最新記事一覧
ADAS(先進運転支援システム)の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン/SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン/SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース(I/F)では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。
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キオクシアは、次世代の車載機器に向け、JEDEC標準仕様「UFS Version 4.0インタフェース」に準拠した組み込み式フラッシュメモリ(UFS製品)を開発、サンプル出荷を始めた。
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自動運転技術の進化に伴い、自動車で活用されるデータは増加の一途をたどっている。そのため、膨大な量のデータを高速に読み書きできる高性能ストレージが求められている。このニーズにいち早く応え、最新規格「UFS 4.0」に準拠した車載用ストレージを開発したのがキオクシアだ。
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インフィニオン テクノロジーズ は、高外部磁場耐性のリニア型TMR位置センサー「XENSIV TLI5590-A6W」を発表した。リニアまたは環状の磁気エンコーダーの使用により、10μm未満の高精度で精密測定できる。
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Infineon Technologiesは、リニア型トンネル磁気抵抗テクノロジーを応用した磁気位置センサー「XENSIV TLI5590-A6W」を発表した。10μm未満と高精度測定が可能で、急激に変化する方向も正確に検出できる。
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MicronがノートPC向けの「LPCAMM2」なる新型メモリモジュール規格の説明会を開催した。従来のノートPCで使われてきた「SO-DIMM」と比べて、どのようなメリットがあるのだろうか。
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市場形成が本格化してきたGaNパワー半導体業界の再編は、近い将来さらに加速していくことが予想されます。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、10月8日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう!
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キオクシアは、「e-MMC Ver.5.1」に準拠した組み込み式フラッシュメモリを開発し、サンプル出荷を開始した。3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」とコントローラーを内蔵し、機器側のプロセッサ負荷を軽減できる。
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2023年8月に開催されたフラッシュメモリに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」の主催者は、Intelでの初期段階の取り組みから始め、重要な業界標準規格を定義/推進してきたAmber Huffman氏に、生涯功労賞を授与した。
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インフィニオン テクノロジーズは、同社の第7世代IGBT「TRENCHSTOP IGBT7」を発表した。定格電圧は650Vで、定格電流は40〜150Aを用意する。ストリングインバーターやEV用充電システム、蓄電システムなどに適する。
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インフィニオン テクノロジーズは、TOLLパッケージを採用したSiC MOSFET「CoolSiC MOSFET 650V」を発表した。スイッチング周波数や熱管理の向上、スイッチング損失の低減、パッケージの自動組み立てなどが可能となる。
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エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回はRambusがPhysical IPをCadenceに売却した話と、GDDR7/MRDIMMの標準化に向けた動きを紹介する。
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インフィニオン テクノロジーズが、業界で初めてLPDDR4インタフェースを搭載したNORフラッシュメモリ「SEMPER X1」について説明。ソフトウェア定義型車両に対応できるように、従来比でデータ転送速度8倍、ランダム読み出し速度20倍を実現したという。
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エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、DDR6までの中継ぎ役として注目される「MRDIMM(Multi-Ranked DIMM)」と、IntelのDCAI(Data Center and AI Group)の動きについて紹介する。
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温度計算のツールともいえる原理(前提条件、仮定)を各種波形に適用し、得られた結果と従来の式を比較し、その妥当性を検討していきます。
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今回から、数回にわたり半導体を使う上で考慮しなければならない接合(ジャンクション)部の温度計算の算出法について説明します。
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Micron Technologyは、近年、最先端DRAM技術の発展をリードしてきたメーカーの1社だ。同社の1β(ベータ)ノードのDRAM技術もその流れを維持するものだが、2023年にはDRAM価格の下落が予測される中、他の大手メーカーも、追い上げてきている。
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プレミアエンジニアリングは、「第37回 ネプコン ジャパン」において、台湾の協働ロボットメーカーTechman Robot(テックマンロボット)のTMシリーズを用いたデモンストレーションを披露した。
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うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、1月22日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう!
