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「GaN」最新記事一覧

窒化ガリウム:Gallium Nitride

関連キーワード

オンリーワン技術×MONOist転職(6):
紫外線LEDが水銀なき世界を灯す――ナイトライド・セミコンダクター
日本の“オンリーワンなモノづくり技術”にフォーカスしていく連載の第6回。今回は、世界で初めて紫外線LED量産化に成功、高効率化と低コスト化で水銀ランプを置き換えるまで紫外線LEDを“磨き上げた”ナイトライド・セミコンダクターを紹介する。(2016/12/2)

テクトロニクス パワー半導体テストシステム S540型 :
テクトロ、SiC/GaN用の完全自動テストシステム
テクトロニクスは2016年10月26日、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などの次世代パワー半導体材料での使用に適した、完全自動のテストシステム「S540型」を発表した。(2016/12/2)

大いなるポテンシャル:
シリコンが次の手、村田製作所のキャパシター戦略
2016年10月に村田製作所が買収したフランスのIPDiAは、シリコンキャパシターを事業として手掛けるほぼ唯一のメーカーだ。積層セラミックコンデンサーに比べてかなり高価なシリコンキャパシターは、その用途は限られている。それにもかかわらず、なぜ村田製作所はIPDiAの買収に至ったのか。(2016/11/18)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(51):
デスクトップ3Dプリンタ「Form2」を設計業務で使う
数年前までは「仕事で使う3Dプリンタ」といえば高価な業務用でした。でも最近、安価なデスクトップ3Dプリンタが業務でも“結構使える”感じなんです。読者の皆さんは業務でデスクトップ3Dプリンタを使っていますか? 私は使っていますよ。(2016/11/18)

太陽光:
ニワトリ小屋との共通点は? 効率21.7%のペロブスカイト太陽電池
ペロブスカイトと呼ばれる材料を2種類使った太陽電池セル。米国の研究者が開発した構造だ。原子1層の厚みからなる網を使って、2種類の材料からなるサンドイッチ構造を作成。全ての太陽光を効率よく電力に変換することに成功し、記録を更新した。(2016/11/16)

太陽誘電がCEATECでプロトタイプを展示:
GE POL用いたパワーモジュール、効率10%向上へ
太陽誘電は、2016年10月4〜7日に幕張メッセで開催された「CEATEC JAPAN 2016」で、研究開発中のGE POL(Power OverLay)パッケージ技術を用いたパワーモジュールの展示を行った。(2016/10/12)

製品群は「極めて補完的」だが:
オンセミ、フェアチャイルドブランドは維持せず
2016年9月19日(米国時間)に、フェアチャイルド・セミコンダクターの買収完了を発表したオン・セミコンダクター。同社は、“世界初のICメーカー”の名は残さずに製品群を統合していく。(2016/9/23)

CEATEC 2016 開催直前情報:
注目のUSB Type-C関連製品を展示、テクトロニクス
テクトロニクスは、2016年10月4〜7日に開催される「CEATEC JAPAN 2016」で、「IoT」「高効率パワー」「USB Type-C」の3つをテーマに、最新の製品群を展示する。光アイソレーションにより1GHzの周波数帯域と120dBの同相モード除去比を実現した差動プローブや、電波環境をフィールドでモニタリングできるUSBリアルタイム・スペクトラム・アナライザーを紹介する。(2016/9/16)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

電子ブックレット:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。(2016/9/4)

EE Times Japan Weekly Top10:
中国スマホメーカーの動向に、注目が集まる
EE Times Japanで2016年8月27日〜9月2日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/9/3)

いつものCAD環境を本当の意味でモバイルできる:
PR:Surface BookでSolid Edgeを“快適に”使ってみた
高性能ノートPCのモバイルワークには、その重さへの“覚悟”が必要だった。だが約1.5kgのSurface Bookなら、いつものCAD環境を本当の意味でモバイルできるようになる。3D CADや3D CGが快適に動くこと、そしてマシンを快適に持ち歩けること――。そんな2つの視点から「Surface Book上で動かすSolid Edge」を水野操氏にレビューしてもらった。(2016/9/1)

EE Times Japan Weekly Top10:
また、硬い物を切ってしまった……SiCのスライス技術
EE Times Japanで2016年8月20日〜26日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/8/29)

