News:ニュース速報 | 2001年5月22日 03:25 更新 |
米IBMは5月21日(米国時間),三菱電機と第3世代移動体通信(3G)対応携帯電話向け低電力チップを共同開発していると発表した。
両社は3G端末向け高周波ICチップセットを設計。三菱の回路とシステム技術をベースとし,IBMのシリコンゲルマニウム(SiGe)チップ技術を採用,製造もIBMが担当する。三菱は自社の3G端末に新チップを搭載する予定だ。
新チップはSiGe技術を採用することで複数のチップを集積。コスト減と消費電力を削減を実現しつつ,高周波を効率よく処理することが可能という。
関連リンク
日本IBMのニュースリリース
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.