News：ニュース速報 2001年8月2日　04:40 PM 更新

富士通，世界初の0.35μメートルFRAMを混載したLSIを発売

　富士通は8月2日，次世代メモリであるFRAM（不揮発性強誘電体RAM）を世界で初めて0.35μプロセスで量産化することに成功したと発表した。FRAMを混載したICカード用LSIを同日からサンプル出荷する。

　富士通は1999年10月に0.5μメートルプロセスでFRAMの量産を開始，これまで3000万個以上を出荷した。さらに微細化することで集積度を高め，書き換え速度／回数や消費電力も向上しているという。

　LSIチップには32ビットRISCと64KバイトのFRAMを混載。メモリを大容量化することで複数アプリケーションの実行とデータ記録量の大容量化が可能。一般的にICカード用メモリに利用されるEEPROMに比べ，書き込み速度で約1万倍，書き込み消費電力で約1/400，書き換え可能回数で約10万倍の高性能化が図れたとしている。LSIのサンプル価格は1200円。2002年1月から量産出荷を始め，月産150万個規模を計画している。

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