IBM，世界初のSiGeテクノロジーによる携帯電話用回路を発表

【国内記事】

2002年1月15日更新

　米IBMは1月14日，シリコン・ゲルマニウム（SiGe）テクノロジーを使用した世界初の無線周波数パワー・アンプ・モジュールを発表した。

　パワー・アンプは，携帯電話などのワイヤレス製品で広く使用されている主要部品。SiGe技術を利用した新回路は，次世代のポータブル・ワイヤレス製品のコストとサイズの削減を実現する。

　このSiGeチップは，シリコン・ゲルマニウムの熱伝導性を利用しているため低温で動作する。また，今回利用されたSiGe BiCMOSテクノロジーは，多くの重要機能を1枚のチップに組み込めるため，極小のパッケージとしてパワー・アンプを製造できる。このため，最終的に製品化されたときのマザーボード上のレイアウト総面積を縮小できる。

　また新パワー・アンプは，ゲインや電力効率，待機電流の改善など，ワイヤレス関連のOEM製品にとって重要な機能によって携帯ワイヤレス通信の開発を強化し，耐久性を実現する。

　なお本日発表された製品は，以下の3種類のSiGeパワー・アンプ・デバイス。

• IBM 2022 TDMA IS-54パワーアンプ（800MHz）：発売中
• IBM 2018 CDMA IS-95（800MHz）：プロトタイプ利用可
• IBM 2017 PCS CDMA IS-95（1900Mhz）：2002年2月プロトタイプ提供予定

　同社Bernard Meyerson氏は，「これは，この製品カテゴリーのブレイクスルーとなるもの。一部の専門家は“このようなチップはSiGeでは実現できない”“コストの高くつくGaAsで製造しなければならない”と考えていた」と語っている。

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[ITmedia]

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