「MRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

電子ブックレット（組み込み開発）：
新生アルテラが再誕／マイコン混載MRAMで高速読み出し
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年1〜3月）」をお送りする。（2024/4/15）

組み込み開発ニュース：
ルネサスがマイコン混載MRAMで200MHz超の高速読み出し、今後は製品開発へ移行
ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。（2024/2/21）

研究開発の最前線：
STT-MRAMの微細化技術を確立、AIや車載向けのカスタマイズが可能に
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立した。磁気トンネル接合素子を数nm領域に微細化しながら、AIや車載など用途に合わせたカスタマイズが可能となる。（2024/1/19）

数nm世代のSTT-MRAMに対応：
東北大学、用途に合わせMTJ素子特性をカスタマイズ
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。（2024/1/17）

組み込み開発ニュース：
16nm FinFET採用の車載用MRAMの提供に向けて共同開発を開始
NXP Semiconductorsは、16nm FinFETを使用した車載用MRAMの提供に向けてTSMCと提携する。MRAMの採用で新機能の導入やアップデートの高速化が期待できる。初期製品サンプルは2025年初頭に出荷予定だ。（2023/5/31）

TSMCの16nm FinFET技術を使用：
NXPとTSMC、車載向け組み込み用MRAM IPを開発
NXP Semiconductorsは、TSMCの16nm FinFET技術を用いた「車載向け組み込み用MRAM IP」をTSMCと共同開発した。NXPはソフトウェア・デファインド・ビークル（SDV）に向けて、同IPを組み込んだリアルタイムプロセッサ「S32」を開発中で、2025年初頭より初期製品のサンプル出荷を始める予定。（2023/5/19）

TMR比は最大631％、振幅幅は141％：
素子界面を精密に制御、室温TMR比が世界最高に
物質・材料研究機構（NIMS）は、素子界面を精密に制御することで、室温トンネル磁気抵抗（TMR）比が世界最高になる631％に達したと発表した。今回の成果は、磁気センサーの高感度化や磁気抵抗メモリ（MRAM）の大容量化につながるとみられている。（2023/4/17）

省電力の次世代MRAMに応用：
「FeSi」、室温下でスピントロニクス機能を実現
東京大学と理化学研究所は、鉄とシリコンの化合物「FeSi」において、トポロジカル物性やスピントロニクス機能が、室温下で実現できることを東北大学との共同研究で明らかにした。次世代MRAMへの応用が期待される。（2022/12/22）

CoFeBとMgOの界面数を6重へ：
Xnm世代プロセスに適合するiPMA Hexa-MTJを開発
東北大学は、STT-MRAM向けの「6重界面磁気トンネル接合素子（iPMA Hexa-MTJ）」を開発した。iPMA Hexa-MTJは、Xnm世代のマイコン混載不揮発メモリに適用できる熱耐性や書き換え耐性を実現している。（2022/12/12）

MRAMの高速化と高密度化を可能に：
東京大ら、ひずみで反強磁性体の磁気状態を制御
東京大学は、ブリティッシュコロンビア大学などからなる国際共同研究グループと共同で、反強磁性体「Mn▽▽3▽▽Sn」の磁気状態を、結晶のひずみによって制御することに成功した。開発した制御技術を用いることで、MRAMのさらなる高速化と高密度化を実現することが可能になるという。（2022/8/23）

MRAMの高速化、低電力を可能に：
「反強磁性体」で垂直2値状態の電流制御に成功
東京大学は理化学研究所などと共同で、反強磁性体における垂直2値状態を電流制御することに成功した。磁気抵抗メモリ（MRAM）のさらなる高速化や低消費電力化を可能にする技術だという。（2022/7/22）

ITワード365：
【ITワード365】多要素認証／フレイキーテスト／MRAM／MLOps／データセンター／ライブコマース／マイニング
最新IT動向のキャッチアップはキーワードから。専門用語でけむに巻かれないIT人材になるための、毎日ひとことキーワード解説。（2022/6/23）

ルネサスが「VLSI 2022」で発表：
混載MRAMの高速読み出し／書き換え技術を開発
ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は2022年6月16日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）の高速読み出し／書き換え技術を開発したと発表した。同技術を適用した32MビットのMRAMメモリセルアレイを搭載したテストチップでは、150℃の接合温度でランダムアクセス時間5.9ナノ秒、書き換えスループット5.8Mバイト/秒を達成。（2022/6/17）

磁気電気結合係数は従来の2倍以上：
STT-MRAMなどの低消費電力書き込み技術を開発
大阪大学と東京工業大学の共同研究グループは、スピントロニクス界面マルチフェロイク構造を開発し、これまでの2倍以上という性能指標（磁気電気結合係数）を達成した。電界印加による磁化方向の繰り返しスイッチングも実証した。（2022/5/25）

