologiesから社名変更したBroadcomのブースだ。ここでは、注目を集めたSiC/GaNパワーデバイスに対応する次世代型アイソレーションデバイスや新コンセプトのエンコーダーなど、新生Broadcomのモーター駆動/制御向けデバイスを詳しく紹介していこう。(2016/5/30)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

米のスタートアップが開発:
ダイヤモンド半導体、実用間近か
ダイヤモンドが近い将来、半導体業界にとって“親友”のような存在になるかもしれない。米国の新興企業であるAkhan Semiconductorが、ダイヤモンド半導体を確実に実現できる見込みであることを明らかにした。(2016/5/17)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

周波数はペタヘルツへ、半導体の新機能引き出す:
電子振動周期860アト秒、GaN半導体で初観測
NTTと東京理科大学は2016年4月、窒化ガリウム(GaN)半導体において、アト秒時間で振動する電子運動を観測することに初めて成功した。観測した振動周期は860アト秒で、周波数は1.16PHz(ペタヘルツ)に相当する。(2016/4/14)

TECHNO-FRONTIER 2016 開催直前情報:
オンセミ、高効率と省スペース化貢献する製品展示
オン・セミコンダクターは、2016年4月20〜22日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016(テクノフロンティア)」で、高効率と省スペース化に貢献する民生機器、産業用機器やIoTデバイス向けの各種電源/バッテリー/モーター向けの設計ソリューションを展示する。(2016/4/11)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(49):
2015年度末! 水野的 3Dデータ関連動向まとめ
2015年度も終わりということで、ここ1年の3DプリンタやCAD関連の動きについて、水野的にまとめてみました。(2016/3/31)

メカ設計 メルマガ 編集後記:
子どもに体験させたい3Dデータ作成
将来は「3Dデータネイティブ」が!?(2016/3/29)

次世代パワー半導体の行方:
6インチSiCの量産化は2017年? GaNはどうなる
富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。(2016/3/25)

豊田合成 照明用LED:
高信頼性を実現した高効率照明用LEDパッケージ
豊田合成は、世界トップレベルの発光高効率となる200lm/Wを実現した照明用LEDパッケージを開発した。(2016/3/22)

TECHNO-FRONTIER 2016 開催直前情報:
次世代デバイス開発を支える12bitオシロを展示
テレダイン・レクロイ・ジャパンは、2016年4月20〜22日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016(テクノフロンティア)」で、モーター駆動システムや、インバーター回路の開発をサポートするデジタルオシロスコープ/解析パッケージを展示する。(2016/3/18)

STMicroelectronics STRG02/STRG04/STRG06:
Googleが提唱する次世代48Vアーキテクチャの要件に応える電力変換用IC
STマイクロエレクトロニクスは、48V電源アーキテクチャ向け電力変換用ICの新製品ファミリー3品種を発表。既に新製品ファミリー3品種は入手可能な状態にあり、48Vアーキテクチャとこれらの製品の優位性を示すデモボードも提供している。(2016/3/17)

LED照明:
豊田合成が世界トップレベルの高効率照明用LEDを開発
LEDチップ/パッケージの大手サプライヤー豊田合成は、省エネルギー社会を目指し、世界トップレベルの発光高効率となる200lm/Wを実現した照明用LEDパッケージを開発した。(2016/3/14)

テクニクス、ネットワークオーディオを突き詰めた新ライン「G30シリーズ」を投入
パナソニックは、テクニクスブランドの新製品として、ネットワークプレーヤー機能内蔵のプリメインアンプ「SU-G30」およびミュージックサーバ「ST-G30」を発表した。(2016/3/11)

矢野経済研究所 パワー半導体市場:
パワー半導体市場の将来予測、2025年は300億ドル超
2015年のパワー半導体世界市場規模は、前年比7.0%減の148億2000万ドルとマイナス成長となる見込み――。矢野経済研究所はパワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。(2016/2/26)

パワー半導体世界市場予測:
SiC/GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0%減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。(2016/2/15)

FAニュース:
エネルギー消費約7割減、GaN増幅器モジュールを使った加熱装置を共同開発
三菱電機、東京工業大学、龍谷大学、マイクロ波化学は、GaN増幅器モジュールを加熱源とする加熱装置を共同開発した。化石燃料を加熱源とする産業用加熱装置と比べて、消費エネルギーを約70%低減できるという。(2016/2/12)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/02/04
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年2月4日)(2016/2/4)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(48):
クラウド3D CAD「Onshape」と「Fusion360」で2次元図面作成機能を試す
クラウドの3D CAD「Onshape」や「Fusion360」にいつの間にか2次元図面作成機能が! 今回、ちょっとだけ試してみました。(2016/1/29)

災害時や離島での高速無線通信に効果か:
富士通、W帯向けGaNパワーアンプの開発に成功
富士通と富士通研究所は2016年1月25日、従来より1.8倍の出力性能を実現した、W帯(75〜110GHz)向けの窒化ガリウム(GaN)送信用パワーアンプを開発したと発表した。(2016/1/26)

手作業の測定からインライン検査まで対応:
GaN基板などの欠陥を高速・高感度に検出
レーザーテックは、「第33回 エレクトロテスト ジャパン」で、ハイブリッドレーザーマイクロスコープ「OPTELICS HYBRID」を中心に、半導体材料やデバイスの表面形状測定/観察を行うための装置を紹介した。(2016/1/20)



7月6日に米国等で、遅れて22日に日本でも配信を開始したスマホ向け位置情報ゲーム。街でスマホを持つ人がすべてポケモンGOプレイヤーに見えてしまうくらいの大ブームとなっているが、この盛り上がりがどれだけ継続するのか、この次に来る動きにも注目したい。

Oculus Riftに続く形で各社から次々と発表されたVRゴーグル。まだマニア向けという印象だが、ゲーム用途を中心に実用段階に進んでおり、決定打になるようなコンテンツが出てくれば、一気に普及が進む可能性もある。

ソフトバンクが買収を発表した半導体企業。既にスマホ市場では圧倒的なリーダーだが、今後IoTの時代が到来することで、ネットにつながるデバイスが爆発的に増加することが予測されており、そこでもスマホ同様のシェアを押さえられるのなら、確かにその成長性には期待が持てる。