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「インターナショナル・レクティファイアー」最新記事一覧

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

IHSが確定値を公表:
2015年半導体メーカー売上高ランキング
IHSは2016年4月5日、2015年の世界半導体メーカー売上高ランキング(確定値)を公表した。(2016/4/5)

ゲート抵抗は共有すべきか否か:
並列接続IGBTの駆動
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を並列接続する場合、ゲート抵抗を共有させるか、させないか、という「ゲート間の接続」に関する議論が存在します。何を根拠に、ゲート抵抗の構成を決めるべきかを考えていきましょう。(2016/3/31)

「embedded world 2016」:
IoT機器のセキュリティはハードウェアが鍵に
ドイツ ニュルンベルクで開催された「embedded world 2016」(2016年2月23〜25日)において、Infineon Technologies(以下、Infineon)が訴求したのは、IoT(モノのインターネット)機器にいかにセキュリティ機能を搭載するかについてだった。(2016/3/24)

クイズで振り返る2015年エレクトロニクス業界:
2015年、半導体メーカー売り上げ上位10社は?
2015年のエレクトロニクス業界のニュースを振り返る年末企画! 今回は、クイズ形式で2015年の半導体メーカーの売上高について振り返ります。(2015/12/28)

吹き荒れたM&Aの嵐:
2015年半導体業界再編を振り返る[上半期編]
2015年、半導体業界に“M&Aの嵐”が吹き荒れ、その勢いは収る気配さえない。2015年を1月から主な半導体業界の買収/合併劇を振り返っていく。(2015/12/24)

IRの買収が早くも功を奏す:
インフィニオン、2015年度売上高は前年比34%増
Infineon Technologiesが2015年度(2015年9月期)の業績を発表した。それによると、売上高は前年比34%増の57億9500万ユーロ。2015年1月に買収が完了したInternational Rectifier(IR)が、早くも利益に貢献しているとする。さらに、自動運転なども追い風となっている。(2015/12/9)

1.2兆円企業が誕生:
NXPとFreescaleの合併が完了
NXP SemiconductorsとFreescale Semiconductorの合併が完了した。売上高が100億米ドル(約1兆2000億円)の新生NXPが誕生したことになる。半導体メーカー売上高ランキングでは、トップ10圏外から6位に上昇する見込みだ。(2015/12/8)

IC Insightsが速報値を発表:
2015年半導体メーカーランキング、ソニーが10位
IC Insightsが、2015年の半導体メーカー売上高ランキングの速報値を発表した。IDM(垂直統合型)メーカーではソニーが10位に食い込んでいる。ファブレスメーカーではQualcommが首位を維持したものの、前年比の成長率は大幅に低下した。(2015/12/4)

インフィニオンやオンセミと交渉中?:
フェアチャイルドも身売り検討か
Fairchild Semiconductor International(フェアチャイルド)が身売りを検討し、独Infineon Technologies(インフィニオン)や米ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)との売却交渉に入ったと米メディアが伝えている。(2015/10/16)

インフィニオン テクノロジーズジャパン 部長 北爪昇氏:
PR:シリコンでも次世代材料でも、あらゆるパワー半導体で進化を実現する新生インフィニオン
新生インフィニオンが本格的に始動した。Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、International Rectifier(IR:インターナショナル・レクティファイアー)を2015年1月に事業統合した。パワー半導体の分野で、圧倒的事業規模を誇る。加えて開発力、製品力、システム提案力でその存在感をさらに高めていく。同社日本法人でパワーマネジメント&ディスクリート部長を務める北爪昇氏に聞いた。(2015/8/24)

車載半導体首位を取り戻す起爆剤:
ルネサス、車載向け90nm BCDプロセス量産を発表
ルネサス エレクトロニクスは、アナログとロジック回路を混載できる最小加工寸法90nmのBCDプロセスで車載向けデバイスの量産を開始したと発表した。同プロセスを武器に、欧州の競合に後じんを拝している車載向けアナログ/パワーデバイス領域でのシェア拡大を目指す。(2015/7/31)

ビジネスニュース 業界動向:
2014年 車載半導体シェア、ルネサスが首位を維持
IHSのリポートによると、2014年の車載半導体サプライヤランキングは、ルネサス エレクトロニクスが首位を維持した。ただし、2015年は、車載分野に注力する大手半導体メーカーのM&Aが続いたことから、ランキングに変動が生じると予測している。(2015/3/27)

ビジネスニュース 企業動向:
パナソニックとインフィニオン、GaNパワー半導体で協業
パナソニックとインフィニオン テクノロジーズは、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを共同開発することで合意したと発表した。(2015/3/10)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
突然の大型買収で、変わる車載半導体の勢力図
その時、編集部がざわついた。(2015/3/4)

