| News：ニュース速報 | 2002年4月2日 05:51 PM 更新 |
IBM，ソニー，東芝，次世代半導体製造プロセスを共同開発
米IBMとソニー，ソニー・コンピュータエンタテインメント（SCEI），東芝は4月2日，次世代半導体製造プロセスを共同開発することで合意したと発表した。各種機能を単一チップに集積したシリコンオンインシュレータ（SOI）の実現を目指す。
今後4年間で総額数億ドルをかけ，300ミリウエハーに線幅0.05μメートルに至る次世代プロセス技術を開発する。新技術を使い，プロセッサやメモリ，通信機能などを単一チップに集積したSOIの開発を加速する。
IBMの銅配線技術とSOI技術，ソニー・SCEIのデジタル家電とゲーム機システム技術，東芝の半導体ノウハウをそれぞれ持ち寄る。開発は米国ニューヨーク州のIBM半導体開発センターに各社のエンジニアを集結して取り組む。チップ製品は，新プロセスを利用して各社が個別に開発する。
SCEIとIBM，東芝は次世代超並列プロセッサ「CELL」の共同開発を進めている。
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