News：ニュース速報 2000年12月22日　03:37 更新

東芝とInfenionが次世代メモリを共同開発

　東芝と独Infenion Technologiesは12月22日，次世代メモリ・FeRAM（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）を共同開発することで合意したと発表した。

　まず，東芝が2001年3月にサンプル出荷を予定する8Mビット品の評価とマーケティングを共同で実施する。さらに2002年末までに32Mビット品を共同開発する。将来は128Mビット品の開発までを共同で行う考え。

　FeRAMは不揮発性メモリの1つ。同じ不揮発性のフラッシュメモリと比べ，データの読み書きが高速に行える上，プログラムメモリとファイルメモリの両方の性質を持つため，携帯電話で利用されるSRAMとフラッシュメモリを積層したマルチチップパッケージモジュールの置き換えをはじめ，各種モバイル製品や無線タグ，ICカードなど応用範囲は広い。

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