News：ニュース速報 2001年7月11日　04:19 更新

NEC，0.10μメートル・システムLSIプロセスの開発を完了

　NECは7月11日，0.10μメートル・システムLSI製造プロセス「UX6」の開発を完了したと発表した。

　フッ化アルゴンレーザー露光技術と高精度エッチング技術により，トランジスタのゲート長を65ナノメートルまで微細化。従来プロセスと比べ約1.5倍の高集積度を実現した。またゲート絶縁膜の漏れ電力を従来と比べ2桁近く低減し，低消費電力化を実現したという。パワーマネジメント技術をさらに向上させ，モバイル向け超低消費電力システムLSIを開発する。

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