8GビットNANDフラッシュを開発 東芝とSanDisk

[ITmedia]

　東芝と米SanDiskは2月8日、70ナノメートルプロセスによる8GビットNAND型フラッシュメモリを共同開発したと発表した。今夏から生産を開始し、2006年には主力製品にする計画だ。

　多値技術と設計の最適化により、チップ面積を146平方ミリに抑えた。従来技術で設計した場合に比べ約5％小さく、90ナノメートルプロセスの4Gビット品からのサイズ増加は5％以内になっているという。

　書き込み速度は毎秒6Mバイト。読み出しはバーストモードの採用などで高速化し、従来比約4割早い毎秒60Mバイトとした。

　三重県四日市市の合弁生産会社で生産する。2チップを1パッケージに積層した16Gビット品もあわせて製品化する計画だ。