News：ニュース速報 2001年12月3日　03:56 PM 更新

AMD，ゲート長0.015μメートルの最速CMOSトランジスタを開発

　米AMDは12月3日（現地時間），世界最高速のスイッチング速度を持つCMOSトランジスタを開発したと発表した。将来のMPUに採用を計画している。

　新開発したトランジスタはゲート長0.015μメートル。電圧0.8ボルトでスイッチング速度は0.3ピコ秒（毎秒3.33兆スイッチ）。AMDが2009年前後に量産化を計画している0.03μメートルプロセスルールによるプロセッサ開発の要となる。同トランジスタを使用することで，1チップ当たりのトランジスタ数を20倍に，MPUの性能を10倍に向上できるという。

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