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「SRAM」最新記事一覧

IEDM 2016:
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。(2016/12/8)

ET2016獣道レポート:
3大クラウドサービスの裏通りで、ひっそりと輝く組み込み業界の星々
エレクトロニクス/組み込み分野に詳しい大原雄介氏が、IoTブームに沸く「ET2016/IoT Technology 2016」をレポート。「IoTというより、もうちょっと組み込みっぽい感じで!」というMONOist編集部のざっくりした依頼に応えるべく展示会を訪れた大原氏の前には“獣道”が広がっていた……。(2016/12/7)

「ムーアの法則」を超える新世代コンピューティングの鼓動:
電気がなくてもデータは消えない、メモリ技術の最新事情
前回は現在のコンピュータのアーキテクチャが抱える問題点とその回答の1つとして新しいアーキテクチャを紹介しました。今回は特にポイントとなる記憶領域について、詳しく解説します。(2016/12/2)

MacBook Proに搭載:
新チップ「T1」でApple製品の可能性は広がる?
「Touch Bar」などの新しい機能を搭載したAppleの「MacBook Pro」。MacBook Proには、新しいチップ「T1」が搭載されている。このT1の性能を生かした用途は、MacBook Pro以外にもさまざまなものが考えられそうだ。(2016/12/1)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

マキシム MAX32630/MAX32631:
ウェアラブル向けの低電力Cortex-M4Fマイコン
Maxim Integrated Productsは、アクティブ時127μW/MHz、スリープモード時3.5μW/MHzの低消費電力を可能にしたマイクロコントローラ「MAX32630」「MAX32631」を発表した。(2016/11/29)

Q&Aで学ぶマイコン講座(32):
キャッシュとは? ―― 機能と仕組みから使用上の注意まで
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、中級者の方からよく質問される「キャッシュとは?」です。(2016/11/29)

福田昭のストレージ通信(47) 抵抗変化メモリの開発動向(6):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度
今回は、抵抗変化メモリ(ReRAM)の主な性能に焦点を当てる。具体的にはスイッチング電流(書き込み電流)やスイッチング速度(動作速度)、スイッチング電圧という3つの観点から紹介する。(2016/11/22)

不揮発性パワーゲーティング:
不揮発SRAMでプロセッサの待機時電力を大幅削減
東京工業大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、マイクロプロセッサの待機時電力を大幅に削減できる技術を開発した。低消費電力技術(パワーゲーティング)に不揮発性SRAMを用いることで実現した。(2016/11/17)

「ET 2016」開催直前取材:
IoT無線事業買収シナジーを披露――Cypress
組み込みシステム/IoT(モノのインターネット)関連技術展示会「Embedded Technology 2016(ET 2016)」「IoT Technology 2016」が2016年11月16日から開催される。EE Times Japan/MONOistでは、開催に先駆けて同展示会の注目出展社の見どころを紹介している。今回は、このほど、BroadcomのIoT向け無線通信事業を買収するなど、IoT向けソリューションを強化しているCypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)の日本法人である日本サイプレスのブースの見どころを紹介する。(2016/11/14)

東芝、ディープラーニングを低消費電力で実現する「脳型プロセッサ」開発
東芝は、ディープラーニングを低消費電力で実行する、人間の脳を模した半導体回路を開発した。(2016/11/9)

「人間の脳を模した」:
東芝、深層学習を低消費電力で実現する半導体回路
東芝は2016年11月、ディープラーニング(深層学習)の処理を低い消費電力で実行する“人間の脳を模した”半導体回路「TDNN(Time Domain Neural Network)」を開発したと発表した。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性
SCMとはストレージ・クラス・メモリの略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリである。前回は、SanDiskの講演から、SCMの性能とコストに関する比較をメモリセルレベルまで検討した。今回、信頼性について比較した部分をご紹介する。(2016/11/9)

福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(2):
SanDiskが語る、コンピュータのメモリ階層
今回は、SanDiskが語る“メモリ階層”について紹介する。2000年頃と2010年頃のメモリ階層を比較してみるとともに、2020年頃のメモリ階層を予想する。(2016/11/1)

マイクロチップ EERAMメモリ:
無限の書き込み耐性を搭載したEERAMメモリ
マイクロチップ・テクノロジーは、無限の書き込み耐性を搭載したメモリソリューションを発表した。電源喪失時にも、外付けバッテリーなしで安全にデータを保持するという。(2016/11/1)