ビジネスニュース M&A:
インフィニオン、IRの買収を完了
インフィニオン テクノロジーズ(Infineon Technologies)は、インターナショナル・レクティファイアー(IR)の買収を完了した。(2015/1/14)

業界動向:
2014年半導体メーカー売上高ランキング
米国の調査会社IHSは2014年12月、2014年の半導体メーカー別売上高ランキング(予測)を発表した。(2014/12/25)

クイズで振り返る2014年のエレクトロニクス業界(1):
2014年の半導体業界再編を振り返る
2014年のエレクトロニクス業界のニュースをクイズ形式で振り返る年末企画の第1弾。2014年に実施、発表された事業統合/買収に関する問題です!(2014/12/15)

ビジネスニュース 企業動向:
日本でも3位に躍進! 車載半導体世界シェア首位を目指しルネサスを追うインフィニオン
インフィニオン テクノロジーズ(Infineon Technologies)は、“クリーン”“セーフティ”“スマート”の3つをターゲットにし、世界車載半導体市場で世界トップを目指す。これまで、地元欧州などと比べ、比較的低シェアで推移してきた日本市場でも急速にシェアを拡大させており、世界車載半導体首位をいくルネサスを世界規模で追う構えだ。(2014/10/23)

IR IRGP47xxファミリ:
耐圧650Vで高速スイッチング用途向け、IRジャパンのIGBT
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)の「IRGP47xx」ファミリは、耐圧が650Vと高いIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)である。太陽光発電用インバータ、溶接装置、産業用モータ、電磁調理器、無停電電源装置など、高速スイッチングを行う用途に向ける。(2014/10/21)

IR AUIRFN8459/8458:
耐圧40Vの車載用パワーMOSFET、IRジャパンがPQFNパッケージで提供
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)の「AUIRFN8459」と「AUIRFN8458」は、「COOLiRFET」シリーズと呼ばれる製品で、耐圧40Vの車載用パワーMOSFETである。(2014/10/14)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
最先端の電源技術が一堂に――統合電子版2014年9月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2014年9月号を発行しました。Cover Storyは、2014年7月に開催された展示会「TECHNO-FRONTIER 2014」での電源関連技術に関する話題をリポートする「次世代パワー半導体、FPGA向け電源――最先端の電源技術が一堂に」です。その他、Amazonのスマートフォン「Fire Phone」の分解記事なども紹介しています。(2014/9/8)

ビジネスニュース 企業動向:
IR買収で2位東芝を引き離すインフィニオン、「相乗効果で利益率も改善する」
Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は東京都内で記者発表会を開催し、IR(インターナショナル・レクティファイアー)を30億米ドルで買収する件について説明した。Si/GaN/SiCパワー半導体をはじめ、製品群の拡充や製造拠点の最適化などによる利益率の改善で、2017年会計年度には利益率15%を目指す。(2014/8/28)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
相次ぐ半導体企業の買収、そろそろ次は……
半導体関連企業の買収関連ニュースが続いてますが、そろそろ次は……。(2014/8/27)

インターナショナル・レクティファイアー 副社長 Henning Hauenstein氏:
PR:独自プロセス/パッケージ技術で、自動車のエネルギー効率向上に貢献する
インターナショナル・レクティファイアー(IR)は、創業以来、「エネルギー効率の向上」に向けた独自技術を多く盛り込んだパワーデバイスの提供を続けてきた。2008年からは、車載製品事業部を立ち上げ、IRの独自パワーデバイス展開を自動車市場へも広げてきた。過去4年間で売り上げ規模が4倍になるなど急拡大するIRの車載製品事業を統括する副社長のHenning Hauenstein氏に、車載製品事業における技術/製品戦略や日本でのビジネス展開状況について聞いた。(2014/8/25)

ビジネスニュース 企業動向:
IRが2014年4〜6月期の決算を発表、買収合意で今後の業績見通しは発表せず
インターナショナル・レクティファイアー(IR)が、2014年度第4四半期(4〜6月期)の業績を発表した。売上高は前四半期比で10.5%増、前年同期比でも7.6%の増加となった。IRは、Infineon Technologiesによる買収を発表したばかりである。この取引を見込んで、今後の業績の見通しは発表していない。(2014/8/22)

ビジネスニュース M&A:
インフィニオン、IRを30億ドルで買収
インフィニオン テクノロジーズが、インターナショナル・レクティファイアー(IR)を現金約30億米ドルで買収すると発表した。買収は2014年後半あるいは2015年初頭に完了する見込みである。(2014/8/21)

IR IRFHE4250D:
電力損失を5%低減、IRジャパンのパワーブロック
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)の「IRFHE4250D」は、パワーMOSFET「FastIRFET」を2個内蔵した定格電流60A、耐圧25Vのパワーブロックである。従来品に比べて25Aでの電力損失を少なくても5%低減することができる。(2014/8/18)

