| News：ニュース速報 | 2001年12月4日 04:49 PM 更新 |
日立，高速AND型フラッシュメモリを開発
日立製作所は12月4日，次世代AND型フラッシュメモリセル「AG（Assist Gate）-AND」を開発したと発表した。0.13μプロセス品で毎秒10Mバイトの書き込みが可能という。
セル構造に，セル間の干渉を防ぐアシストゲートと，フローティングゲートを組み合わせた「フィールドアイソレーション」方式を採用。溝を作ってセルを独立させる「浅溝アイソレーション」方式と比べセル面積が半分以下に小型化できた。また書き込み方式を従来の「F-Nトンネル方式」から「ホットエレクトロン方式」に変更。書き込み時間を5分の1以下の10μ秒以下に短縮できた。
0.13μメートルプロセス品の製品化に当たり，チップ内を4バンク構成にすることで10Mバイト／秒の書き込み速度を実現した。成果は12月3日から米国ワシントンで開幕した国際会議「2001 International Electron Devices Meeting」で発表する。
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