News：ニュース速報

2003年7月9日　04:06 PM 更新

松下、0.18μメートルFeRAM混載LSIの量産化に成功

　松下電器産業は7月9日、0.18μメートルプロセスのFeRAM（強誘電体メモリ）混載LSIの量産化に世界で初めて成功したと発表した。メモリセルのサイズを大幅に小型化し、大容量メモリを搭載できるようになる。モバイル機器用途を想定し、8月から製品のサンプル出荷を始める。

　FeRAMはフラッシュメモリなどと同様に電源を切っても記録内容を保持する不揮発性を持つのが特徴。0.35μメートル程度のCMOSプロセスで製造されたFeRAMが実用化されているが、容量が数Kビットと少なく、混載LSIの高機能化には限界があった。またフラッシュメモリやEEPROMでは高速化が難しい上、書き換え回数に制約があった。

　松下はメモリセルの面積を従来の10分の1に微細化する新技術を開発。また微細CMOSプロセスで発生する特性劣化を独自技術で克服し、量産化のめどを付けた。

　携帯電話やデジタルTVなど向けに、通信方式に応じて回路を変更できるリコンフィギュアラブルLSIや、電子マネー、ICカードといった用途を想定している。

関連リンク
松下電器産業

[ITmedia]

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.