結晶配向情報を高精度に検出:
SiC/GaNウエハーの欠陥解析装置――東陽テクニカ
東陽テクニカは、「イノベーション・ジャパン2016」(2016年8月25〜26日)で、「サブナノ結晶配向情報検出ウエハーマッピング装置」の開発成果を展示した。SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)ウエハー基板の量産化に貢献する品質・信頼性評価技術として期待される。(2016/8/26)

満を持してダイアログが投入:
“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化
Dialog Semiconductor(ダイアログ・セミコンダクター)が、GaNパワーICを発表した。これによって同社は、GaNパワー半導体市場に本格的に参入する。同社は2016年8月24日、東京都内で記者説明会を開催し、GaNパワーIC「SmartGaN DA8801」の詳細を説明した。(2016/8/26)

高い周波数の差動信号波形も正確に測定:
新型プローブ、これまで見えなかった信号を観測
テクトロニクスは、光アイソレーション型差動プローブ「TIVMシリーズ」6製品の販売を始めた。新製品を用いることで、これまでコモンモードノイズに埋もれて見えなかった信号の観測が可能となる。(2016/8/24)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

オン・セミコンダクター 副社長 David Somo氏:
PR:強みは5万品種に上る製品群、IoT向けプラットフォーム構築を目指す
2006年以降だけで11件にも及ぶM&Aを実施し、積極的に製品群の拡大を行ってきたオン・セミコンダクター(ON Semiconductor)。手掛ける製品は4万8000品種に上る。広範な製品群を武器に、センサー、マイコン、無線接続機能向けの製品をさらに充実させ、IoT(モノのインターネット)機器開発に向けたプラットフォームを構築するというシナリオを描いている。コーポレートストラテジ&マーケティング担当副社長のDavid Somo氏に同社の技術/製品戦略などについて聞いた。(2016/8/22)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

TI シリコンバレー・アナログ事業部 David Heacock氏:
アナログ市場シェア18%で首位も、まだ伸びしろ
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は2016年8月3日、米国本社のTexas Instruments(TI) シリコンバレー・アナログ(SVA)事業部でシニアバイスプレジデントを務めるDavid Heacock氏の来日を機に記者説明会を開催し、TIのアナログ事業の戦略や注目製品を紹介した。(2016/8/4)

半導体パッケージ基板向けに:
太陽誘電とGEが電子部品内蔵技術で協業
太陽誘電とGEベンチャーズの両社は2016年7月、2014年末から半導体パッケージ基板などに応用可能なワイヤボンド不要の電子部品内蔵基板技術分野で協業していることを明らかにした。(2016/7/26)

車載半導体:
電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。(2016/7/26)

SiCウエハー製造でもシェアを追う方針:
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー/デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。(2016/7/22)

Creeから分社化したパワー&RF事業:
InfineonがWolfspeedを買収へ、SiC事業を強化
Infineon Technologiesが、米Creeからパワー&RF事業部として分社化したWolfspeedを8億5000万米ドルで買収する。(2016/7/15)

FAニュース:
より繊細に、より強力に、NEDOが次世代レーザー加工技術を開発へ
NEDOは、高付加価値製品の製造に適した高精度・高品位加工に対応する次世代レーザー加工技術の研究開発を開始した。(2016/7/13)

SiC/GaNはこれから:
中国のパワー市場は発展途上でも、日米欧を猛追
中国 上海で開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」では、地元のIGBTデバイス/モジュールメーカーが目立った。専門家は、中国のパワーエレクトロニクス技術は、欧米や日本にまだ及ばないものの、猛スピードで追い上げているという。(2016/7/6)

NXP Semiconductors A2G22S251-01Sなど:
携帯電話基地局向け48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム(GaN)RFパワートランジスタを発表した。(2016/7/6)

PCIM Asia 2016 リポート:
中国ではEVと家電向けパワエレを強化、三菱電機
三菱電機の中国法人は、中国 上海で開催されているパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2016」(2016年6月28〜30日)に出展し、鉄道車両や産業用途、電気自動車(EV)向けのIPM(Intelligent Power Module)やIGBTなどを展示した。(2016/6/30)

Society 5.0を世界に先駆けて実現へ:
産総研、2030年に向けた研究戦略を策定
産業技術総合研究所(産総研)は、2030年に向けた産総研の研究戦略を策定した。2030年の産業像や社会像を見据え、「超スマート社会(Society 5.0)」の実現など、大きく4つの研究目標を定め開発に取り組む。(2016/6/30)

