| News：ニュース速報 | 2003年6月12日 07:15 PM 更新 |
AMD、世界最高速のトランジスタを開発
米AMDは6月12日、世界最高速度で動作するトランジスタを開発したと発表した。従来の最高速トランジスタと比べ30％の高速化を実現したという。成果は次世代プロセッサの設計に活かす。京都で開催中の「2003 Symposium on VLSI Technology」で発表する。
新トランジスタは「完全空乏型SOI」（FDSOI:fully-depleted Silicon-on-Insulator）技術を活用した。また「歪みシリコン」（Strained-Silicon）とメタルゲート技術を組み合わせたトランジスタも発表。従来のNMOS（N型メタル酸化膜半導体）トランジスタと比べ20−25％高い性能を発揮するという。歪みシリコントランジスタは、シリコン原子の“歪み”で高いキャリア移動度を持ち、電流フローが改善されることで高性能を実現できる可能性を持つ。
同社クレイグ・サンダー副社長（プロセス技術開発担当）は「トランジスタ性能の2けた向上達成は、65ナノメートル以降へのプロセス移行の際、目標性能に到達するための選択肢を拡大するだろう」とコメントしている。
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