垂直磁気異方性を従来の約2倍に：
フッ化物導入の磁気メモリで記録保持特性を改善
産業技術総合研究所（産総研）は、フッ化物をトンネル障壁に用いた新構造の磁気トンネル接合素子（MTJ素子）を開発した。垂直磁気異方性が従来の約2倍になり、磁気メモリ（MRAM）の記録保持特性を改善することに成功した。（2022/2/1）

低消費電力AIチップ実現に向け：
Samsung、MRAMベースのインメモリコンピューティングを発表
Samsung Electronicsは2022年1月13日（韓国時間）、磁気抵抗メモリ（MRAM）のイノベーションを発表した。同社は、「単一のメモリネットワーク内でデータストレージとデータコンピューティングの両方を実行できる、世界初のMRAMベースのインメモリコンピューティングを実現した。このMRAMアレイチップは、低消費電力AI（人工知能）チップの実現に向けた次なるステップだ」と主張している。（2022/1/26）

組み込み開発ニュース：
低消費電力で高速、混載メモリ用STT-MRAMの書き換え技術を開発
ルネサス エレクトロニクスは、STT-MRAMのデータを低消費電力かつ高速で書き換えられる技術を開発した。試作チップの測定では、書き換えエネルギーを72％低減し、電圧印加時間を50％削減した。（2022/1/6）

IoT用マイコンの低電力化に向け：
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス
ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11〜15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。（2021/12/20）

トポロジカル絶縁体とMJTを集積：
東京工大ら、SOT-MRAM素子の原理動作実証に成功
東京工業大学と米国カリフォルニア大学ロサンゼルス校を中心とした国際研究チームは、トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（MTJ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）素子を試作し、読み出しと書き込みの原理動作を実証した。（2021/11/5）

SOT-MRAM開発スタートアップ：
MRAMの制約を克服するスピン軌道トルク
AntaiosのCEO（最高経営責任者）を務めるJean-Pierre Nozières氏は米国EE Timesのインタビューで、「スピン軌道トルク（SOT）MRAMは、スピン伝達トルク（STT）MRAMが現在直面している“トリレンマ”に対処できる」と語った。（2021/10/11）

極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化：
産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善
産業技術総合研究所（産総研）は、原子層レベルで制御されたタンタル（Ta）を下地に用いることで、磁気抵抗メモリ（MRAM）の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発した。（2021/7/26）

トンネル障壁層に新材料を採用：
MRAM用単結晶MTJ素子を300mmウエハー上に作製
産業技術総合研究所（産総研）は、MRAM用の単結晶MTJ（磁気トンネル接合）素子をシリコンLSIに集積化するための3次元積層プロセス技術を開発した。（2021/6/3）

福田昭のストレージ通信（199） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（24）：
埋め込みフラッシュメモリをマイコンとFPGAに応用
今回と次回は、MRAM以外の埋め込みメモリを紹介する。今回は、フラッシュメモリをロジックLSIに埋め込んだ「eFLASH」の製品化事例を解説しよう。（2021/5/18）

福田昭のストレージ通信（196） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（23）：
Samsungの埋め込みMRAMをソニーのGPSレシーバーLSIが搭載
今回は、Samsung Electronicsが開発した埋め込みMRAM技術の製品化事例を報告する。具体的には、Huaweiのスマートウォッチ「GT2」に搭載されているソニーセミコンダクタソリューションズのGPSレシーバーIC「CXD5605」に、SamsungのMRAMマクロが内蔵されていることが明らかになった。（2021/4/30）

福田昭のストレージ通信（195） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（22）：
Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷
今回は、最も多くの出荷実績を有するMRAMベンチャーであるEverspin Technologiesについて解説する。（2021/4/27）

福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）：
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。（2021/4/23）

テラヘルツ電子デバイス実現に道筋：
反強磁性金属のスピン反転、10ピコ秒以下を実証
東京大学らの研究グループは、トポロジカル反強磁性金属においてスピン反転の時間が10ピコ秒以下と極めて速いことを実証した。読み書き速度は、現行のMRAMに比べ10〜100倍も早くなるという。（2021/4/19）

電子ブックレット（組み込み開発）：
村田製作所が全固体電池を量産へ／ソニー製STT-MRAMがSSDに
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2020年10〜12月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2020年10〜12月）」をお送りする。（2021/2/1）

IoT＆5Gソリューション展：
ソニー製STT-MRAMをSSDに搭載、Nextorageがデモを披露
ソニーグループのメモリストレージベンダーであるNextorageは、「第6回 IoT＆5Gソリューション展 秋」において、STT-MRAMを記憶媒体として用いたPCI-ExpressベースのSSDのデモンストレーションを披露した。STT-MRAMは、ソニーセミコンダクターソリューションズで開発中のものを使用している。（2020/10/30）

米新興企業：
Spin Memory、MRAM製造でArmやAppliedと協業へ
米国カリフォルニア州フリーモントに拠点を置く新興企業Spin Memoryは、ArmとApplied Materialsとの協業により、MRAM（磁気抵抗メモリ）を製造すると発表した。軍事、自動車、医療用機器などの幅広い分野への普及を実現できると期待されている。（2020/9/25）

