| News：ニュース速報 | 2003年4月2日 07:50 PM 更新 |
AMD、世界最高性能のトランジスタを開発
米AMDは、現時点で世界最高性能のトランジスタを開発したと発表。2005−2010年にかけて実用化される高性能チップに重要な役割を果たすとしている
米AMDは4月2日、現時点で世界最高性能のトランジスタを開発したと発表した。2005年から2010年にかけて実用化される高性能チップに重要な役割を果たすとしている。
同社によると、現在発表されている最高性能のPMOS（P型金属酸化膜半導体）トランジスタと比較し、最大30％高速に動作するトランジスタを作成した。「FD-SOI」（Full Depleted Silicon-on-Insulator）などの同社独自技術を複数活用することで実現したという。
詳細は6月に京都で開かれるVLSI関連シンポジウムで明らかにするとしている。
また同社は、従来のストレインドシリコンデバイスよりも20−25％の高い性能を実現したストレインドシリコントランジスタのデモンストレーションに業界で初めて成功したと発表した。
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