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新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ(PCM)は現れていない。【訂正あり】
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2022年6月21〜23日、欧州最大規模の組み込み技術展示会「embedded world 2022」が、ドイツ・ニュルンベルクで開催された。「組み込みAI」や「RISC-V」関連の製品など、EE Times Japan記者が現地で取材したレポート記事をまとめて紹介する。
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Infineon Technologiesが、拡張メモリ「HyperRAM」の最新世代となる「HyperRAM 3.0」を発表した。HyperRAMのルーツは、2014年後半にCypress Semiconductorに合併されたSpansionまでさかのぼる。HyperRAMはもともと、2015年初頭に、SoC(Systen on Chip)およびMCU向けのコンパニオンRAMデバイスとして開発された製品だ。当初のHyperRAM技術開発は、それ以前に行われていたHyperBus/HyperFlash技術関連の先行研究によってもたらされたものだ。
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モバイルメモリの進化は常にスマートフォンの進化を支え、新たなアプリケーションの実現をもたらしてきた。Micron Technologyが開発する最新の「LPDDR5X DRAM」では、性能と電力効率がさらに強化され、次世代のモバイル体験へとつながる新しいアプリケーションの登場を支えている。
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多くの民生機器は現在、UFS規格や、フラッシュストレージとDRAMの組み合わせが可能になったマルチチップパッケージ(uMCP)によって、十分なストレージ性能を搭載するようになった。しかし、産業/自動車市場で現在台頭しているユースケースを見ると、システム全体を分解する必要なく容量を増やすためには、簡単に取り外し可能なフォームファクターが非常に有効であるということが分かる。
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キオクシアは、「XFM DEVICE(XFMD) Ver.1.0」規格に準拠したPCIeおよびNVMeリムーバブルストレージデバイス「XFMEXPRESS XT2」の評価用サンプルを開発した。
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キオクシアはドイツ・ニュルンベルクで開催された組み込み技術の展示会「embedded world 2022」(2022年6月21〜23日)に出展し、「業界初」(同社)とする「XFM DEVICE(XFMD) Ver.1.0」規格準拠のリムーバブルストレージデバイス「XFMEXPRESS XT2」のデモを展示した。
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キオクシアは14日、業界で初めて「XFM DEVICE Ver.1.0」規格に準拠した小型モバイル機器向けのストレージデバイス「XFMEXPRESS XT2」のサンプル出荷を始めたと発表した。256GBと512GBがある。
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テレダイン・レクロイは、帯域幅が1GHzの高電圧光アイソレーションプローブ「DL-ISO」と「パワーデバイステスト用ソフトウェア」を発売する。これらを12ビット分解能オシロスコープと組み合わせることで、GaN(窒化ガリウム)/SiC(炭化ケイ素)半導体の特性を、高い精度で評価することが可能となる。
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メモリの規格を策定する業界団体であるJEDECは1月27日(米国東部時間)、次世代のメモリである「HBM3(High Bandwidth Memory 3)」の仕様書を公開した。
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IBM PC、PC/AT互換機からDOS/Vマシン、さらにはArmベースのWindows PC、M1 Mac、そしてラズパイまでがPCと呼ばれている昨今。その源流からたどっていく連載。今回は再びIntelの失敗について。
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PCと呼ばれるものの歴史を紐解いていく連載。今回は、メモリ標準化についてのお話。ここでIntelは大きな失敗をする。
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大日本印刷(DNP)は、車載用ICなどに用いられるQFNタイプのパッケージ材料として、高い精度と信頼性を実現した「リードフレーム」を開発した。DNPは今後、生産設備を増強し、2023年度には新製品の生産能力を現在の約2倍に引き上げる計画である。
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サーバや家電製品では、ストレージメディアをホットスワップできることが当たり前になっている。今回、新しい標準規格が発表されたことにより、従来、コネクテッドデバイスや組み込みアプリケーションなどにはんだ付けされているフラッシュメモリも、簡単に交換できるようになるという。
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半導体製品ライフサイクルの長さ(期間)について検討しつつ、有効な製造中止(EOL)対策について考察してみたい。