Cortex-M7搭載「STM32H7」:
STMが400MHz動作の40nmマイコンを製品化
STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は2016年10月、動作周波数400MHzのARM Cotex-M7コア搭載32ビットマイコン「STM32H7シリーズ」を発表した。(2016/10/31)

車載、産機向けSoC発表:
Intel、IoTを巡ってARMと対決
Intelがこのほど、自動車、産業機器市場向けのリアルタイム性能を備えた新SoCを発表したことで、ARMとのIoT(モノのインターネット)の市場を巡る戦いが激化しつつある。(2016/10/31)

Intelが追い抜かれる勢い?:
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronics(サムスン電子)が火花を散らしている。(2016/10/26)

福田昭のデバイス通信(95):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(後編)
前回に続き、5nm世代のロジック配線プロセスを展望したimecの講演を紹介する。後編となる今回は、微細化に対応して配線抵抗(R)と配線容量(C)を最適化する方法について解説する。(2016/10/24)

買収完了から半年でようやく:
Microchip、Atmel買収後の製品戦略を公表
2016年4月にAtmelの買収を完了したMicrochip Technology(マイクロチップ・テクノロジー)が、今後の製品戦略をようやく公表した。(2016/10/21)

「Galaxy 8」に搭載予定:
Samsung、10nm SoCの量産を2016年内にも開始か
Samsung Electronics(サムスン電子)が10nm FinFETプロセスを適用したSoC(System on Chip)の量産体制を着々と整えているようだ。「Galaxy Note 7」の発火問題で同社のファンドリー事業も停滞するとみられているが、最先端プロセスの実用化に向け、開発を進めている。(2016/10/19)

CPUちゃんってば、ナイスバディ! ITインフラの仕組みをかわいい擬人化キャラで紹介する入門書が発売
発売記念イベントでは短編アニメ「TCP/IPにおけるルーティング」を初公開。(2016/10/13)

ローエンド製品を拡充:
IIoTを実現するプラグラマブルSoC、Xilinx語る
Xilinxの日本法人(ザイリンクス)は、2016年10月4〜7日に幕張メッセで開催された「CEATEC JAPAN 2016」の講演で、インダストリアルIoT(IIoT)を実現する取り組みについて語った。(2016/10/14)

プロセス微細化を精力的に進める:
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に?
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元(3D)パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。(2016/9/28)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

ギガビット級MRAMの開発に道筋:
マンガン系合金ナノ薄膜からTMR素子を作製
東北大学の鈴木和也氏らは2016年7月、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功した。ギガビット級の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発につながる成果だとみている。(2016/8/1)

EE Times Japan Weekly Top10:
中村氏が大学生に送ったメッセージ
EE Times Japanで2016年6月11〜17日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/6/20)

高感度/高精度のセンサー出力にも柔軟に対応:
センサー処理の負荷を軽減、新型PSoC
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、センサー処理の負荷を軽減できるPSoCアナログコプロセッサ「CY8C4Axx」を発表した。プログラマブルな汎用アナログブロックと信号処理用プロセッサをワンチップに集積した製品である。(2016/6/20)

IoT時代のマイコン実現へ大きく前進:
0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授らは2016年6月、0.5ナノ秒での情報の書き換えが可能な不揮発性磁気メモリ素子の動作実証に成功した。高度な演算をリアルタイムで処理できる超低消費電力マイコンの実現に向けて、大きく前進したという。(2016/6/20)

「ITF 2016」で語られた半導体の未来(3):
FinFETサイズの物理的な限界は?
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum(ITF) 2016」では、2.5D(2.5次元)のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。(2016/6/17)

16nm世代の自動運転車向けSoCに展開へ:
ルネサス「世界最速/高集積」の画像処理用SRAM
ルネサス エレクトロニクスは2016年6月16日、16nm以降のFinFETプロセスを用いたSoCに内蔵するためのSRAM技術として、「世界最高の集積性と速度を実現したSRAMを開発した」と発表した。(2016/6/16)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

宮崎 仁のQ&Aでよく分かるマイコン基礎の基礎:
PR:第21回 マイコンのデータ格納用メモリについて教えてください
(2016/5/25)

MAX 10 FPGAで学ぶFPGA開発入門(10):
「MAX 10 NEEK」に搭載されたDDR3メモリを使う
MAX10搭載開発ボード「MAX 10 NEEK」には各周辺機器が備えられており、その中にはDDR3メモリも含まれる。ソフトコアCPU「Nios II」からの利用も含めて手順を紹介する。(2016/5/19)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

