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» 2008年08月20日 05時00分 UPDATE

IBM、AMDら5社、22nmプロセスのSRAM開発に成功

IBMはAMD、東芝などとともに、22ナノメートルプロセスでセル面積0.1平方マイクロメートルのSRAMを開発した。

[ITmedia]

 米IBMは8月18日、パートナー企業らとともに、「世界初の」22ナノメートル(nm)プロセスのSRAM開発に成功したと発表した。パートナーにはAMD、Freescale、STMicroelectronics、東芝とニューヨーク州立大学アルバニー校ナノテク研究センター(CNSE)が名を連ねる。このSRAMは米ニューヨーク州アルバニーのIBMの研究施設で製造された。

 22nmは2世代先の技術。次世代は32nmプロセスで、IBMは既にパートナー企業らとともにHigh-k(高誘電率)/メタルゲート素材を用いた32ナノメートル(nm)半導体技術を共同開発している

 新SRAMは従来の6トランジスタ設計を用いており、セル面積は0.1平方マイクロメートル。High-k(高誘電率)/メタルゲート素材、ゲート長25nm以下のトランジスタ、薄いスペーサーなどの技術により、開発に成功したとしている。

 この成果については2008年12月にサンフランシスコでIEEEが開催する国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する予定。

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