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CMOS に関する記事 CMOS に関する質問

「CMOS」最新記事一覧

Complementary Metal Oxide Semiconductor
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「デジカメならでは」の活用法を分かりやすく提案 - ITmedia デジカメプラス

マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応:
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3〜4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。(2015/7/27)

セイコーインスツル S-35720シリーズ:
1秒〜194日を1秒単位で選択できるコンビニエンスタイマ
セイコーインスツルは、CMOSタイマIC、コンビニエンスタイマ「S-35720」シリーズを販売する。システムスリープ期間中にマイコンを停止できるため、暗電流を200nAまで削減可能だ。(2015/7/22)

福田昭のデバイス通信(31):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(20)〜まとめ:CPU設計の将来像
シリーズ最終回となる今回は、これまでの内容をまとめてみよう。トランジスタの将来像から、消費電力と性能のバランスの取り方、微細化(スケーリング)の余地の拡大まで、ひと通り振り返る。(2015/7/14)

車載半導体:
2020年に自動車1台当たり19個載るイメージセンサー、裏面照射型が鍵を握る
車載CMOSセンサーで50%近いシェアを握るオン・セミコンダクターによれば、2019〜2020年には自動車1台当たりに19個のイメージセンサーが搭載されるようになるという。同社は、成長著しい車載CMOSセンサー市場での優位を確保すべく、裏面照射型の新製品を投入する。(2015/7/13)

ほぼ2台に1台はオンセミ製?:
拡大する車載カメラ市場、裏面照射型CMOSイメージセンサー投入でシェア堅持へ
ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)は、車載ADAS(先進運転支援システム)/ビューイングカメラ向けに、同社としては初めてとなる裏面照射(BSI:Back Side Illumination)型CMOSイメージセンサーを発表した。(2015/7/10)

スリー・アール、スタンド固定も可能なUSBデジタル顕微鏡
スリー・アールシステムは、200万画素CMOSセンサーを備えたUSB接続対応のデジタル顕微鏡「3R-MSUSB201」の販売を開始する。(2015/7/7)

ソニーが公募増資 CBなど含め総額4200億円調達 CMOSセンサー増産
ソニーが公募増資などで約4200億円の資金を調達。旺盛な需要を見込む積層型CMOSイメージセンサーの増産などにあてる計画だ。(2015/6/30)

CMOSセンサー:
DRAM一体型センサーで960fpsの超スロー撮影実現、ソニーが製品化
ソニーが「デジタルカメラとしては初めて」(同社)、メモリ一体型積層型CMOSイメージセンサーを搭載したデジカメを発売する。実現した超高速読みだしによって、960fpsの超スロー撮影などが可能だ。(2015/6/26)

ソニー、ISO 10万相当・フルサイズ裏面照射CMOS搭載ミラーレス一眼「α7R II」発売
初のフルサイズ裏面照射型CMOS搭載ミラーレス一眼「α7R II」をソニーが発売する。(2015/6/26)

1型積層型CMOS搭載でさらなる高速化を実現した「RX100 IV」「RX10 II」
ソニーの1型センサー搭載プレミアムコンパクト「RX100」と「RX10」が新型センサーを搭載し、さらなる高速化を実現して新登場。RX100 IVは4代目、RX10 IIは2代目となった。(2015/6/26)

高解像度、高感度、高速処理に手ブレ補正――α7シリーズ最上位モデル「α7R II」
有効約4240万画素の35ミリフルサイズ裏面照射型CMOSと最高ISO102400を実現する高感度、そして従来より大幅に処理を高速化したα7シリーズの最上位モデル「α7R II」の国内発売が決定。(2015/6/26)

約5060万画素とローパスキャンセルの圧倒的な解像感――キヤノン「EOS 5Ds R」
EOS史上最高の解像度である、有効約5060万画素のCMOSセンサーと、キヤノンのデジタルカメラとしては初めてローパスフィルターをキャンセルする機能を備えた「EOS 5Ds R」。その解像感は気軽に使えるものなのか。(2015/6/26)

プロセス技術:
CMOSプロセスでInGaAs FinFETを形成、Si/SOI基板上に
IBMがIII-V族化合物半導体を使ったFinFETの開発成果を積極的に発表している。IBMは、局所横方向エピタキシャル成長(CELO)技術により、シリコンおよびSOI基板の両方に、通常のCMOSプロセスで、InGaAsのFinFETを形成したと発表した。(2015/6/23)

