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» 2011年04月15日 13時30分 UPDATE

IntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の8GバイトNANDフラッシュメモリ

米Intelと米Micron Technologyは、業界最小の20ナノメートルプロセスルールによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。

[ITmedia]

 米Intelと米Micron Technologyは4月14日(現地時間)、20ナノメートルプロセスルールによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。量産出荷は2011年後半の予定だ。小型で大容量のストレージが求められるスマートフォン、タブレット端末、SSD、デジタル家電などへの採用を想定している。両社は16Gバイト版のサンプル出荷も行う予定だ。

tm_1104_20nm_01.jpgtm_1104_20nm_02.jpg 20ナノメートルプロセスによるMLC NANDフラッシュメモリのダイ(写真=左)。プロセスルールによるMLC NANDフラッシュメモリのサイズ比較(写真=右)

 今回両社がサンプル出荷を開始したのは、業界最小の20ナノメートルプロセス技術を開発し、約118平方ミリのダイサイズで8Gバイトの容量を実現したMLC NANDフラッシュメモリ。従来の25ナノメートルプロセスによる8GバイトMLC NANDフラッシュメモリと比較して、ボード面積で30〜40%(パッケージの種類によって異なる)の削減が可能で、性能と耐久性は同等を維持したという。また、従来技術に比べて、Gバイト換算で約50%高い工場の生産性を達成できるとする。

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