| News：ニュース速報 | 2003年12月25日 07:45 PM 更新 |
東芝、512MビットXDR DRAMを開発
東芝は12月25日、次世代メモリ「XDR DRAM」の512Mビットチップを開発、サンプル出荷を始めたと発表した。
XDR DRAMは米Rambusと東芝、エルピーダメモリが7月に発表した次世代メモリ（関連記事を参照）。開発コードネーム「Yellowstone」で知られた高速メモリインタフェースを搭載し、3.2GHzでの超高速データ転送が可能だ。
動作電圧は1.8ボルト。1.27×0.8ミリピッチのBGAパッケージを採用し、低層数PCb基板にも対応可能だ。
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3.2GHz動作の最速メモリ「XDR DRAM」を発表 Rambus、東芝、エルピーダ米Rambusと東芝、エルピーダメモリは、3.2GHzで動作する次世代メモリ「XDR DRAM」を発表した。現在のPC用DRAMと比べ8倍の帯域幅を実現できる。東芝とエルピーダは2004年に製品化、2005年に量産化する計画だ。
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