発光デバイスや太陽電池への応用期待:
希少元素を使わない赤く光る窒化物半導体を発見
東京工業大学と京都大学の共同研究チームは2016年6月、希少元素を使わずに、赤色発光デバイスや太陽電池に応用できる新たな窒化物半導体を発見、合成したと発表した。(2016/6/27)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/23
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月23日)(2016/6/24)

NXP A2G22S251-01Sなど4種:
高周波数を実現したGaN RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、携帯電話基地局で使用するドハティパワーアンプ向けに、48V窒化ガリウム RFパワートランジスタ4種を発表した。全体で1805MHz〜3600MHzの周波数をカバーする。(2016/6/21)

SiC/GaNに期待はあれど:
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE(European Center for Power Electronics)のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。(2016/6/13)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/06/02
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年6月2日)(2016/6/3)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(50):
クラウドCAEで静解析してみよう
今回は、クラウドベースの3D CAD「Fusion 360」を使って静解析してみました。記事執筆に使っているノートPCでも動かせます。(2016/6/3)

絶縁型モーター制御デバイスのリーダー「Avago」が生まれ変わった:
PR:高効率モーター駆動に向けて革新的製品を生み続ける新生Broadcomに迫る
高効率化に向けて、最新のモーター駆動/制御技術が集結した展示会「TECHNO-FRONTIER 2016 第34回モータ技術展」の中でも、ひときわ大きな注目を集めたのが2016年2月にAvago Technologiesから社名変更したBroadcomのブースだ。ここでは、注目を集めたSiC/GaNパワーデバイスに対応する次世代型アイソレーションデバイスや新コンセプトのエンコーダーなど、新生Broadcomのモーター駆動/制御向けデバイスを詳しく紹介していこう。(2016/5/30)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

フランスのGaN専業メーカー:
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。(2016/5/17)

米のスタートアップが開発:
ダイヤモンド半導体、実用間近か
ダイヤモンドが近い将来、半導体業界にとって“親友”のような存在になるかもしれない。米国の新興企業であるAkhan Semiconductorが、ダイヤモンド半導体を確実に実現できる見込みであることを明らかにした。(2016/5/17)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

GaNデバイスの潜在能力を最大限引き出す:
TIが600V動作GaN製品、駆動回路を内蔵
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、オン抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)とその駆動回路を、ワンパッケージに統合した出力電流12Aのパワーステージ「LMG3410」を開発、エンジニアリングサンプル(ES)品の出荷を始めた。(2016/4/26)

周波数はペタヘルツへ、半導体の新機能引き出す:
電子振動周期860アト秒、GaN半導体で初観測
NTTと東京理科大学は2016年4月、窒化ガリウム(GaN)半導体において、アト秒時間で振動する電子運動を観測することに初めて成功した。観測した振動周期は860アト秒で、周波数は1.16PHz(ペタヘルツ)に相当する。(2016/4/14)

TECHNO-FRONTIER 2016 開催直前情報:
オンセミ、高効率と省スペース化貢献する製品展示
オン・セミコンダクターは、2016年4月20〜22日に千葉・幕張メッセで開催される「TECHNO-FRONTIER 2016(テクノフロンティア)」で、高効率と省スペース化に貢献する民生機器、産業用機器やIoTデバイス向けの各種電源/バッテリー/モーター向けの設計ソリューションを展示する。(2016/4/11)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

もはや「次世代」ではなくなった!:
PR:高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaNパワートランジスタの本格的な普及が始まった。長く実用化を阻んできた品質/信頼性面の課題がクリアされ、2015年から量産がスタートした。従来のシリコンパワートランジスタを大きく上回る高い変換効率を求め、サーバやエアコンの電源、太陽光発電パワーコンディショナーへの搭載が進んでいる。“次世代パワーデバイス”から“実用的な最新パワーデバイス”へと進化したGaNパワーデバイスを紹介していこう。(2016/4/4)

3次元って、面白っ! 〜操さんの3次元CAD考〜(49):
2015年度末! 水野的 3Dデータ関連動向まとめ
2015年度も終わりということで、ここ1年の3DプリンタやCAD関連の動きについて、水野的にまとめてみました。(2016/3/31)

メカ設計 メルマガ 編集後記:
子どもに体験させたい3Dデータ作成
将来は「3Dデータネイティブ」が!?(2016/3/29)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。