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» 2005年08月23日 16時21分 UPDATE

エルピーダ、512MビットDDR3 SDRAM開発──年度内サンプル出荷へ

エルピーダメモリは、最大1333Mbpsのデータ転送速度を実現する次世代SDRAM、512MビットDDR3 SDRAMの開発を完了したと発表した。低電圧で動作しながらDDR2の2倍となる速度を実現する。

[ITmedia]

 エルピーダメモリは8月23日、電圧1.5ボルトで駆動する512MビットDDR3 SDRAMの開発を完了をしたと発表した。

photo 512MビットDDR3 SDRAM

 このDDR3 SDRAMは、DDR2 SDRAMの動作電圧である1.8ボルトより低い1.5ボルトで駆動し、DDR2の2倍となる最大1333Mbpsのデータ転送速度を実現する。

 90ナノプロセスをベースに、DRAM量産品としては初となるデュアルゲート構造トランジスタ(低電圧で高速に動作する回路を、低リーク電流で実現するトランジスタ構造)を導入した。サーバ、ハイエンドPCなど高機能・高性能マシンへの搭載が想定され、DDR2製品と比較し2倍の速度性能ながら、動作電圧の低減、DDR2製品同等の消費電流値達成が特徴となる。

 本年度内にサンプル出荷を、そして市場動向に合わせた量産開始を目指す。1Gビット/2Gビット品といったさらに大容量製品の展開も計画されている。

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