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2003年2月10日　08:30 PM 更新

日立、キャッシュを大容量DRAM化したLSIを開発

　日立製作所は、144MビットDRAMをキャッシュメモリとして搭載したLSI「キャッシュDRAM LSI」を開発したと発表した。SRAMと比べキャッシュの大容量化が可能で、プロセッサの高性能化に道を開くとしている。

　新技術は0.18μメートルのDRAM混載プロセスを採用。世界最高速となる750MHzと144Mビットの大容量を実現した。DRAM部はランダムアクセスタイム8.0ナノ秒／シーケンシャルアクセスタイム5.3ナノ秒と高速SRAMに匹敵するアクセス性能を達成したという。ピーク転送速度は48Gバイト／秒に達する。

　プロセッサなどに搭載されるキャッシュメモリは、高速さを要求されるため一般的にSRAMが使用されている。ただSRAMは集積度が低く、オンチップキャッシュメモリの大容量化は難しかった。

　CMOS論理回路と汎用チップ並みの大容量DRAMをチップ上に混載する技術を開発したことで、高性能な次世代サーバの実現につながるとしている。

　成果は2月9日に開幕した半導体関連の国際会議「2003 International Solid-State Circuits Conference」（ISSCC、米サンフランシスコ）で発表した。

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