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Samsung Electronics(以下、Samsung)は、PIM(Processing-in-Memory)を主流派の技術へと推進していく上で、新たなステップの実現を発表した。同社は2021年初めに、PIM技術を他の種類のメモリに統合するという構想の一環として、業界で初めて、PIM対応のHBM(High Bandwidth Memory)である「HBM-PIM」を、商用化されたアクセラレーターシステムに統合することに成功している。
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エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、大きなトレンドになりつつあるSRAMの3D Stacking(3D実装)についてお届けする。
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DRAMが持っていたハードウェアの脆弱性を悪用する「ローハンマー」というサイバー攻撃は、2014年に見つかった古い手法だ。既に対策が講じられているものの、2021年にGoogleが発見した「ハーフダブル」攻撃にはまだ対策が見つかっていない。
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スマートモジュラーテクノロジーズは、産業用組み込みアプリケーション向けのeMMCファミリー「BGAE440」を発表した。3D NANDフラッシュメモリを搭載し、JEDECの「eMMC v5.1」規格に準拠。153および100ボールのBGAパッケージに対応する。
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自動車のクラスタシステムなどで拡張メモリとして採用が広がっている「HyperRAM」。このほど、Octal SPIをサポートするなど新たに進化した第2世代のHyperRAMである「HyperRAM 2.0」が登場した。本稿では、第2世代の登場で、より使いやすくなったHyperRAMを紹介していこう。
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高速、高分解能のデータコンバータ(A/Dコンバータ、D/Aコンバータ)向けに策定されたシリアルインターフェース規格「JESD204B」。最高12.5Gbpsのデータ転送速度を誇るこの新規格とはどのようなものか説明するとともに、JESD204Bに対応するデバイスの検証に必要なテストについて確認します。
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英国Raspberry Pi財団は、「Raspberry Pi 4 Model B(以下、ラズパイ4)」の組み込みモジュール版となる「Raspberry Pi Compute Module 4」を発表。Armの「Cortex-A72」を4コア搭載する「BCM2711」はそのままに、RAMやフラッシュストレージの容量、無線通信機能の有無などによって変わる32品種を用意した。価格は25〜90米ドル。
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ルネサス エレクトロニクスは、JEDEC準拠のDDR5メモリモジュール用データバッファー「5DB0148」を発売した。高速転送と低消費電力を特長とし、多くのメモリや帯域幅を必要とするデータセンター、高性能ワークステーション用途に適している。
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日本モレックスは、複数のプラットフォームで使用できるカードエッジ用「Sliver Edge-Cardコネクター」を発表した。各種の業界コンソーシアムに認知された性能を備え、メモリやストレージ、アクセサリーカード、直交ダイレクトなどの構成に適合する。
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今回は、ESD対策に特化した電子部品「ESDサプレッサ」の概要を解説する。バリスタとの違いや、主な仕様を取り上げる。
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Western Digital(WD)は、組み込み型UFSの新製品「iNAND MC EU521」を発表した。JEDECの新規格「UFS 3.1」に準拠した書き込みブースター技術により、スマートフォンの5Gモバイルアプリケーション向けに最適化している。
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自動車関連サプライヤーのマレリはGaNを使った次世代パワー半導体を開発するTransphormと電気自動車の新技術開発に向けた戦略的提携を結んだと発表した。
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これまで次世代メモリに関しては、さまざまな議論がなされてきた。例えば、「IoT(モノのインターネット)の登場によって生み出されたビジネスチャンスにどう対応するのか」「SRAMのような高価格帯製品を選択せずに済む方法はあるのか」といった内容が挙げられる。Etronは、答えの一つが「低減ピンカウント(RPC:Reduced Pin Count)DRAM」だと考えているようだ。
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Micron Technologyが2019年10月24日(米国時間)に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催した自社イベント「Micron Insight 2019」は、Micronが単なるメモリベンダーにはとどまらない、という決意が現れたものとなった。
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品薄が続くCore iシリーズだが、先週は「Core i3-9100F」が登場し、新ステッピングの「Core i7-9700K」も出回るようになった。が、まだ乾きは潤すことができない……。
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