Quadrant Professional Edition 2.1.1 | GALAXY Note 3 | GALAXY Note II | GALAXY S4 |
---|---|---|---|
total | 23331 | 6918 | 12804 |
CPU | 82079 | 15293 | 33966 |
Mem | 17932 | 5406 | 11897 |
I/O | 13856 | 10886 | 8159 |
2D | 503 | 930 | 487 |
3D | 2283 | 2078 | 2249 |
AnTuTu Benchmark 4.0.3 | GALAXY Note 3 | GALAXY Note II | GALAXY S4 |
---|---|---|---|
total | 33292 | 20593 | 27710 |
UX Multitask | 6207 | 3541 | 5428 |
UX Dalvik | 3651 | 1403 | 2885 |
CPU Integer | 3022 | 2596 | 2852 |
CPU Float | 3184 | 1904 | 3007 |
RAM Operation | 1344 | 2037 | 1364 |
RAM Speed | 2569 | 1276 | 1575 |
2D | 1654 | 1523 | 1575 |
3D | 9301 | 4465 | 6917 |
Storage IO | 1664 | 1226 | 1450 |
Database IO | 693 | 621 | 655 |
ハードウェアのプロセッサやグラフィックスコア、メモリ単位で処理速度を評価するベンチマークテストでは、Quadrant Professional Edition 2.1.1やAnTuTu Benchmark 4.0.3の個別テストにおいてGALAXY Note 3は、予想通り最も高い値を示している。“異様に突出”したQuadrant Professional Edition 2.1.1のCPUは別として、AnTuTu Benchmark 4.0.3では、整数演算も浮動小数点演算もNote 2を大きく上回り、S4もわずかながら超えている。
グラフィックスコアの処理性能を測定するベンチマークテストでは、Quadrant Professional Edition 2.1.1とAnTuTu Benchmark 4.0.3の個別テストスコアでも、Smartbench 2012のGaming IndexでもNote 3はトップスコアを出している。なお、3DMark Android Editionのice stone extremeでは、S4がNote 3を上回っているが、これはベンチマークテストで測定できる上限ぎりぎりでスコアが取れているための誤差で、ice storm unlimitedでは、Note 3がS4を大きく離している。その差はQualcommが主張する“1.5倍”にちょうどあう。
以上、複数のベンチマークテストでGALAXY Note 3の性能を検証したが、GALAXY Note IIは当然としてGALAXY S4の性能も確実に超えたと考えていいだろう。ただ、Samsung電子の開発者は、新しく導入したユーザーインタフェースやSペン関連の機能を実用的な速度で動かすには、「この性能が必要」と語っていた。これが、“最低限必要”のレベルなのか、必要十分の域に達しているのかは、さらに検証を進めていきたい。
なお、テスト評価作業で最も気になったのが、GALAXY Note 3の背面パネルの温度だ。ベンチマークテストを連続して実行しているうちに熱くなったので、非接触タイプの温度計で測ったところ、背面パネルの中央で46度、カメラレンズカバーの金属部分では53度を確認した。ハンディデバイスではこれまで経験したことのないほどに高温だ。
このことは、とても重要な問題なので、より正確な検証を行ったうえで、後日改めてその結果を紹介したい。
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