5分でわかる最新キーワード解説:
「組み合わせ最適化問題」を瞬時に解く「CMOSアニーリング」とは何か
膨大なパターンから実用に適した解を導く「組み合わせ最適化問題」を、量子コンピュータ並みの性能で実現する新型コンピュータを日立製作所が開発しました。中核となる技術が「CMOSアニーリング」です。(2015/6/23)

フルサイズセンサー搭載のコンパクトデジカメ「ライカ Q」、6月20日発売
35ミリフルサイズのCMOSセンサーにF1.7の28ミリ単焦点レンズを組み合わせたコンパクトなデジカメ「ライカ Q」が6月20日に発売される。(2015/6/17)

フルサイズセンサーに28ミリF1.7レンズ搭載の「ライカ Q」発表
ライカカメラが、フルサイズの2400万画素CMOSセンサーと28ミリ/F1.7の単焦点レンズを搭載した「ライカ Q」を発表。6月末に発売する。(2015/6/11)

福田昭のデバイス通信(30):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(19)〜微細化なしで小型化を達成する3次元技術
微細化が限界を迎えた時に回路密度を向上する手法として、シリコンダイや回路層を積層する3次元技術がある。今回は、これらの手法を紹介していこう。(2015/6/11)

福田昭のデバイス通信(29):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(18)〜壁に突き当たるリソグラフィ技術
プロセスルールの微細化において最も困難な課題は、リソグラフィ技術にある。7nm世代の半導体を量産するためのリソグラフィ技術は、いまだに確定していない。現在のところ、解決策としては、従来のArF液浸リソグラフィ技術の改善か、EUV(極端紫外光)リソグラフィ技術の開発が挙げられている。(2015/6/9)

医療機器ニュース:
高解像度CMOSセンサー搭載の下部消化管用拡大スコープ
富士フイルムは、イメージセンサーに高解像度CMOSセンサーを搭載した下部消化管用拡大スコープ「EC-L600ZP」を発売した。独自の画像処理機能と高解像度CMOSセンサーを組み合わせることで、低ノイズで高解像度な画像を可能にした。(2015/6/8)

福田昭のデバイス通信(28):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(17)〜次々世代の配線技術と回路技術
今回は、金属配線の微細化に伴う課題を取り上げる。信号の周波数当たりの配線長や、エレクトロマイグレーションといった問題があるが、これらを根本的に解決する策として期待がかかるのが、配線材料の変更や印刷エレクトロニクスの実用化である。(2015/6/4)

福田昭のデバイス通信(27):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(16)〜次世代メモリへの期待
今回はSRAMの消費電力に視点を移す。CPUの電源電圧の低下に伴うSRAMビット不良や、待機時と動作時で大きく異なるSRAMの消費電力に焦点を当て、なぜ、次世代の不揮発性メモリ「スーパーメモリ」に期待がかかっているのかを説明しよう。(2015/6/2)

福田昭のデバイス通信(26):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(15)〜オンチップSRAMのスケーリング問題
今回は、SRAMの微細化について触れる。16/14nm世代までは微細化が順調に進んできたが、数多くの課題が存在する。周辺回路を縮小しにくいことが、その1つとして挙げられる。(2015/5/29)

キヤノン「EOS 5D」シリーズが誕生から10周年
ハイアマチュア向けとしては初めて、35ミリフルサイズCMOSセンサーを搭載したデジタル一眼レフカメラとして発表された「EOS 5D」の登場から10年。EOS 5Dsの発売を前に、改めて5Dシリーズの10周年が告知された。(2015/5/28)

福田昭のデバイス通信(25):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(14)〜次々世代の異次元トランジスタ
今回は、トランジスタ密度をFinFETに比べて、より高められる素子の構造について触れる。代表的なものが、円筒状のチャンネルをウエハー表面と平行に配置する「ホリゾンタルナノワイヤ(HNW)」と、垂直に配置する「バーチカルナノワイヤ(VNW)」である。(2015/5/26)

福田昭のデバイス通信(24):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(13)〜高移動度FinFETの期待と現実
FinFETの“延命策”として、チャンネルの材料をシリコンからゲルマニウム(Ge)やインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)などに変更する方法がある。だが、ARMの講演では、この“延命策”に悲観的だった。今回は、Ge FETなどが抱える問題と、その打開策について紹介する。(2015/5/20)

