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» 2005年12月13日 20時31分 UPDATE

混載用「相変化メモリ」セルを試作 日立とルネサス

[ITmedia]

 日立製作所とルネサステクノロジは12月13日、次世代不揮発性メモリ「相変化メモリ」で、チップ上への混載用途に向けたメモリセルの試作に成功したと発表した。相変化メモリは既存の不揮発性メモリに比べ集積性や速度などで優れており、チップの小型化・低消費電力化につながると期待している。

 相変化メモリは、相変化膜が熱によって電気抵抗が異なるのを利用してデータを記憶する。高速な読み書き速度や書き換え耐性の高さ、低コストな製造が可能として各社が開発を進めている。

 日立とルネサスが試作したのは、メモリに使用したMOSトランジスタと同じ1.5ボルトで動作し、書き換え電流を100μアンペアと半減させたメモリセル。独自開発した相変化膜を使用して実現し、130ナノメートルのCMOSプロセスによる動作を確認した。

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