Quick Charge 4.0や下り1GbpsのLTE通信に対応――「Snapdragon 835」発表CES 2017

» 2017年01月05日 13時31分 公開
[田中聡ITmedia]

 Qualcommが1月3日(米国時間)、CES 2017にて、モバイル端末向けの最新プロセッサ「Snapdragon 835」を発表した。

 Snapdragon 835は、現在提供されているSnapdragon 820シリーズに続く、ハイエンドのプロセッサ。モバイル向けプロセッサとしては、初めて10nm FinFETプロセスで製造されており、820と比べてパッケージサイズが35%小型化したほか、25%の低消費電力を実現している。

Snapdragon 835

 CPUはQualcommが開発した「Kryo 280」を搭載しており、最大2.45GHz駆動の4コアと最大1.9GHz駆動の4コアで構成される。

 急速充電規格の「Quick Charge 4.0」に対応。Quick Charge 3.0と比較して充電スピードが最大20%速くなり、最大30%充電効率が改善された。

Snapdragon 835 「Quick Charge 4.0」に対応する

 LTEモデムは「Snapdragon X16」を内蔵しており、下りはLTE Category 16、上りはLTE Category 13をサポート。20MHz×4のキャリアアグリゲーションと最大256QAMによって下りは最大1Gbps、「Qualcomm Snapdragon Upload+」、20MHz×2のキャリアアグリゲーション、最大64QAMによって上りは最大150Mbpsの通信(いずれも理論値)が可能。

 Wi-Fiは複数端末に複数信号を同時に送信する「MU-MIMO(マルチユーザーMIMO)」が可能な「802.11ac Wave-2」に対応するほか、60GHz帯を使って最大4.6Gbpsの通信が可能な「802.11ad」もサポートする。Bluetoothは最大2Mbpsの通信が可能な「Bluetooth 5」をサポートする。

 Snapdragon 835はAndroidやWindows 10搭載デバイス、VR/ARデバイス、IPカメラ、タブレット、モバイルPCなどへの搭載が想定されており、2017年前半に搭載デバイスが発売される見込み。

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