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» 2013年05月21日 15時45分 UPDATE

書き込み速度も世界最高クラス:東芝、世界最小の19ナノメートルプロセスNANDフラッシュを開発、量産開始へ

東芝は、第2世代19ナノメートルプロセスによる64GビットNANDフラッシュメモリを開発し、量産を開始すると発表した。従来モデルと比べ、本体サイズが小さくなった。

[池田憲弘,ITmedia]
photo 新型のNANDフラッシュメモリ。従来モデルよりも小型化を果たした

 東芝は5月21日、第2世代19ナノメートルプロセスを用いた新型NANDフラッシュメモリを開発し、2013年5月に量産を開始すると発表した。

 新製品では周辺回路の工夫により、2ビット/セルの64GビットNANDフラッシュメモリとしては世界最小(2013年5月21日現在、東芝調べ)の94平方ミリメートルというサイズを実現した。同社独自の高速書き込み回路方式により、書き込み速度は25Mバイト/秒に達したという。

 また、第2世代19ナノメートルプロセスを採用した3ビット/セル版も開発しており、2013年第2四半期に量産を開始する予定だ。eMMC対応のコントローラも新しく開発し、スマートフォンやタブレット、そしてSSDへの対応も進めるという。

 同社は第1世代19ナノメートルプロセスを採用したNANDフラッシュメモリを2011月4月に発表。NANDフラッシュメモリを搭載するSSDや、NANDフラッシュメモリを内蔵したHDD「ハイブリッドドライブ」を開発していた。

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