News：ニュース速報 2003年6月12日　07:13 PM 更新

Samsung、不揮発性の新メモリ「PRAM」を開発


　韓国Samsung Electronicsはこのほど、新しい不揮発性メモリ「PRAM」（Phase-Change RAM、相変化メモリ）を開発したと発表した。「2003 Symposium on VLSI Technology」で発表する。

　汎用DRAMの揮発性と集積度限界の克服を目指し、シリコンの代わりに不揮発性の相変化物質を利用し、CMOSプロセスで製造する。不揮発性の次世代メモリとしてMRAMやFeRAM、OUMなどの開発が進められているが、Samsungは「メモリの基本特性や信頼性に優れたPRAMが次世代メモリとして浮上する可能性を提案する」としている。

　またSamsungはVLSIシンポジウムで、業界に先駆け90ナノメートル（0.09μメートル）プロセスで製造したNOR型フラッシュメモリを発表した。


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