EE Times Japan Weekly Top10:
トップ3にスマホ関連ニュースが並ぶ
EE Times Japanで先週(2014年7月26日〜8月1日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2014/8/4)

TECHNO-FRONTIER 2014:
IRジャパン、GaNデバイスの開発ロードマップ示す
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)、「TECHNO-FRONTIER 2014」(テクノフロンティア/2014年7月23〜25日、東京ビッグサイト)において、小型IPM(インテリジェントパワーモジュール)「μIPM-DIP」ファミリや、第2世代IPM「IRAM Gen2」ファミリを紹介した。また、GaN(窒化ガリウム)によるパワー半導体の開発ロードマップなども示した。(2014/7/29)

IR IRF7739L1TRPbF他:
耐圧40Vでオン抵抗が最大1.0mΩのパワーMOSFET、缶パッケージで供給
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)のDirectFETは、オン抵抗が小さく、缶パッケージに収めたパワーMOSFETファミリである。大電力モータやインバータ、大電流スイッチングなどの用途に向ける。(2014/6/16)

IR IRxx46xx:
導通損失とスイッチング損失を低減、耐圧600VのIGBTを18品種追加
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)の「IRxx46xx」シリーズは、耐圧600VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)ファミリである。トレンチゲート構造やフィールドストップ技術などを適用することで、導通損失とスイッチング損失の低減を図った。(2014/5/13)

IR IRG7PK35UD1PbF:
耐圧1400VのIGBT、電磁調理器の電力範囲を拡大
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)の「IRG7PK35UD1PbF」は、耐圧が1400VのウルトラファストIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)である。導通損失とスイッチング損失を最小に抑えることが可能で、電磁調理器(IH)や電子レンジなどのソフトスイッチング用途に向ける。(2014/3/4)

IR AUIR08152S:
小型パッケージ品で10A出力、IRの車載用ゲート駆動IC
「AUIR08152S」は、出力電流が最大10Aで、8端子SOPの小型パッケージに収めた車載用ゲート駆動ICである。自動車向け品質規格「AEC-Q100」に準拠している。EV/HEVなどの車載用途に加え、工業用の大電流スイッチング用途に向ける。(2013/12/10)

IR IRAM630-1562F:
白物家電のモータ駆動回路を小型/簡素化、PFC内蔵IPM
IRAM630-1562Fは、力率改善(PFC)回路やインバータ段など、モータ駆動に必要な主要回路を1パッケージに集積したインテリジェントパワーモジュール(IPM)である。いくつかの外付け部品およびマイクロコントローラを組み合わせることで、白物家電製品などに搭載されているモータ制御の回路設計を容易に実現することが可能となる。(2013/10/28)

オーディオ処理技術 D級アンプ:
IRのオーディオアンプ開発責任者「D級アンプはAB級を超えた」
モバイル機器、薄型テレビのオーディオアンプとしてのイメージの強い「D級アンプ」。しかし、最近では、100万円を超えるような高級オーディオ機器でもD級アンプが搭載されそのイメージは変化しつつある。D級アンプでプレミアムオーディオ機器市場を切り開いてきたインターナショナル・レクティファイアーのD級アンプ製品開発責任者に聞いた。(2013/7/25)

TECHNO-FRONTIER 2013 開催直前情報:
IRジャパンが最新製品群のデモを披露、D級アンプを用いた電池駆動機器を設計するテクニックも伝授
ICやパワーモジュールを1パッケージに収めたマルチチップモジュールなどを開発するインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)。「TECHNO-FRONTIER 2013」では、プレゼンテーションやデモンストレーションを中心とした展示で、低い消費電力と高い電力密度を実現した製品群を紹介する予定だ。セミナーでは、D級アンプを用いて、限られたエネルギー源からハイパワーを引き出す設計手法について解説する。(2013/6/17)

IR パワーデバイス:
IR、「GaN on Si」によるパワーデバイスの商用出荷開始を発表
インターナショナル・レクティファイアーは2013年5月13日、シリコン上に形成したGaN(窒化ガリウム)によるパワーデバイスを搭載した機器の商用出荷が初めて開始されたと発表した。(2013/5/14)

燃費向上効果は最大15%:
PR:スタート・ストップシステムの設計が容易に、IRジャパンの電源スイッチIC「AUIR3240S」の実力
市場が急拡大しているスタート・ストップシステムには、エンジン始動時に鉛バッテリーから電圧が低下する際に、各種車載システムに最低限の電圧を供給するための電源安定化回路「ボード・ネット・スタビライザ」が必要になります。このボード・ネット・スタビライザの設計を容易にする電源スイッチIC「AUIR3240S」を展開しているのが、パワー半導体のトップサプライヤであるインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)です。(2013/4/1)

