| News：ニュース速報 | 2002年6月17日 04:01 PM 更新 |
DDR-IIで1Gbpsを実現、DDR533製品化へ エルピーダ
エルピーダが次世代DRAM「DDR-II」で1Gbpsのデータ転送レートを実現。DDR533の製品化にめどをつけた
エルピーダメモリは6月17日、次世代DRAM仕様「DDR-II」で世界最速のデータ転送レートとなる1Gbps（1ピン当たり）を実現する回路技術の開発に成功したと発表した。533Mbpsの転送レートを持つDDR-IIメモリモジュール（DDR533）の製品化が可能になる上、DDR-IIIの開発も見通しが立ったという。
新開発の回路方式は、1.8ボルト単一電圧で1Gbps動作を実現。512MビットのDDR-II SDRAMに搭載して確認した。
低電圧で1Gbpsの高速データレートを達成するためには、（1）クロックに対し高精度に同期したデータ信号（ばらつき30ピコ秒以下）を出力でき、かつ信号波形が高品質、（2）チップ内部のメモリアレイも高速サイクル（4ナノ秒）でチップ内を読み書き可能──という条件が必要だ。
これに対しエルピーダは高精度で低消費電力なクロック再生回路と、信号波形の“傾き”（スルーレート）を変えずに駆動能力を調整できる出力バッファ回路を開発、出力タイミングのばらつきを10ピコ秒以下に抑えた。またメモリアレイ内の回路の工夫により、4ナノ秒サイクルでの動作を実現した。
DDR-IIはDDR SDRAMを高速化した次世代DRAM規格。2003年以降の普及が見込まれている。動作クロック400MHzの「DDR400」と同533MHzの「DDR533」が登場する予定。メモリ帯域はDDR400が3.2Gバイト／秒、DDR533が4.2Gバイト／秒に達する（それぞれシングルチャネルの場合）。現行主流のDDR266（PC2100）は2.1Gバイト／秒（同）。
関連リンク
ニュースリリース[ITmedia]
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。