TI、第3世代携帯電話やPDAに最適化されたチップを出荷米TEXAS INSTRUMENTSは、90ナノメートルプロセスで製造された、ワイヤレスデジタルベースバンドチップの供給を開始した。 同社によれば、90ナノメートルプロセスは、幅37ナノメートルのトランジスタを実現、4億のトランジスタをワンチップに集積することが可能。TIは、同プロセスへの移行により、トランジスタ寸法の縮小、低消費電力化、チップ面積の縮小、コストの低減を可能にするという。 また、従来はすべての回路に同一のCMOSトランジスタを使用していたが、同プロセスでは機能ごとに最適化されたトランジスタを使用できる。そのため、消費電力の削減や、性能の向上を期待できる。 今回出荷が開始されたチップは、低消費電力かつ低い発熱特性を実現する低リーク電流の「GS50ライブラリー」を使用して設計、製造されており、2.5世代または第3世代携帯電話、PDA、デジタルカメラなどに最適化されている。 関連リンク日本テキサス・インスツルメンツ [ITmedia] Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved. モバイルショップ
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