福田昭のデバイス通信(23):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(12)〜トランジスタ構造の展望
今回は、トランジスタ構造の展望を、2つの軸に沿って見ていこう。1つ目はプレーナFETからFinFETへの移行、2つ目は14nm世代から5nm世代にかけてのトランジスタ仕様である。FinFETの登場は、プレーナFETにはなかった新たな課題をもたらしている。(2015/5/18)

新技術:
“生体コンピュータ”の実現へ、米大学がCMOSを組み込んだ有機体の生成に挑む
米国のジョージア工科大学の研究チームが、超低消費電力の“生体コンピュータ”の実現に取り組んでいる。研究チームは、まずはCMOSセンサーと細胞を組み合わせて、創薬や医療診断の分野に生かしたいとしている。(2015/5/15)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(4):
回路技術の注目論文〜プロセッサ、メモリ、バイオの最新チップ
今回紹介するのは、高性能プロセッサ、16nm FinFETを適用した連想メモリ、1600万画素の3次元積層CMOSイメージセンサーなどである。プロセッサでは、クロック分配技術や、Intelの「Broadwell」に関する論文について説明があった。(2015/5/8)

福田昭のデバイス通信(22):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(11)〜回路の遅延時間を変動させるさまざまな要因
今回は、回路の遅延時間を左右する要因について紹介する。例えば、コンタクト抵抗、しきい電圧、電源電圧、温度などがある。しきい電圧と温度、電源電圧と温度が遅延時間に与える影響はかなり複雑だが、その対処法として、DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling)技術が挙げられる。(2015/4/30)

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー(2):
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や3次元縦型構造の相変化メモリ(PCM)に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。(2015/4/28)

センシング技術:
UV/VIS感度に最適化したイメージセンサー、タワージャズのプロセスで製造
Gpixelは、高UV感度と低暗電流を実現した裏面照射型(BSI)sCMOSイメージセンサー「GSENSE400-BSI」を発表した。この製品はタワージャズのTS18ISプロセスを使って製造した。(2015/4/27)

福田昭のデバイス通信(21):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(10)〜PVTコーナーの増加がタイミング解析を難しくする
回路の動作周波数などを左右する大きな要因は「PVT」、つまりプロセス(P)、電源電圧(V)、温度(接合温度T)である。動作周波数の代表値や最高値、最低値は、PVTコーナーの数によって決まる。この数は、微細化とともに急増する傾向にあり、タイミング解析がより難しくなっている。(2015/4/21)

福田昭のデバイス通信(20):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(9)〜CPUの性能向上に不可欠な設計の「手戻り」
今回は、LSI設計作業の所要時間について解説する。設計の各工程ではイタレーション、つまり「手戻り」と呼ばれる修正作業が発生する。CPUの動作周波数を上げるためには、膨大な数の手戻りが行われている。(2015/4/17)

福田昭のデバイス通信(19):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(8)〜消費電力の制約が決めるCPUの「個性」
今回は、携帯機器などの用途に求められる消費電力の点から、CPUの性能を見てみよう。まず覚えておきたいのは、ゲート長ごとに性能と消費電力のトレードオフが存在するということだ。(2015/4/14)

ビジネスニュース 企業動向:
三重富士通、SuVoltaから低消費電力トランジスタ技術の知的財産権を取得――40nm、フラッシュ混載へ応用
三重富士通セミコンダクターは2015年4月、米SuVoltaから低消費電力CMOS技術に関する知的財産権を取得したと発表した。従来、SuVoltaからライセンス供与を受けて55nmプロセスに適用してきた同技術を、40nmプロセスなどへと展開していく。(2015/4/9)

福田昭のデバイス通信(18):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(7)〜CPUコアの性能をレイアウトが大きく左右
今回は、CPUコアの性能(動作周波数)とレイアウト設計の関係を見ていこう。CPUコアの性能は、レイアウト設計によって大きく変わる。CPUコアの性能とシリコン面積、消費電力は独立ではない。回路が同じでも、シリコン面積が2倍違うということもある。逆に、回路を工夫すれば、トランジスタ数を減らしてシリコン面積を削減することも可能だ。(2015/4/9)

組み込み開発ニュース:
ソニーがイメージセンサー生産能力増強に450億円追加投資
ソニーが積層型CMOSセンサーの生産能力増強を目的とした設備投資を2015年度に実施すると発表した。投資総額は約450億円を予定する。(2015/4/8)

ビジネスニュース 企業動向:
ソニー、イメージセンサー増強へ450億円規模の追加投資を発表
ソニーは2015年4月7日、2015年度に約450億円を投資し、積層型CMOSイメージセンサーの生産能力増強を行うと発表した。同社は同年2月にも約1050億円規模のイメージセンサー能力増強投資を発表していた。(2015/4/8)