IR IRGP4640Dなど:
太陽光発電装置などの用途に適した耐圧600VのIGBT
新製品は耐圧600VのIGBTである。スイッチング周波数が高く、かつ広い周波数範囲が求められる太陽光発電装置などの用途に適しており、より高いシステム効率と優れた過渡特性を提供する。(2013/2/18)

知財で学ぶエレクトロニクス(4):
「SiC」と「GaN」のデバイス開発競争の行方は?(企業編)
電力関連の機器の省エネルギー化や小型化に役立つSiCデバイスとGaNデバイス。太陽光発電や電気自動車、家庭用電気製品など幅広い分野で役立つ。今回はデバイスの種類ごとに開発企業を調べ、それぞれ日本国内での特許出願状況を分析した。どの企業がどのようなデバイスに着目しているのかが、出願状況から分かってくる。(2012/12/26)

知財で学ぶエレクトロニクス(3):
「SiC」と「GaN」のデバイス開発競争の行方は?(地域編)
次世代パワー半導体材料であるSiCとGaN。省エネルギーや小型化の切り札とされており、実用化に期待がかかる。現在、開発競争において、どの地域が進んでおり、どの企業に優位性があるのだろうか。それを解き明かすには特許の出願状況を確認、分析することが役立つ。(2012/12/13)

米International Rectifier 高橋敏男氏:
技術の使い回しでは勝てない
欧州、中国、インド、日本。これらの地域に共通する課題がある。機器の消費電力削減だ。欧州は省電力に関する法制化が進み、中国は政府によるインセンティブが実施されている。インドはやむにやまれぬ電力不足が背景にある。日本はいわずもがなだ。半導体企業ができることは何か。パワー半導体に取り組むほとんどの企業は「技術の使い回しが目立ち、問題解決の方向に向かっていない」――こう主張するのは米International Rectifierのベテラン技術者だ。(2012/9/28)

パワー半導体 GaNデバイス:
LEDを一新した「GaN」、次は電力を変える
SiC(炭化ケイ素)と並んで次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びる「GaN」(窒化ガリウム)。しかし、実用化が進むSiCと比べて、GaNの開発は遅れているように見える。GaNを採用すると、SiCと同様に電力変換時の損失を低減できる。さらに、SiやSiCよりも高速なスイッチングが可能だ。これは電源の小型化に大いに役立つ。しかし、ノーマリーオフ動作が難しいという欠点もある。こちらは電源には向かない特性だ。GaNの長所を伸ばし、欠点をつぶす、このような開発が進んでいる。(2012/8/10)

TECHNO-FRONTIER 2012 速報記事一覧:
実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaNに注目、雑音対策の新提案も続々【7/19追加あり】
電源・モーター制御やEMC・ノイズ対策、各種センサーをはじめとする電子部品など、エレクトロニクス設計の要素技術が一堂に会する専門展示会「TECHNO-FRONTIER 2012(テクノフロンティア2012)」が2012年7月11〜13日に東京ビッグサイトで開催。ここでは、その速報記事を集約してお届けする。(2012/7/13)

TECHNO-FRONTIER 2012 電源設計:
高耐圧もGaNで、IRジャパンが600VのGaN電源モジュールを展示
IRジャパンは、GaNパワー半導体を高耐圧の領域にも広げる。これまで30V品を製品化してきたが、今後、汎用電源に利用する600V品の開発を進める。(2012/7/12)

麻倉怜士のデジタル閻魔帳:
音が変わった! 2012年はAVアンプの当たり年(後編)
春から夏にかけて各社から登場するAVアンプは、普及価格帯のものが多い。しかし、その中にいくつか、昨年までとはまるで違う音が聞ける製品があったという。前回に続き、AV評論家、麻倉怜士氏に解説してもらおう。(2012/7/4)

パワー半導体:
シリコンパワーMOSFETの性能改善、素子構造よりもパッケージが効く時代に
SiCやGaNを使う次世代パワー半導体の開発が進んでいるものの、当面は旧来のシリコン材料を用いたパワーMOSFETが広く使われるだろう。ただしシリコン品の性能を高めるには、もはや半導体素子構造の改良では間に合わない。ウエハー処理の後工程となる組み立てプロセスとパッケージ技術の進歩が貢献する。(2012/4/18)

IR IRS2334x:
耐圧600VのゲートドライバIC、白物家電のインバータモーターの制御に最適
IRジャパンの「IRS2334xシリーズ」は、白物家電や電動工具などに搭載されている3相モーターを駆動するのに最適なゲートドライバICである。安全動作のためのさまざまな護機能を搭載している。(2012/3/21)

ビジネスニュース 市場動向:
GaNパワー半導体市場、2012年は1000万ドル規模に
GaNやSiCを用いた次世代のパワー半導体の市場は、今後4〜5年間で大きく成長すると予測されている。市場調査会社によれば、2016年には5億米ドル規模に達する見込みだという。(2012/3/9)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。