News:ニュース速報 | 2003年5月6日 08:19 PM 更新 |
エルピーダメモリは5月6日、台湾の半導体メーカーProMos Technologiesと次世代DRAMの開発・製造で戦略的提携することに合意したと発表した。
エルピーダはProMosに100ナノメートル(0.10μメートル)以下のプロセス技術を供与し、ProMOSはエルピーダに製品を供給する。また次世代DRAMを共同開発する。
ProMOSは2002年4月から300ミリウエハ工場の稼働を開始、今年末までに最大で月1万8000枚に対応できるよう設備を増強中。提携で、エルピーダは設備投資負担を抑えながら生産能力を確保できるとしている。
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