書き込み60MHz、読み出し90MHzを達成：
「世界初」SOT-MRAMチップの動作実証に成功、東北大
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（以下、CIES）と同大電気通信研究所は2020年6月15日、スピン軌道トルク型磁気トンネル接合（SOT-MTJ）素子を用いた不揮発性メモリ（SOT-MRAM）チップを試作し、その動作実証に世界で初めて成功した、と発表した。（2020/6/18）

車載対応のデータ保持特性：
東北大学、Quad-MTJで高速動作などを確認
東北大学は、新たな4重界面磁気トンネル接合素子（Quad-MTJ）とその製造技術を開発し、STT-MRAM（スピン注入型磁気抵抗メモリ）に求められる「高速動作」の実証と「データ書き換え信頼性」について確認した。同時に車載用途で必要となる「データ保持特性」も実現した。（2020/6/19）

「ストレージクラスメモリ」総ざらい【後編】
ストレージクラスメモリ「STT-MRAM」「NRAM」とは？　「DRAM」と何が違う？
ストレージクラスメモリの一種である「MRAM」には幾つかの種類が存在する。それぞれどのような技術を採用していて、容量や性能の観点でどのような違いがあるのだろうか。（2020/3/31）

「ストレージクラスメモリ」総ざらい【中編】
「DRAM」と「MRAM」の決定的な違いとは？
メインメモリとストレージの在り方を変える可能性を秘める「ストレージクラスメモリ」。その主要技術「MRAM」とは何か。DRAMやNAND型フラッシュメモリと何が違うのか。（2020/3/12）

新たな磁気メモリの実用化近づく：
東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功
東北大学は、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク（SOT）型磁気トンネル素子の作製に成功した。SOT-MRAMセルとしての動作も確認した。（2019/12/12）

EE Exclusive：
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM（磁気抵抗メモリ）の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。（2019/9/30）

アプライド マテリアルズ：
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化型メモリ）など新型メモリの量産を可能にするPVD（物理蒸着）装置について、その特長などを紹介した。（2019/9/19）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術 ―― 電子版2019年9月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2019年9月号を発行致しました。今回の電子版先行公開記事（EE Exclusive）は、「拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術」です。他にも、Micron Technology幹部インタビュー記事などを掲載しています。（2019/9/17）

150℃でも十分な熱安定性を実現：
東北大学、車載用途に対応可能なMTJ技術を開発
東北大学は、150℃の高温環境でも、十分なデータ保持時間（熱安定性）を確保できる磁気トンネル接合（MTJ）技術を開発した。車載システムへのSTT-MRAM応用が可能となる。（2019/6/17）

福田昭のストレージ通信（150） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（11）：
磁気抵抗メモリ（MRAM）の技術動向と製品動向
今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。（2019/6/14）

福田昭のストレージ通信（149） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（10）：
磁気抵抗メモリ（MRAM）の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ（MRAM）について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。（2019/6/11）

福田昭のストレージ通信（146） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（7）：
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ（PCM）、磁気抵抗メモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）という3つの最有力候補について解説する。（2019/5/22）

ロジックへの統合が容易：
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics（以下、Samsung）は、28nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS）プロセスをベースにした最初のeMRAM（組み込み型磁気抵抗メモリ）製品の量産を発表した。（2019/3/12）

ISSCC 2019：
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM（スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ）向け技術について、詳細を明らかにした。（2019/2/22）

福田昭のストレージ通信（135） 半導体メモリの勢力図（6）：
次世代メモリの市場予測と3D XPointメモリの現状
今回は、次世代メモリのうち、MRAM（磁気抵抗メモリ）とクロスポイントメモリ（XPoint）について、市場予測と開発状況を説明する。（2019/2/15）

福田昭のストレージ通信（134） 半導体メモリの勢力図（5）：
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化メモリ）といったエマージング・メモリ（次世代メモリ）の特徴を比較する。（2019/2/8）

高集積MRAM実現に向けて：
磁力の弱いナノ薄膜磁石を磁気のない金属から作製
東北大学材料科学高等研究所（AIMR）の鈴木和也助教と水上成美教授らの研究グループは2018年12月、磁気のない金属からナノ薄膜磁石（マンガンナノ薄膜磁石）を作ることに成功したと発表した。高集積MRAM（磁気抵抗メモリ）を実現するための材料開発に新たな視点を与える研究成果だとする。（2018/12/14）

スイッチング電流の測定技術確立：
STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。（2018/11/5）

BiSbをSOT-MRAMに応用：
トポロジカル絶縁体で高性能純スピン注入源開発
東京工業大学は、トポロジカル絶縁体であるBiSb（ビスマスアンチモン）の（012）面方位を用いて、高性能の純スピン注入源を開発した。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）を実現できる可能性が高まった。（2018/8/2）

福田昭のストレージ通信（110） GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM（10）：
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM（後編）
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット（5Mバイト）の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性（書き換えサイクル数とデータ保持期間）とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。（2018/7/20）