News:ニュース速報 | 2002年3月13日 07:26 PM 更新 |
三洋電機は3月13日,イオン注入技術を活用した青紫色半導体レーザー素子を世界で初めて開発したと発表した。従来方式と比べ,レーザーの低ノイズ化,省電力化が可能で,次世代大容量DVDに最適としている。
InGaN(インジウムガリウムナイトライド)系化合物半導体を使った青紫色(405ナノメートル)レーザー素子。イオン化した原子に高電界をかけて半導体内部に打ち込む「イオン注入技術」を採用し,イオン注入層によりレーザー光のモード制御や電流狭窄を行うことで,レーザーの安定性を向上させる「ビーム安定型構造」を開発した。光ディスク要レーザーに必要な低ノイズ・低電流特性を実現した上,チップサイズの小型化が可能で,量産性も高いという。
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