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「Hybrid Memory Cube」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「Hybrid Memory Cube」に関する情報が集まったページです。

インメモリ処理のバックエンドストレージを考える
「NVDIMM」はなぜインメモリデータベースの“相棒”になり切れないのか?
高速なデータ処理を可能にする「インメモリデータベース」は、電源を切るとデータを保持できないのが一般的だ。そのためバックエンドのストレージシステムが重要になるが、技術選定は容易ではない。(2017/9/25)

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは?
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。(2017/8/31)

ITインフラを変える新潮流【後編】
ハイパーコンバージドインフラに賭けるべきか? その答えは……
ハイパーコンバージドインフラの導入が増えている現状で、「導入しない」とする場合、代わりになる方法の妥当性を検討することになる。構成要素技術の将来性と併せて考察する。(2017/6/14)

現実味を増す“ソフトウェア定義メモリ”
徹底解説:次世代メモリ技術「NVDIMM」、不揮発性メモリはストレージをどう変える?
さまざまな次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するハイブリッドアプローチが登場している。その結果「ソフトウェア定義メモリ」というアイデアが現実味を帯び始めている。(2017/5/16)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
「SoC」or「SoC」?統合へのさまざまな道
1つのダイに複数機能を実装するSoC(System on Chip)化の波は高まるばかりです。アーキテクトはダイ間接続とマルチダイパッケージングの動向に注意を払い、コストや消費電力、将来性までも視野に入れた選択をしなければなりません。(2016/2/10)

SYSTEM DESIGN JOURNAL:
組み込みコンピューティングに向けた、ハードウェアアクセラレーションの選択肢
組み込みコンピューティングを加速させるハードウェア・アーキテクチャとは何でしょうか。DSP?GPU?それともメニーコアでしょうか。どのアプローチが最も適するのかを考察します。(2016/1/22)

ハイパーコンバージドインフラが主流になるか
SSDだけではない、2020年までに劇的変化を遂げる“サーバ”未来予想図
サーバアーキテクチャは10年間の集大成として大きな変化が起こっている。サーバパフォーマンスが増強されれば、データセンターがストレージとネットワークにアプローチする方法も変わっていくだろう。(2015/12/28)

ビジネスニュース 業界動向:
CMOSイメージセンサーが引っ張る3次元積層技術
チップを積層し、TSV(シリコン貫通電極)などで接続する3次元IC技術。CMOSイメージセンサーでも、3次元化が進んでいる。(2015/2/23)

プログラマブルロジック:
ザイリンクスが400Gb イーサネットの動作デモを公開――20nmFPGAで
Xilinx(ザイリンクス)は2014年11月、エンジニアリングサンプル(ES)出荷段階にある20nmプロセスを用いたFPGA「Virtex UltraScaleファミリ XCVU095」を使用した400Gビット イーサネットの動作デモを公開した。(2014/11/19)

メモリ/ストレージ技術:
SKハイニックス、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」を開発――20nmプロセス採用
SKハイニックスは2014年9月、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」の開発に成功した。これは業界で初めて開発されたものとされ、これまで発表してきた超高速メモリ(HBM)と合わせて、既存のDDRシリーズで構成されたDRAM製品群を高性能メモリで広げることで、市場での地位を強固にするための試みとみられる。(2014/10/2)

メモリ/ストレージ技術:
次世代ストレージ、10個の注目技術
3次元DRAMの量産が始まり、相変化メモリ(PCM)、スピン注入磁気メモリ(STT-MRAM)など次世代メモリの技術開発がさかんになっている。ここでは、注目のメモリ技術を10個紹介する。(2014/9/29)

メモリ/ストレージ技術:
「HMCが今後のトレンドに」――マイクロンの技術者が語る
米国で行われた「DesignCon 2014」で、マイクロンのチーフテクノロジストが、同社の次世代メモリ技術「Hybrid Memory Cube(HMC)」を含む、DRAMの後継技術について見解を語った。(2014/2/4)

メモリ/ストレージ技術:
活気づくNANDメモリ市場、各社の1Xnm世代製品を振り返る
ストレージや組み込みシステムの分野において、NAND型フラッシュメモリの重要性が高まっている。東芝、サムスン電子、SK Hynix、Micronといったベンダーの、最新プロセスを用いた製品を振り返ってみたい。(2013/12/6)

ビジネスニュース:
3Dチップ開発、メーカーの動きは?
3次元積層技術を用いたチップ(3Dチップ)の開発動向に注目が集まっている。こう着状態にも見える3Dチップの開発だが、メーカーは着実に前進しているようだ。(2013/11/14)

メモリ/ストレージ技術:
サムスンとSK Hynix、ISSCCで次世代メモリを披露
Samsung Electronics(サムスン電子)とSK Hynixは、2014年に開催される半導体集積回路技術の国際会議「ISSCC 2014」で、LPDDR4や広帯域メモリ(HBM)など、次世代のメモリを披露する。(2013/11/11)

前田真一の最新実装技術あれこれ塾:
第25回 量産技術化が進むTSV
実装分野の最新技術を分かりやすく紹介する前田真一氏の連載「最新実装技術あれこれ塾」。第25回は、量産技術として開発が加速しているTSV(Through Silicon Via)の最新動向を解説する。(2013/9/12)

EE Times Japan Weekly Top10:
3次元DRAMの仕様公開、早期の実用化に期待
EE Times Japanで先週(2013年4月7日〜4月13日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2013/4/15)

メモリ/ストレージ技術:
次世代メモリ「HMC」の仕様バージョン1を公開
DRAMチップを3次元方向に積層し、シリコン貫通電極で接続するHybrid Memory Cube(HMC)。転送速度が大幅に高速化するHMCが早期に製品化されれば、あらゆる機器に大きな改善をもたらすだろう。(2013/4/9)

Sandy Bridgeは“12畳半”のはずだった:
マルチコアから高性能コアで進化を目指すインテルのCPU
i4004が登場してから40年。プロセスルールは微細化し、CPUは単体コアの性能強化からマルチコアで進化するようになった。この先の進化をラトナー氏に聞く。(2011/11/29)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。