News：ニュース速報 2001年12月4日　06:30 PM 更新

シャープと東北大，業界最小のフラッシュメモリセルを開発

　シャープと東北大学は12月4日，業界最小サイズのフラッシュメモリ素子を実現する基礎技術を開発したと発表した。メモリセルを2段縦積みにする3次元構造を持ち，2次元構造に比べサイズを半減できるという。

　メモリセルを2段縦積みした素子を試作，書き込み／消去特性を確認した。現在のフラッシュメモリの物理的最小サイズ（4F）を50％以上削減できるという。原理的には，縦積みにするセル数を増やすことでさらに面積を減らせる。より大容量で低コストな次世代フラッシュメモリの実現につながる。0.10μメートル以下のプロセス技術を使用した16Gビット以上の製品実現に向けて研究を進め，将来はHDDをリプレースする「フラッシュファイル」の実用化も目指す。

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