News：ニュース速報 2003年12月11日　08:42 PM 更新

4GビットAG-ANDフラッシュメモリセル技術を開発


　日立製作所とルネサステクノロジは12月11日、4GビットAG-ANDフラッシュメモリセル技術を開発したと発表した。世界最小のメモリセル面積と高速な書き込み速度の特徴を持ち、ルネサスは2004年第3四半期に製品化する計画だ。

　AG-ANDは日立が開発したフラッシュメモリセル。セル面積の小型化と高速書き込み速度が可能で、現在はルネサスが1Gビット品を0.13μメートルプロセスで量産している。

　4Gビット技術では新しいメモリセル構造を採用し、0.09μメートル（90ナノメートル）時の1ビット換算で0.016μ平方メートルと0.13μメートルプロセス時に比べ約30％のサイズに縮小した。書き込み速度も1Gビット品と同じ10Mバイト/秒と高速性を確保した。

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