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NECエレ、先端プロセス開発でIBM連合に参加
» 2008年09月12日 07時00分 公開
[ITmedia]
NECエレクトロニクスと米IBMは9月11日、次世代半導体プロセスの共同開発で合意したと発表した。IBMと韓国Samsung Electronicsなどが参加する32ナノメートル（nm）以降の先端プロセス開発アライアンスに参加する。
NECエレクトロニクスは、東芝と45nm以降のプロセスの共同開発を進めている。東芝は同アライアンスに参加しており、NECエレクトロニクスも合流して共通プロセスプラットフォームの開発を進め、SoCの開発・設計力を強化する狙い。
同アライアンスに参加する半導体メーカーは8社目。
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試作チップは、現行の45nmプロセスの回路と比べて性能が35％高く、消費電力は30〜50％少なかった。
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