| News | 2000年8月1日 11:26 PM 更新 |
米Rambus，1GHzを超えるRDRAM技術を開発
米Rambusは7月31日（米国時間），1066MHzのRDRAM技術を開発したと発表。現在最高の800MHzを33%上回る。
米Rambusは7月31日（米国時間），1066MHzのRDRAM（Rambus Direct RAM）技術を開発したと発表した。従来最高だった800MHzを33%上回り，1チャンネル当たりのデータ転送帯域は毎秒2.1Gバイトに達するという。
同社によると，新技術はPC 800 RDRAMのスピードビンを変更することで実現したという。量産出荷は2001年を予定しており，現時点で韓国のSamsung Semiconductor，Hyundai Electronics，東芝，NEC，独Infineon Technologiesが新技術の採用を表明している。
RDRAMはSDRAM（Synchronous DRAM）に代わる次世代高性能メモリとして注目を集めていたが，高価格がネックとなり普及が進んでいない。米Intelは7月25日，今年後半に発表するPentium 4でRDRAMのみをサポートするという当初の計画を変更し，予定外だったSDRAMにも対応する計画を明らかにしている。
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[ITmedia]
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