News：ニュース速報 2002年9月11日　06:02 PM 更新

東芝とSanDisk、1GビットNANDフラッシュを開発

0.13μメートルプロセスを採用した大容量NANDフラッシュが来年第1四半期に登場

　東芝の米国子会社・Toshiba America Electronic Components（TAEC）と米SanDiskは9月11日、1GビットのNAND型フラッシュメモリの製品化に成功したと発表した。2003年第1四半期から、コンパクトフラッシュなどのメモリカード製品に搭載する予定。

　0.13μメートルプロセスを使用し、1チップ1Gビットの大容量を実現した。小型メモリカードと内蔵型メモリの両方に利用できる。

　製造は両社が合弁で設立したフラッシュビジョンの四日市工場（三重県四日市市、東芝四日市工場内）で行う。10月以降、512Mビット以下の製品も0.13μメートルプロセスを導入する計画。

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