PC USER Pro
ニュース
» 2019年01月09日 14時03分 公開

東芝メモリ、96層3次元フラッシュメモリを採用した1TB NVMe SSDを発表

東芝メモリは、96層3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を採用したシングルパッケージ設計の1TB NVMe SSD「BG4」シリーズを発表した。

[ITmedia]

 東芝メモリは1月9日、96層3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を採用した1TB NVMe SSD「BG4」シリーズを発表、本日から一部OEM向けにサンプル出荷を開始した(2019年第2四半期以降、順次出荷を拡大予定)。

photo BG4シリーズ

 96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリと新規開発のコントローラーをシングルパッケージに収めたモデル。PCIe 3.0 x4接続に対応しており、転送速度はシーケンシャルリード最大2250MB/s、ランダムリード性能は最大38万IOPSを実現している。

 ラインアップは1TBモデルの他に512GB、256GB、128GBモデルも用意。フォームファクタは面実装タイプのM.2 1620と、抜き差しが可能なモジュールタイプのM.2 2230を取りそろえた。

関連キーワード

フラッシュメモリ | SSD | NVMe | 東芝 | OEM


Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

この記事が気に入ったら
ITmedia PC USER に「いいね!」しよう