「YPJ-R」ロードテスト:
電動アシストロードバイク「YPJ-R」は値段相応と言えるのか
ヤマハ発動機が発売した電動アシストロードバイク「YPJ-R」とはどんな自転車なのか。25万円前後という価格は妥当なのか。あまり自転車に詳しくない人にも分かりやすく説明してみる。実際に坂を上ってその性能もチェックしてみた。(2016/5/4)

「競合の28nm世代に匹敵するフラッシュ技術」:
PR:40nm世代マイコンの出荷も開始――積極的な新製品攻勢を仕掛けるCypressの車載半導体戦略
Cypress(サイプレス)は、車載半導体事業を注力事業に位置付け、積極的な技術/製品開発を展開している。2016年1月には、車載マイコンでは最先端となる40nmプロセスを採用した製品の出荷をスタートさせた。注目を集める40nm世代車載マイコンや今後の車載向け製品開発戦略について、サイプレス自動車事業本部自動車事業部長を務める赤坂伸彦氏に聞いた。(2016/4/28)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

宮崎 仁のQ&Aでよく分かるマイコン基礎の基礎:
PR:第20回 マイコンの内蔵メモリにはどんな種類があるの? 何を選べばいいの?
(2016/4/25)

SSDがターゲット:
Everspin、256MビットのST-MRAMをサンプル出荷
MRAMメーカーのEverspin Technologiesが、56MビットのST-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)のサンプル出荷を開始した。(2016/4/20)

EE Times Japan Weekly Top10:
20年をかけて開発した磁気センサー
EE Times Japanで2016年4月9〜15日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/4/16)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(16):
求む、「スーパーメモリ」
ARM Researchの講演内容を紹介してきたシリーズ。完結編となる今回は、ARMが「スーパーメモリ」と呼ぶ“理想的なメモリ”の仕様を紹介したい。現時点で、このスーパーメモリに最も近いメモリは、どれなのだろうか。(2016/4/14)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(15):
SRAMの書き込み動作を理解する
ここ数回にわたり「SRAMについて知っておくべきこと」を紹介している。今回は、SRAMの書き込み動作について説明していこう。(2016/4/11)

メルマガバックナンバー:
モノづくり総合版 メールマガジン 2016/04/07
「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」編集部が毎週木曜日にお届けしている『モノづくり総合版 メールマガジン』の内容をご紹介!(メルマガ配信日:2016年4月7日)(2016/4/8)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(14):
SRAMの消費電力と設計の課題
今回は、SRAMの消費電力と設計課題について解説する。SRAMの低消費電力化に効果的なのは電源電圧を下げることだが、これには、書き込み不良と読み出しディスターブ不良という問題が付きまとう。(2016/4/5)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(13):
SRAMの基本要素とレイアウト
今回からはSRAMについて知っておくべきことを紹介していく。まずは、多くの半導体メモリにも共通するSRAMシリコンダイの基本レイアウトから説明していこう。(2016/3/31)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(12):
DDR4とHBMの長所と短所
今回は、HBM(High Bandwidth Memory)とDDR4 DRAMを、データ転送速度やパッケージングなどの点から比較してみる。後半は、埋め込みDRAM(eDRAM)の説明に入る。ARM ReserchのRob Aitken氏は、eDRAMが「ニッチな市場にとどまる」と予想しているが、それはなぜだろうか。(2016/3/29)

インテル Genuino 101:
ボタンサイズSoC「Curie」搭載のArduino互換開発ボード
インテルは、小型x86ベースSoC「Curie」を搭載した開発ボード「Genuino 101」を2016年3月24日より販売開始すると発表した。(2016/3/25)



多くの予想を裏切り、第45代アメリカ合衆国大統領選挙に勝利。貿易に関しては明らかに保護主義的になり、海外人材の活用も難しくなる見込みであり、特にグローバル企業にとっては逆風となるかもしれない。

携帯機としても据え置き機としても使える、任天堂の最新ゲーム機。本体+ディスプレイ、分解可能なコントローラ、テレビに接続するためのドックといった構成で、特に携帯機としての複数人プレイの幅が広くなる印象だ。

アベノミクスの中でも大きなテーマとされている働き方改革と労働生産性の向上。その実現のためには人工知能等も含むITの活用も重要であり、IT業界では自ら率先して新たな取り組みを行う企業も増えてきている。