最新記事一覧
STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。
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Ambiqは、「Apollo5」SoCファミリーの新製品「Apollo510」を発表した。Arm Cortex-M55をベースとする新製品は、前世代品の「Apollo4」と比較して電力効率が30倍、高速性能が10倍向上している。
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新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。
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STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。
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ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。
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STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。
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ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。
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東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立した。磁気トンネル接合素子を数nm領域に微細化しながら、AIや車載など用途に合わせたカスタマイズが可能となる。
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東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。
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東京工業大学は、非磁性体の「TaSi2」において、フェルミレベル近傍にバンドの縮退点（ベリー位相のモノポール）を配置することにより、高温下でスピンホール効果を増大させる新原理を発見した。SOT（スピン軌道トルク）方式を用いる磁気抵抗メモリについて、高温下での性能改善が期待される。
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STマイクロエレクトロニクスは、Qi対応レシーバーICおよびトランスミッターICをベースとした評価ボード「STEVAL-WLC38RX」「STEVAL-WBC86TX」を発表した。
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NAND型フラッシュメモリだけではなく、「EEPROM」や「NOR型フラッシュメモリ」といった不揮発性メモリも、電子機器をはじめさまざまな用途で活躍している。容量の違いを踏まえて、それぞれの特性を見てみよう。
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よく知られる「NAND型フラッシュメモリ」以外にも、「EEPROM」といった不揮発性メモリがある。こうした異なる不揮発性メモリはなぜ生み出され、それぞれ技術的にどのような違いや利点があるのか。
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TDKは、アナログ出力やSENTプロトコルを備えた、3Dホールセンサー「HAL 3927」を発表した。独自の「3D HALピクセル・セル・テクノロジー」を採用し、水平磁界成分、垂直磁界成分のX、Y、Z軸を直接測定できる。
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CXL接続SSDはまだ研究開発段階にあるに過ぎないが、それが実現した場合にはストレージの設計やコンピューティング在り方を大きく変える可能性がある。どのようなものなのか。
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TSMCは2023年8月、ドイツ・ドレスデンに欧州初の半導体工場を設置する計画を正式に発表した。今回、TSMCへのインタビューなどを通じて、同社の狙いと世界半導体産業への影響を考察した。
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キーサイト・テクノロジーは同社のユーザー向けイベント「Keysight World 2023」で、SiC／GaNパワーモジュールの評価に対応した最新パワーデバイスアナライザー「PD1550A」の実機を国内で初めて展示した。
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東京工業大学は、ナノチャネルボトムコンタクト型2次元強誘電半導体「α-In2Se3（α相セレン化インジウム）」メモリを開発した。マルチレベルセル（MLC）相当の記憶状態を得られる可能性があるという。
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京都大学らによる研究グループは、薄膜積層方向に極性構造を有する超格子において、ゼロ磁場下で超伝導ダイオード効果を磁化制御することに成功した。今回の成果は、超低消費電力の不揮発性メモリや論理回路の実現に貢献するとみられる。
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ニュージーランドのセキュリティ研究者が、小型のドライバーを使用してノートPCのBIOSパスワードを回避する方法を発見した。
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インフィニオン テクノロジーズはLPDDR4インタフェース搭載のNORフラッシュ「SEMPER X1」を発表した。同社従来製品比でデータ転送速度が8倍、ランダム読み出し速度が20倍向上した。
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ノルディックセミコンダクターは、同社の第4世代のマルチプロトコルSoC（System on Chip）「nRF54H20」の販売を開始した。Bluetooth 5.4やLE Audio、Bluetoothメッシュ、Matter、Threadといった規格に対応する。
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STマイクロエレクトロニクスは、リチウム電池の性能向上と長寿命化を可能にする充電制御IC「L9961」を発表した。コードレス電動工具やバックアップ用蓄電システム、無停電電源装置などの用途に向ける。
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ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は2023年4月11日、22nmプロセスを採用したマイコンのサンプル出荷を開始した。
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マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初心者の方からよく質問される「内蔵EEPROMの使い方」についてです。
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新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】
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不揮発性メモリであるOptaneが打ち出した発想から、さまざまな動きが起こった。Intelが事業の撤退を明かし、関心は次の時代へと移行する。
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非揮発性メモリ「Intel Optane」は、NAND型フラッシュメモリのような大成功を成し遂げることなく終わってしまう。何がうまく機能しなかったのか。
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SSDとメモリのそれぞれの分野において、IntelにはOptaneで成し遂げたい変革があった。ただし幾つかのハードルが、Optaneの普及を阻んだ。
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今回は、動画記録用の媒体にフラッシュメモリを利用したデジタルビデオカメラを報告する。年表の時期は2003年〜2004年である。
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Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。
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今回は、フラッシュメモリカードの動きを追う。時期は2002年〜2004年である。新しい規格のカードが登場したほか、従来規格のカードがさらに小さくなった。
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東芝が1987年に発明したNAND型フラッシュメモリを引き継ぐキオクシア。それから35年が経過し、同社が提供する“SSDの進歩”とは。
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メモリに革新をもたらすことを目指していたIntelが、不揮発性メモリ「Optane」の事業を終わりにすることを明らかにした。この衝撃の発表の背景にある、半導体分野の変化とは。
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前回に続き、フラッシュメモリが製品に「多値記憶技術」を駆使し始めた状況を解説する。東芝とサンディスクの合弁事業が話の中心となる。
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最新IT動向のキャッチアップはキーワードから。専門用語でけむに巻かれないIT人材になるための、毎日ひとことキーワード解説。
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今回と次回で、フラッシュメモリが製品に「多値記憶技術（1個のメモリセルに2ビット以上のデータ（論理値）を格納する技術）」を駆使し始めた状況をご紹介する。
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今回は、フラッシュメモリを記憶媒体とする、MP3形式の携帯型オーディオプレーヤーを世界で初めて試作していたドイツのベンチャー企業を紹介する。
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今回は、NECが試作したフラッシュ対応携帯型オーディオプレーヤーを紹介する。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載用オルタネーターレギュレーターIC「L9918」を発表した。VDAのLINオルタネーターレギュレーター規格や、機能安全規格「ISO26262」の「ASIL-B」に準拠しており、車載用12Vシステムの安定性を高める機能を強化した。
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今回は番外編として、携帯型オーディオプレーヤー（携帯型音楽プレーヤー）の主な歴史をたどる。
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今回はフラッシュメモリを記憶媒体とする携帯型デジタルオーディオプレーヤー（DAP：Digital Audio Player）を扱う。時期は1997年〜1998年である。
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今回は1997年〜2000年までの動きを追う。この時期に、切手大の小型フラッシュメモリカードが登場した。
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今回は、日本で初めてのスマートフォンをご紹介する。具体的には、日本独自の簡易型携帯電話システム「PHS（Personal Handy-phone System）」（当初の呼び名は「ピーエイチエス」、後の呼び名は「ピッチ」）と携帯型情報端末（PDA）を融合したデバイスである。
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前回に続き、IBMが開発した世界で初めてのスマートフォン「IBM Simon Personal Communicator」の詳細をご紹介する。
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フラッシュメモリの歴史年表で1994年を取り上げる。IBMが世界で初めてスマートフォンを開発した経緯を紹介する。
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今回は、1993年〜1996年の出来事を取り上げる。一般用のコンパクトデジタルスチルカメラ（略称はコンパクトデジカメ、コンデジ）がフラッシュメモリあるいは小型フラッシュメモリカードによって普及し始めた時期だ。
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今回は、画像記憶用小型カードが相次いで開発された、1995〜1996年を扱う。
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