ソニー、イメージセンサー生産能力を増強 投資総額1500億円に
ソニーが積層型CMOSイメージセンサーの生産能力をさらに増強。旺盛なスマートデバイス向け需要に対応する。(2015/4/7)

福田昭のデバイス通信(17):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(6)〜レイアウトの実際
今回は、回路がどのようにレイアウトされていくのかを見てみよう。回路図が同じでも、実際にシリコンのスタンダードセルとして具現化すると、レイアウトがだいぶ異なる場合もある。ARMの講演では、コンパレータを例に取って説明していた。(2015/4/7)

エレコム、130万画素1/6型CMOSセンサーを採用したUSBマイクロスコープを発売
エレコムは、Webカメラ4製品とUSBマイクロスコープを4月中旬に発売する。(2015/3/31)

福田昭のデバイス通信(16):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(5)〜スタンダードセルの「スタンダード」とは何か
「スタンダードセル方式」の「スタンダード」とは、セルの高さと横幅が標準化されていることを指す。今回は、スタンダードセル方式で、高さの異なるセルを特性に応じて使い分ける方法と、同じ高さのセルで電流駆動能力を高める方法を紹介する。(2015/3/27)

福田昭のデバイス通信(15):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(4)
今回は、ロジック設計の変遷をたどっていこう。現在の主流である「スタンダード方式」の他、FPGAに代表される「セミカスタム」などがある。(2015/3/25)

福田昭のデバイス通信(14):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(3)
今回から、ARMの講演の本論に入る。論理設計から、シリコンダイに落とし込むまでに焦点を当てる。LSI設計で最も重要なのは、論理合成と配置、配線である。これらの設計品質が、“シリコンダイ”の良しあしを決める。(2015/3/24)

福田昭のデバイス通信(13):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(2)
前回、設計技術者とデバイス技術者の間には距離があることを説明した。CPUの設計者がデバイス技術者にする質問は常に同じだが、それに対するデバイス技術者の答えにはズレがあるのだ。今回は、そのズレについて説明したい。(2015/3/20)

キヤノン、「EOS M3」と周辺機器を3月26日に発売
有効約2420万画素のCMOSセンサーを搭載したミラーレス一眼「EOS M3」の発売日が3月26日に決まった。(2015/3/19)

福田昭のデバイス通信(12):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(1)
ARMにとって「IEDM」は非常に重要だ。この会議で議論されるトランジスタ技術が同社のCPUアーキテクチャの行方を左右するからである。ARMは「IEDM 2014」で、CPU設計とデバイス・プロセス技術の関わりを解説する講義を行った。今回から、その内容を複数回にわたってお届けする。(2015/3/18)

東芝 T4KB3:
スマートフォン/タブレット向けの小型13MピクセルCMOSイメージセンサー
東芝は、13Mピクセルの裏面照射型(BSI)CMOSイメージセンサー「T4KB3」を製品化した。電源回路を省電力化したことで、13Mピクセルフル画素30fps動作で200mW以下を可能にした。(2015/3/16)

東芝 T4KA7:
20MピクセルCMOSイメージセンサー、スマホやタブレット端末向けに量産
東芝セミコンダクター&ストレージ社は、光学サイズが1/2.4インチで20Mピクセルの裏面照射型(BSI)CMOSイメージセンサー「T4KA7」の量産出荷を始めた。スマートフォンやタブレット端末などのカメラモジュール用途に向ける。(2015/3/9)

ビジネスニュース 業界動向:
CMOSイメージセンサーが引っ張る3次元積層技術
チップを積層し、TSV(シリコン貫通電極)などで接続する3次元IC技術。CMOSイメージセンサーでも、3次元化が進んでいる。(2015/2/23)



国民ひとりひとりに番号を割り当てて行政手続きに利用する電子化施策。一般企業も行政とのやりとりのために、従業員やその家族のマイナンバーを把握・管理しなければならず、2016年1月のスタートに向けて対応が本格化している。

テレビ等のHDMI端子に差すだけで使えるスティック型のPC。マウスコンピューターのm-Stickの登場以降、各社から同様の製品が発表されており、Lenovoも提供を決めるなど注目が高まっている。

ヤフオクが強いC2C分野だが、スマホでは新興のフリマアプリも存在感を持っている。ネットオークションの独特の作法からは距離を置いた、シンプル/直観的な使い心地が女性に好まれているようだ。